一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺

其它领域

本发明公开了一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺，包括步骤：（1）在单晶硅片上旋涂光刻胶并通过光学光刻或电子束光刻得到光刻胶图形 ；（ 2 ） 镀 上 银 膜 或 金 膜 ；（ 3 ） 在 电 场 之 中 ， 采 用 HF 、

H₂O₂和去离子水的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀；（4）去除光刻胶；（5）去除单晶硅片上残留的金属膜并进行清洗处理。本发明通过在刻蚀过程中控制电场强度，由此形成从数十纳米至数

未应用