基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法

人工智能

本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测

器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。

所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸

光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述

吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器

件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友

好，稳定等优点。

未应用