阻变存储器与铁电FinFET

新一代信息技术

已有样品/n基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。该器件在电荷俘获模式下，表现出高耐

久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的数据保持特性（104@85oC），与DRAM

的性能相近，为在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。当器件工作在

电筹翻转模式下的时候，器件表现出非常好的数据保持特性（>10年）以及对读取

信号串扰的免疫能力，使该器件同时具有优越的不挥发存储特性。

小批量或小范围应用