氮化镓界面态起源

2021-01-12 00:00:00

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关键词：氮化镓

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所属领域:

新一代信息技术

项目成果/简介:

已有样品/n基于超低温的恒定电容深能级瞬态傅里叶谱表征了LPCVD-SiNx/GaN界面态，在

70K低温下探测到近导带能级ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的极

小捕获界面。在国际上第一次通过高分辨透射电镜在LPCVD-SiNx/GaN界面发现晶化

的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，证明了近导带界面

态主要来源于镓悬挂键与其临近原子的强相互作用。由于晶化的Si2N2O

项目阶段:

小批量或小范围应用

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