垂直结构大功率白光 LED

先进制造与自动化

成果简介

对于大电流注入下的高功率 LED 而言， 光衰是 LED 普遍存在的问题。 主要原因有载流子在多量子阱（MQW） 上的溢出（overflow）； LED 芯片的晶体内部的缺陷导致的非辐射复合； 在大注入条件下， 载流子分布的不均匀； 以及 LED 结构设计合理性等原因； 这些因素在 LED 材料生长过程中（采用 MOCVD 技术） 就已经决定。 而大功率 LED 在实际应用过程中另外一个瓶颈就是芯片的热输运处理问

题。 在大注入条件下， 过高的 pn 结结温， 导致

试用