锗硅纳米低维结构的可控制备方法及产品

新材料及其应用

本发明公开了一种锗硅纳米低维结构可控制备方法及产品，该

方法具体为：(a)清洗硅衬底；(b)在硅衬底上外延生长锗硅合金形成外

延衬底；(c)涂敷电子抗蚀剂，通过电子束光刻技术在电子抗蚀剂上曝

光所需的锗硅纳米低维结构图形；(d)采用干法刻蚀将锗硅纳米低维结

构图形转移到外延衬底上得到样品；(e)去除样品上的电子抗蚀剂；(f)

高温环境下进行氧化和退火，使得氧气优先与硅反应形成氧化硅而锗

被析出；(g)在氮氢混合气氛下

未应用