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一种视频摘要中事件与背景的融合方法
本发明公开了一种视频摘要中事件与背景的融合方法。该方法在前景检测与目标跟踪的基础上，将事件与背景的融合问题分成事件预处理、背景帧选择、事件与背景融合三个步骤。首先对事件进行预处理，包括对事件按面积大小排序并调整局部亮度；然后，用事件投票的方式选择最优背景帧，使尽可能多的事件落在该帧背景上；最后融合事件与背景，根据当前位置的像素点在背景帧上的状态标志值和在图像块上的二值前景值选择使用泊松图像编辑方法融合或加权融合
华中科技大学
2021-04-14
一种基于渐变能量带的双面焊接激光设备
本发明公开了一种基于渐变能量带的双面焊接激光设备，包括 反光板支架以及依次平行放置且安装在反光板支架上的第一矩形反光 板，第二矩形反光板和第三矩形反光板；第一矩形反光板和第三矩形 反光板关于第二矩形反光板对称；第二矩形反光板的第一表面镀有对 激光具有透过率为 T 的膜，第二矩形反光板的第二表面镀有对激光的 全透膜；第一矩形反光板的第二表面镀有对激光的全反膜，第三矩形 反光板的第一表面镀有对激光的全反膜。本发明巧妙地利
华中科技大学
2021-04-14
一种输出空心激光光束的方法和装置
本发明公开了一种输出空心光束的方法，包括：(1)激光器产生 的实心光束，经整形系统整形为中空的环形泵浦光；(2)该中空的环形 泵浦光，沿光轴入射到耦合系统，该耦合系统将所述环形泵浦光变换 成合适直径大小的空心光束；(3)该空心光束从激光谐振腔的一端面耦 合进入谐振腔，对激光器增益介质进行泵浦，通过相位控制使得所述 谐振腔中的增益介质吸收泵浦光产生连续的空心激光输出。本发明还 公开了一种空心光束输出装置。本发明的装置和
华中科技大学
2021-04-14
一种基于硅基液晶的波长选择开关
一种基于硅基液晶的波长选择开关，属于光交换器件，解决现 有基于硅基液晶的波长选择开关输出端口数量受到限制的问题。本发 明由设置在光路上的输入单模光纤、偏振转换组件、反射镜、傅里叶 透镜、衍射光栅、硅基液晶相位空间光调制器、自聚焦准直透镜阵列 和输出二维单模光纤阵列构成。本发明对需要交换的光束利用硅基液 晶相位空间光调制器实现二维偏转，使波长选择开关输出光纤阵列的 光束由一维向二维转化，能够大幅度增加波长选择开关输出端
华中科技大学
2021-04-14
一种基于谐振的磁场发生装置及其设计方法
本发明公开了一种基于谐振的磁场发生装置及其设计方法，相比于常见的磁场发生装置，其主要创新在于大幅提高了电到磁的转换效率，实现了低噪声、低谐波磁场的产生。在确定磁场发生线圈和检流电阻规格后，计算它们在工作频率 f 下的串联阻抗 ZL；利用串联阻抗 ZL 推算谐振电流比 Iratio 的最大值；根据期望的谐振电流比 Iratio，滤波器截止频率 f1、f2，通带纹波推导滤波器参数；最后对磁场发生装置组装调试。
华中科技大学
2021-04-14
一种高电压锂离子电池的制备方法
本项目是一种高电压锂离子电池的制备方法。按锂离子电池的常规方法组装制备，正极材料为碳包覆正极复合材料LiCoPO4/C，负极材料为锂或碳，电解液为加入添加剂的常规有机电解液，所述添加剂为噻吩、联苯和呋喃中的一种或两种以上任意比例的组合，添加剂的质量百分比用量为常规有机电解液的0.05-2%。本发明的优点是：1）通过对高电压正极材料进行碳包覆，可在材料颗粒表面形成均匀的导电薄膜，有助于锂离子的嵌入与脱出；2)噻吩等添加剂的作用保证了电解液组分的稳定性。该方法工艺简单、易于工业化，通过正极材料的改性和
南开大学
2021-04-14
一种大容量液态金属电池界面化成方法
本发明属于电化学储能相关技术领域，其公开了一种大容量液 态金属电池界面化成方法，其包括以下步骤：(1)将电池升温至工作温 度；(2)检测电池的电压，待电池电压稳定后搁置预定时间；(3)对电池 恒流放电；(4)将电池搁置后，对电池进行恒流充电至充满；(5)对电池 进行恒压充电，待电流密度低于 50mA/cm<sup>2</sup>后将电池搁置； (6)转至步骤(3)进行循环，循环 5～10 圈；(7)对电池进
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器件的神经元电路
本发明公开了一种基于忆阻器件的神经元电路，本发明中，突 触阵列的忆阻器选用部分易失性双极性电阻转变器件，表达神经元膜 电位的忆阻器选用易失性电阻转变器件，构建神经元电路，并具有突 触基本单元。该神经元电路能够实现生物神经元中的整合放电功能， 表达出局部分级电位，突触具有部分易失性，可以表达活动时序相关 的可塑性，与生物学上神经元与突触在信息存储、传递与处理方面有 极大相似性。本发明可以为硬件模拟大脑神经网络结构提供基
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的联想记忆电路
本发明公开了一种基于忆阻器的联想记忆电路，包括忆阻器、 第一电阻、第二电阻和运算比较器；第一电阻和忆阻器依次串联在运 算比较器的第一输入端，忆阻器的非串联连接端作为联想记忆电路的 第一输入端；第一电阻和忆阻器的串联连接端作为联想记忆电路的第 二输入端；第二电阻的一端连接至运算比较器的第一输入端，第二电 阻的另一端接地；运算比较器的第二输入端用于连接参考电压，运算 比较器的输出端作为联想记忆电路的输出端；联想记忆电路的
华中科技大学
2021-04-14
一种三维量子阱结构光电裸芯片
一种三维量子阱结构光电裸芯片，属于一种量子阱结构光电裸芯片，解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括：衬底层、缓冲层、n 型层、量子阱层、p 型层，所述衬底层、缓冲层、n 型层、量子阱层和 p 型层表面形状走向一致，均为均匀分布的凸台阵列或者均匀分布的凹槽阵列，或者均匀分布的相间的凸台和凹槽所构成的阵列。本实用新型增大了衬底层工作面积，在其上直接生长一层缓冲层来进行应力与晶格匹配，克服了工作面积与衬底面积之比较低所带来的量子转换效率低的问题；本实用
华中科技大学
2021-04-14