一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法

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本发明公开了一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法； 电场辅助磁隧道结单元具有双势垒结构，包括第一电极层，以及依次 形成在第一电极层上的第一磁性层、第一绝缘隧穿层、第二磁性层、 第一金属层、第二绝缘层和第二电极层。第一磁性层为参照层 RL，第 一绝缘层为隧穿层 I，第二磁性层为自由层 FL，第一金属层为非磁金 属层 NM，第二绝缘层为介电层 I*；当在磁隧道结单元的两端施加电 压时，电场通过两个绝缘层引入到 I/FL 和 FL/NM 界面，从而调控 I/FL 的界面磁各向异性，并控制 FL/NM

试用