基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法

高端装备制造

本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导

体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电

区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化

层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx

织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅

量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si

量子点-SiC

试用