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一种基于催化氮化硅粉体及其制备方法
小试阶段/n氮化硅陶瓷作为一种高温结构陶瓷，具有强度高、硬度大、高温蠕变小、抗热震稳定性好、耐磨、耐腐蚀、化学稳定性好等优异特性，被广泛应用于机械、化工、热工及航空航天等领域。氮化硅粉体是制备高性能氮化硅陶瓷的基础， 氮化硅粉体的制备及性能对氮化硅陶瓷的制备具有举足轻重的作用。目前，氮化硅粉体的制备方法主要有：碳热还原二氧化硅法、自蔓延法、热分解法、气相反应法和硅粉直接氮化法等。现有的氮化硅粉体制备技术都存在一些不足：成本高，反应温度高，氮化周期长，纯度低，工艺过程复杂，不易控制，粉体不呈晶须状等，
武汉科技大学
2021-01-12
一种低温制备CrB或CrB2粉体的方法
（专利号：ZL 201410219062.1） 简介：本发明公开了一种CrB或CrB2粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将摩尔比为1：4或1：6的氧化铬和无定形硼粉与一定量的熔盐混合均匀后，在惰性气体保护下在800～1100℃下热处理0.5～2h得到CrB或CrB2粉体。反应产生的副产物三氧化二硼和熔盐可通过用热水浸润溶解的方法去除。本发明方法合成温度低，合成周期短，采用的生产工艺简单、成本低廉、适合批量生产。所制备出
安徽工业大学
2021-01-12
一种聚苯胺包覆的复合粉体及其制备方法
本发明公开了一种聚苯胺包覆的复合粉体及其制备方法。它包括三个部分,核心层为碳材料,夹心层为单质铁纳米微粒和氮化铁,包覆层为聚苯胺薄膜。其合成步骤如下:将碳材料充分吸附硝酸铁溶液,通过氢气还原、氨化反应后分别包覆单质铁微粒和氮化铁保护层;最后采用原位聚合技术在产物外层包覆聚苯胺薄膜,得到聚苯胺包覆的复合粉体。该粉体兼具聚苯胺的导电性、抗腐蚀性、化学稳定性以及铁磁性微粒的磁性和催化性能;其原材料来源广泛,工艺流程简单,在电磁波屏蔽与吸收、金属防腐、难降解废水处理、塑胶添加剂等领域具有广泛的应用前景。
浙江大学
2021-04-13
一种基于(Ti,M)(C,N)固溶体粉的弱芯环结构新型金属陶瓷材料
一种基于(Ti,M)(C,N)固溶体粉的弱芯环结构新型金属陶瓷材料,其原料组分及各组分的重量百分数为10～20%的Co或/和Ni粉末,10～35%的第二类碳化物粉末和余量的(Ti,M)(C,N)固溶体粉,所述(Ti,M)(C,N)固溶体粉中M为W、Mo、V、Cr、Ta、Nb中的至少一种,所述第二类碳化物为WC、VxC(0
四川大学
2021-04-11
Si基GaN功率半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10
高性能低成本铸造Al-Si合金
本成果源自于教育部博士点基金项目和江苏省自然科学基金项目。铸造Al-Si合金是两大传统结构材料之一，广泛应用在航空航天工业，军事工业，汽车工业，电力工业，机械工业中。本项目的合金体系是Al-(11.0%-13.0%)Si-(0.3%-0.5%)Mg，属近共晶类合金。
东南大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
特色及先进性；技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻，更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比，可以看出MG-HAD具有较小的开启电压（0.6V）和导通电阻（1.3mΩ?cm2）。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力，以10μA/mm 为击穿电流标准，MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限，150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压，因而其baliga优值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值，见图5所示。
电子科技大学
2016-06-08
医药中间体 3，4，5-三甲氧基苯甲醛(TMB)的制备
3，4，5-三甲氧基苯甲醛(简称 TMB)，外观为白色至浅黄色结晶， 易溶于乙醇、乙酸乙酯和氯仿等有机溶剂中。是一种重要的医药中间 体，是合成磺胺类增效剂三甲氧基苄胺嘧啶（TMP）的重要中间体。 目前市场销售量每年数千吨，单价在 15 万元/吨左右。目前 TMB 的 合成方法主要有三条，一是以五倍子酸为原料，经甲基化、酯化、还 原等步骤合成；二是以香草醛为原料，经溴代、甲氧基化、甲基化等 步骤合成；三是以对羟基苯甲醛为原料，经溴代、甲氧基化、甲基化 等步骤合成。以对羟基苯甲醛为原料是目前工业化的主要途径，但该 方法中也存在致命的不足，如甲氧基化步骤中，以 DMF 作溶剂，甲 基化原料为甲醇钠/甲醇溶液，但 DMF 在在碱性中容易分解，产生二 甲胺，造成 DMF 回收困难，使用成本过高；甲基化使用剧毒的硫酸 二甲酯，对操作人员和环境产生强烈的影响。虽然文献中也报道了避 免使用 DMF 为溶剂的工艺，但还存在操作复杂、反应体系压力过大 等缺陷。甲基化步骤中尚没有合适的硫酸二甲酯替代物。 本项目旨在优化对羟基苯甲醛的工艺，主要改进点是甲氧基化和 甲基化方法，甲氧基化以价格便宜且广泛使用的碳酸二甲酯（DMC）作为辅助催化剂，甲醇/甲醇钠为溶剂和甲氧基化原料，避免使用容易 分解的 DMF，且反应后产物无需进行酸化；甲基化以价格便宜且毒 性小的氯甲烷气体代替剧毒的硫酸二甲酯。该项目目前已经完成实验 室的小试工艺，通过优化的实验条件，以三步总收率约 70%合成 TMB， 正在进行中试放大。
南开大学
2021-04-13
一种多维-多级孔SiO2/C复合粉体及其制备
小试阶段/n本成果属于多孔复合粉体技术领域。具体涉及一种多维-多级孔SiO2/C复合粉体及其制备方法。近年来，多级孔材料的研究和制备虽然取得了很大的进展，但仍存在一些未解决的问题，如形貌难以控制、模板成本高、操作程序复杂、不同模板剂之间的竞争作用难以控制等。稻壳是大米加工的主要副产物，约占稻谷重量的20%。我国是世界上最大的稻谷生产国，稻壳来源广泛，且价格便宜。本成果旨在克服现有技术缺陷，目的是利用稻壳提供一种成本低廉、工艺简单、环境友好和适用于工业化生产的制备多维-多级孔复合粉体的方法。用该方法制
武汉科技大学
2021-01-12