一种硅通孔互连结构的制备方法

先进制造与自动化

本发明公开了一种硅通孔互连结构的制备方法，步骤为①将键合硅器件晶圆键合于硅晶圆基板上；②减薄硅器件晶圆，再刻蚀硅器件晶圆，形成盲孔；③在硅器件晶圆上涂敷一层图案化介电材料(如聚对二甲苯)；④刻蚀图案化介电质层，刻蚀掉盲孔底部的介电材料，保留盲孔侧壁；在基板上形成介电质孔，使介电质孔和盲孔同轴；⑤在介电质孔上沉积一层导电材料，作为导电层，形成导电孔；⑥在导电层上再沉积一层图案化介电质层；⑦移除基板，在导电层上形成焊料微凸点。本发明简化了工艺步骤，减少工艺时间并降低了费用；降低了寄生电容，提升了互连电性

未应用