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PMOS触发的低压ESD触发SCR器件

2021-04-11 00:00:00
云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn
关键词: SCR器件
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所属领域:
电子信息
项目成果/简介:

随着集成电路工艺的进步,MOS管的特征尺寸越来越小,电路的工作电压也不断下降,栅氧化层的厚度也越来越薄,在这种趋势下,将可控硅ESD防护器件的触发电压降低到可观的电压值内,使用高性能的ESD防护器件来泄放静电电荷以保护栅极氧化层显得十分重要。本发明涉及可用于65nm半导体工艺的静电保护(ESD)器件,特别涉及低电压触发的SCR器件。

    本发明提供一种采用新型技术减小器件的ESD触发电压的PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件。本发明采用PMOS进行触发NMOS导通,NMOS的导通电流触发SCR晶闸管,从而减小SCR器件的ESD触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间,PMOS首先被触发导通,PMOS开通之后,触发NMOS导通,NMOS导通后,其导通电流触发晶闸管SCR导通。晶闸管电流(SCR current)导通大部分ESD 电流,从而实验了ESD保护。

项目阶段:
试用
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