InP 基 2 微米波段半导体激光器

2021-01-12 00:00:00

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关键词：半导体激光器

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所属领域:

航空航天

项目成果/简介:

可以量产/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制备及器件工艺制作方面具有诸多优势。除了具有高质量，低成本的衬底材料，InP基激光器因其兼容传统通讯用激光器的成熟工艺，且易与其它器件实现集成等优势而具有更好的工业应用前景。我们拥有采用 MOCVD制备大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半导体激光器工艺制作以及器件测试封装的全套技术。我们制备的激光器外延芯片波长可精确调控，其面内波长不均匀性低至±3nm，相应的激光器件性能指达到国际先进水平。目前市场对2微米激光器的应用需求主要

项目阶段:

小批量或小范围应用

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