一种水基Fe3O4磁性流体的制备方法,它涉及一种具有超顺磁性的水基纳米磁性流体的制备方法.本发明解决了现有磁流体含有有机物,与生物体兼容性差的问题.本发明方法如下:将FeCl3与FeCl2溶解在去离子水中,调节pH值;在120～180℃油浴中,惰性气体保护下,滴加NaOH后,保温搅拌0.5～2.5小时;去离子水洗涤,超声分散,用永磁铁沉降至溶液中不含氯离子并且呈中性;再将溶液超声分散后离心;在100～160℃,惰性气体保护下以300r/min的速度搅拌浓缩回流3～6小时.本发明制备的水基Fe3O4磁流体粘度小于10mpa·s,粒径为3-10nm,饱和磁化强度高于60emu/g,具有超顺磁的特性,稳定性好,水溶性好,所用材料无毒,便宜,操作简单易行,适合工业化生产.

一、2024年政府工作报告提出：深入实施科教兴国战略，强化高质量发展的基础支撑 3月5日上午9时，第十四届全国人民代表大会第二次会议开幕会在人民大会堂举行。国务院总理李强作政府工作报告时，回顾了2023年工作，介绍了2024年政府工作任务。政府工作报告提出，深入实施科教兴国战略，强化高质量发展的基础支撑。坚持教育强国、科技强国、人才强国建设一体统筹推进，创新链产业链资金链人才链一体部署实施，深化教育科技人才综合改革，为现代化建设提供强大动力。 政府工作报告还提出，预计今年高校毕业生超过1170万人，要强化促进青年就业政策举措，优化就业创业指导服务。 点击查看完整内容：【2024年政府工作报告提出：深入实施科教兴国战略，强化高质量发展的基础支撑】 二、教育部部长怀进鹏：自主培养拔尖创新人才 “加快发展新质生产力，迫切需要大批拔尖创新人才。”在9日召开的十四届全国人大二次会议民生主题记者会上，教育部部长怀进鹏坦言，拔尖创新人才是促进和提升国家核心竞争力最重要的战略资源，是实现高水平科技自立自强的重要支撑。 “建成教育强国，建成世界重要人才中心和创新高地，需要我们在拔尖创新人才的自主培养能力上发力。”怀进鹏表示，教育部门将推动高校分类特色发展，建立分类评价机制。同时，鼓励高校发挥其人才培养优势，围绕国家经济社会急需的基础学科人才、交叉学科人才和新兴学科人才，在基础研究、工程技术等方面加强人才培养。 点击查看完整内容：【民生主题记者会上，教育部部长怀进鹏答问全记录】 三、教育部部长怀进鹏：加大对高校青年科技人才支持 让他们敢坐“冷板凳” 教育部部长怀进鹏3月9日在十四届全国人大二次会议民生主题记者会上表示，将加大对高校青年科技人才的支持，在学术生涯起步阶段就开始长周期、高强度、稳定支持，允许试错、宽容失败，让青年人才敢坐“冷板凳”、敢闯“无人区”，产生重要的原创性、颠覆性成果。 怀进鹏表示，在人才培养上，要不断地下硬功夫、笨功夫，不走捷径、不取巧，愿意啃硬骨头，坚持人才长期培养的目标。同时，将布局区域技术创新中心，以科技成果转化为牵引，特别提倡“刀在石上磨，人在事上练”，在实战中培养拔尖创新人才。 点击查看完整内容：【民生主题记者会上，教育部部长怀进鹏答问全记录】 四、科技部部长阴和俊：加快建立健全新型举国体制 科技部重点推进三方面工作 3月5日，十四届全国人大二次会议首场“部长通道”开启，科技部部长阴和俊围绕科技如何支撑高质量发展，怎样支持青年人才挑大梁等话题答疑解惑。阴和俊提到，下一步，科技部将坚决贯彻落实党中央决策部署，牢牢把握抓战略、抓改革、抓规划、抓服务的定位要求，加强宏观统筹，重点加强战略规划统筹、政策措施统筹、重大项目统筹、科研力量统筹、资源平台统筹、区域创新统筹等，通过抓这“六大统筹”，加快建立健全新型举国体制。具体将重点推进三方面工作。一是加大科技攻关，进一步聚焦国家战略需求和发展要求，深入实施重大科技项目，持续加强基础研究，不断夯实高质量发展的科技内核。二是加强战略力量建设，也即队伍建设，充分发挥国家实验室、国家科研机构、高水平研究型大学、科技领军企业的特色优势，建设协同高效的战略科技力量，打造科技强国建设的国家队。三是继续深化科技体制机制改革，加大改革力度，强化政策协同，扩大开放合作，汇聚更多的智慧和力量，为高质量发展不断注入新的创新动力。 点击查看完整内容：【科技部部长阴和俊：加快建立健全新型举国体制 科技部重点推进三方面工作】 五、科技部部长阴和俊：鼓励把一半以上基础科研费用投向35岁以下的年轻人 3月5日，科学技术部部长阴和俊在十四届全国人大二次会议首场“部长通道”答记者问时表示，要加强青年人才培养，鼓励有条件的单位，把一半以上的基础科研费用，投向35岁以下的年轻人。 阴和俊表示，“对青年科技人才的培养要赶早一些、宽松一点”，帮助他们尽早培养起兴趣和自信。在重点实验室的评级中，对青年人的培养也是一项重要的考核指标。 阴和俊说，要为年轻人出台政策、做好保障。比如对于从事基础和交叉科研的年轻人，提高稳定支持的力度，既要减少考核频次，使他们能心无旁骛、无忧无虑、潜下心来，让他们从采购、报销、填表等繁杂的事务中解放出来，保证他们的科研时间。 点击查看完整内容：【科技部部长阴和俊：大胆使用加强培养青年人才】

随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。

电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器

本成果源自于教育部博士点基金项目和江苏省自然科学基金项目。铸造Al-Si合金是两大传统结构材料之一，广泛应用在航空航天工业，军事工业，汽车工业，电力工业，机械工业中。本项目的合金体系是Al-(11.0%-13.0%)Si-(0.3%-0.5%)Mg，属近共晶类合金。

特色及先进性；技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻，更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比，可以看出MG-HAD具有较小的开启电压（0.6V）和导通电阻（1.3mΩ?cm2）。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力，以10μA/mm 为击穿电流标准，MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限，150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压，因而其baliga优值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值，见图5所示。

高校科技成果尽在科转云

本发明提供了一种纳米氮化钒及纳米碳氮化钒粉体的制备方法。其特征在于以粉状钒酸铵、碳质还原剂和微量稀土等催化剂为原料，按一定配比将它们溶于去离子水或蒸馏水中，并搅拌均匀，制得溶液。然后将该溶液加热、干燥，最后得到含有钒源和碳源的前驱体粉末。将前驱体粉末置于高温反应炉中，并通入还原气体作为反应和保护气体，于800～950℃、30～60min条件下，制得平均粒径＜100nm、粒度分布均匀的纳米氮化钒及纳米碳氮化钒粉体。本方法具有反应温度低、反应时间短、生产成本低、工艺简单等特点，适合工业化生产。

小试阶段/n本发明解决六方氮化硼制备工艺复杂、生产周期长原料毒性大和不易规模化生产的技术问题。本发明具有生产周期短、工艺简单、适宜工业化规模生产的特点，所制备的六方氮化硼粉体纯度和结晶度显著高于现有方法制备的六方氮化硼粉体。本发明处于待转化阶段，应用范围广阔，市场前景可观，预期经济效益优异。

以周廉院士为带头人的中心研究团队，面向航空、航天、海洋工程和生物医疗等领域对高性能、结构-功能一体化材料及其面向性能制备的高端制造技术的迫切需求，围绕高性能钛合金、镍基高温合金、难熔金属及铁基合金粉体材料的制备与应用，开展了高性能合金成分设计与优化、高均匀高洁净母合金制备、高性能金属粉体材料制备、增材制造构件后处理集成技术及装备、粉末冶金近净成形技术的系统研究，形成了增材制造领域用高性能金属粉末材料制备及应用的成套专用技术。