一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法

其它领域

本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法，该方法包括如下步骤：（1）清洗硅片，去除表面杂质和氧化层；（2）在硅片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘；（3）用 PDMS 模板作为压印模板，进行压印工艺，得到光刻胶半球阵列结构；（4）用氧等离子体进行刻蚀，得到跨尺度的光刻胶阵列结构；（5）将跨尺度的光刻胶阵列结构进行热解，得到三维跨尺度碳电极阵列结构。该方法简单，便

于控制，重复性好，制备的碳电极阵列结构稳定，具有大的比表面积和良好的生物兼容性，可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物

试用