创新工艺有望实现常关型射频器件

2021-04-14 00:00:00

云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn

关键词：射频器件

点击收藏

所属领域:

其它领域

项目成果/简介:

AlGaN/GaN HMET射频器件有一原生的电子信道，为一常开器件，不利于射频功率放大器电路设计与安全性。如果器件能够实现常关特性，则射频功率放大器电路可因此简化。然而，目前常见实现器件常关特性工艺需要对半导体层进行刻蚀，而刻蚀工艺会对器件引入缺陷，降低器件特性，因此市面上的常关型AlGaN/GaN HMET射频器件非常少见。

项目阶段:

试用

会员登录可查看合作方式、专利情况及联系方式

扫码关注，查看更多科技成果