新型FinFET 器件工艺

2021-01-12 00:00:00

云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn

关键词： FinFET

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所属领域:

新一代信息技术

项目成果/简介:

已有样品/n全金属化源漏FOI FinFET 相比类似工艺的常规FinFET 漏电降低1 个数量级，

驱动电流增大2 倍，驱动性能在低电源电压下达到国际先进水平。由于替代了传统

的源漏SiGe 外延技术，与极小pitch 的大规模FinFET 器件的兼容性更好，有助于

降低制造成本，提高良品率，具有很高的技术价值。

项目阶段:

小批量或小范围应用

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