在乙烯及炼油工业生产过程中通常要排放部分循环气体，从而造成大量乙烯损失，比如全国乙烯氧化生产环氧乙烷排放损失的乙烯总量就达到1.5万吨左右，FCC装置集中的地区排放造成的乙烯损失数量更是相当可观，而且排放气组分复杂，典型的环氧乙烷排放气组成为C2H429.16%、CH453.6%、C2H60.19%、O25%、Ar3.24%、N21.3%、CO27.

成果创新点 质子交换膜燃料电池，氢气纯化。 主要技术创新路径：通过全新的一种催化剂制备方法实现宽 温催化剂的精准设计：在 SiO2负载的 Pt 金属纳米颗粒表面上精 准构筑出原子级分散 Fe1(OH)x物种，促成新型 Pt-Fe1(OH)x单位点 界面催化活性中心形成，获得性能最佳的 PtFe/SiO2宽温催化剂。 关键技术指标：获得的 PtFe/SiO2宽温催化剂，可以在 198-380 K）温度区

质子交换膜燃料电池，氢气纯化。 主要技术创新路径：通过全新的一种催化剂制备方法实现宽 温催化剂的精准设计：在 SiO2负载的 Pt 金属纳米颗粒表面上精 准构筑出原子级分散Fe1(OH)x物种，促成新型Pt-Fe1(OH)x单位点界面催化活性中心形成，获得性能最佳的PtFe/SiO2宽温催化剂。 关键技术指标：获得的 PtFe/SiO2宽温催化剂，可以在 198-380 K）温度区间内实现富氢气氛中微量 CO 的完全消除，且同时保持 CO 选择性 100%。而且，该催化剂在水汽、二氧化碳同时存在的真实环境下，仍然保持极高的稳定性，160 小时测试不失活。该催化剂的比质量催化活性（5.21 molCO×h-1×gPt-1 ），是传统 Pt/Fe2O3催化剂的 30 倍。 核心解决问题、核心优势等：通过上述方法获得的 PtFe/SiO2 宽温催化剂，彻底解决了氢燃料电池汽车的推广应用解决了一个关键难题：燃料电池的 CO 中毒休克问题。核心优势是首次可以为氢燃料电池汽车在寒冷条件下，频繁冷启动和连续运行期间避 免 CO 中毒，为其“心脏”提供了一种全方位的有效保护手段， 使得汽车敢于吃“粗粮”。 这也是目前全世界唯一能够做到上述全方位保护的催化剂。 

本发明公开了一种采用一氧化碳激光对玻璃进行加热的方法， 其包括以下步骤：(1)提供一个激光加热装置，所述激光加热装置用于 发射一氧化碳激光束来对玻璃进行加热；(2)提供一个玻璃加工装置， 将所述玻璃加工装置与所述激光加热装置相对设置；同时将所述玻璃·116·设置在所述玻璃加工装置上；(3)所述激光加热装置发射所述一氧化碳 激光束到所述玻璃，以对所述玻璃进行加热。 

成果与项目的背景及主要用途 一种在金属催化下亚胺与一氧化碳共聚合成多肽类聚合物材料的新的、简捷的方法，不用氨基酸为原料，以廉价的亚胺和一氧化碳为单体，在金属催化下发生交替共聚，直接生成多肽，从而使合成多肽的成本大大降低。这一途径将可以避免繁杂的合成和活化氨基酸的步骤，使得多肽的合成和传统的方法(如开环聚合反应法)相比，被大大地简化。所得到的多肽类材料，在生物医学材料和制药等领域具有重要用途。 技术原理与工艺流程简介

一种在金属催化下亚胺与一氧化碳共聚合成多肽类聚合物材料 的新的、简捷的方法，不用氨基酸为原料，以廉价的亚胺和一氧化碳 为单体，在金属催化下发生交替共聚，直接生成多肽，从而使合成多 肽的成本大大降低。这一途径将可以避免繁杂的合成和活化氨基酸的 步骤，使得多肽的合成和传统的方法(如开环聚合反应法)相比，被大 大地简化。所得到的多肽类材料，在生物医学材料和制药等领域具有 重要用途。 该方法是在高压釜中，以 1，4-二氧六环为溶剂，在 800psi 压力 的 CO、50℃油浴以及在催化剂作用下，亚胺与 CO 共聚得到产物多 肽。采用一种简单的金属钴化合物作催化剂，能有效地催化亚胺和一 氧化碳的交替共聚，得到高分子量和低分散度的多肽类聚合物。方法 简捷。 已取得的知识产权： 本项目得到国家自然科学基金资助，是一项具有原始创新性的科 研 成 果 ， 已 申 请 2 项 中 国 专 利 （ 申 请 号 200610129890.1 ， 200710195204.5）和国际专利（申请号 PCT/CN2007/003465），还将对后续发现及时申请专利保护，因此将拥有该技术的全部知识产权。成 果发表在化学刊物 Angew.Chem.，已受到学术界和一些国外公司的关 注。 应用前景分析及效益预测： 应用行业：生物医学材料、制药、功能材料。该项目所提供的新 型多肽类化合物，已经能够为生物医学工程领域提供一类新的重要的 可供选择的材料。从长远来看，开发出多个新的有效的催化剂体系， 实现更多类亚胺与一氧化碳的共聚，最终使该方法成为一种广泛有效 的多肽的合成方法，将具有重大的社会和经济效益。 应用领域及能为产业解决的关键技术： 作为新的生物医学材料可能具有更好的生物兼容性，因而代替现 有材料用于人工血管等方面。此外，还可被用作药物的糖衣以及具有 药物缓释等功能。如能实现一般肽类的合成，其低廉的成本将有潜力 替代用任何其它合成方法得到的该类产品。不用氨基酸为原料，而是 以廉价的亚胺和一氧化碳为单体，从而使合成多肽的成本大大降低、 方法大大简化。 技术产业化条件： 投资规模约 500 万元（不含基建投入）。

催化加氢过程是现代工业的重要过程， 是清洁 燃料和高阶化学品生产中 的关键步骤。 经估算 催化加氢在整个 化学工业体系 中的占比 超过 3 0% 。 在 催化 加氢 工业 过程中， 虽然使用粗氢作为氢源 具有 工业装置简单 、 更高的经济性 等特点 ，但是粗氢中含有的少量一氧化碳 ( 从几百到几千ppm ) 会造成加氢催化剂很快失活。 这部分ppm 量 级的CO 由于 和贵金属催化剂具有很强的相互作用 ，在催化反应过程中占据催化活性位，从而使得反应物分子无法在催化剂表面吸附而导致催化剂中毒失活。 所以，现代催化加氢过程一般使用更为昂贵而且工业装置更为复杂的 高纯氢 系统作为 氢源。 发展新型高效贵金属催化剂，提高贵 金属 催化剂 对 CO 耐受度， 甚至 直接利用粗氢进行 低温 催化加氢反应 ， 从而 降低加氢成本 和工业催化装置的复杂性 是该研究领域的重大挑战 。

产品详细介绍一、一氧化碳（CO）传感器TGS5042主要参数： 1）一氧化碳检测范围： 0-10000ppm 2）输出电流：1.2-2.4nA/ppm 3）响应时间表：〈 60S 4）工作温度：-10℃ ~ +60℃ (持续工作) -40℃ ~ +70℃ (间断工作) 5）工作湿度：5 - 99%RH 二、一氧化碳（CO）传感器TGS5042特点： 1) 长寿命，电化学原理； 2) 对乙醇低敏感性； 3) 减少各种干扰气体影响； 4) 对一氧化碳气体的选择性和重复性很好； 5) 传感器信号输出与一氧化碳气体的浓度成线性关系； 三、一氧化碳（CO）传感器TGS5042典型应用: 一氧化碳检测器，室内停车场通风控制

小试阶段/n氮化硅陶瓷作为一种高温结构陶瓷，具有强度高、硬度大、高温蠕变小、抗热震稳定性好、耐磨、耐腐蚀、化学稳定性好等优异特性，被广泛应用于机械、化工、热工及航空航天等领域。氮化硅粉体是制备高性能氮化硅陶瓷的基础， 氮化硅粉体的制备及性能对氮化硅陶瓷的制备具有举足轻重的作用。目前，氮化硅粉体的制备方法主要有：碳热还原二氧化硅法、自蔓延法、热分解法、气相反应法和硅粉直接氮化法等。现有的氮化硅粉体制备技术都存在一些不足：成本高，反应温度高，氮化周期长，纯度低，工艺过程复杂，不易控制，粉体不呈晶须状等，

研究背景 芯片是人类最伟大的发明之一，也是现代电子信息产业的基础和核心。小到手机、电脑、数码相机，大到6G、物联网、云计算均基于芯片技术的不断突破。半导体光刻工艺水平的发展是以芯片为核心的电子信息产业的基石，目前半导体光刻的制造工艺几乎是摩尔定律的物理极限。随着制造工艺的越来越小，芯片内晶体管单元已经接近分子尺度，半导体制作工艺的“瓶颈效应”越来越明显。随着全球化以及科技的高速发展，急剧增长的庞大数据量要求数据处理模型和算法结构不断优化升级，带来的结果就是对计算能力和系统功耗的要求不断提高。而目前智能电子设备大多存在传输瓶颈、功耗增加以及计算力瓶颈等现象，已越来越难以满足大数据时代对计算力与功耗的需求，因此提高运算速度同时降低运算功耗是目前信息工业界面临的紧要问题。 如当年集成电路开创信息时代一样，当下已经普及的光通信正在成为新革命力量的开路先锋。与此同时，光子芯片正在从分立式器件向集成光路演进，光子芯片向小型化、集成化的发展趋势已是必然。相对于电子驱动的集成电路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特点，利用光信号进行数据获取、传输、计算、存储和显示的光子芯片，具有非常广阔的发展空间和巨大的潜能。 项目功能 本项目瞄准光通信关键技术及核心芯片，基于量子阱二极管发光探测共存现象，探索关键微纳制造技术，研制出可以同时实现通信、感知功能的一体化光电子芯片。 技术路线 一、技术原理及可行性 本项目主要负责人王永进教授发现如图1所示的量子阱二极管发光探测共存现象，首次研制出同质集成发射、传输、调制和接收器件的光电子芯片，这些原创工作引起了业界相关科研小组地广泛关注，化合物半导体同质集成光电子芯片成为研究热点。香港大学的蔡凯威小组和申请人合作提出湿法刻蚀和激光选择性剥离技术，在蓝宝石氮化物晶圆上实现LED基同质集成光电子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉国王科技大学Ooi教授和美国加州大学圣巴巴拉分校Nakamura教授小组在蓝宝石氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院苏州纳米所孙钱小组在硅衬底氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK调制方式下，InGaN/GaN量子阱二极管可实现Gbps的光发射、调制和探测速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。这些工作表明研发基于光子传输的化合物半导体同质集成光电子芯片以实现片上光子通信是可行的。   二、总体结构设计及工艺流程 本项目提出的同时通信/感知一体化光电子芯片基于常规的蓝宝石衬底氮化镓基多量子阱LED外延片进行设计，无需特殊定制的外延结构。以典型的2寸氮化镓基蓝光LED外延片为例，其外延片结构如图2所示，从下至上依次为蓝宝石衬底、AlGaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和P型GaN层，通过调节InGaN/GaN多量子阱层的参数（层厚度与In的比例等等）可制备具有不同中心波长的光源器件。   图3为本项目所提出的同时通信/感知一体化光电子芯片结构。在蓝宝石衬底的氮化物晶圆上通过刻蚀和沉积等一系列晶圆级微纳加工技术，制备出单片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N电极可以采用倒装技术直接与基板相连，光线从透明的蓝宝石衬底发出，这样不仅使得器件具有优良的电性能和热特性而且简化了其后期的封装工艺。 三、技术创新优势 1、同一块晶圆上集成LED和PD使得两者间距离大大缩短，不仅有助于增强PD对蓝宝石表面反射光线的耦合，提升感知系统性能，而且缩小了器件整体外形，符合集成电子器件小型化、便携化的发展趋势； 2、单片集成的LED和PD器件相比于传统异质的、分立的LED和PD简化了封装形式和工艺，不再需要对LED和PD进行单独的封装，而且同质集成器件的基板也较异质结构的简单统一，极大地缩短了集成系统的制作周期； 3、同时通信/感知一体化光电子芯片采用相同的工艺就可以制作出LED和PD，简化了生长异质材料的复杂性，缩短了器件流片的周期，使用同一工艺就可将LED和PD进行批量生产，有效地降低了生产成本。 四、实验验证 本项目团队所在的Peter Grünberg研究中心拥有完整的LED器件制备、光电性能测试与电学性能测试平台，并且项目成员积累了丰富的测试技术与经验，能够满足本项目的同时通信/感知一体化光电子芯片测试同时表征光电参数与电学参数的需求。下图4所示为器件形貌表征图，从左边依次是扫描电镜图、光镜图、原子力显微镜图。   基于通信感知一体化芯片，本项目利用单个多功能集成器件成功实现了对人体脉搏的监测功能，如图5所示。   另外基于通信感知一体化氮化镓光电子芯片，我们还实现了照明、成像和探测功能为一体的LED阵列系统，如图6所示。该系统可以在点亮照明的同时，实现对外界光信号的探测与感知，通过后端系统处理后，再将信息通过阵列显示出来，实现多种功能的集成。 项目负责人王永进教授是国家自然基金委优秀青年项目、国家973项目获得者，他以第一或通讯作者身份在Light-Sci Appl.等主流学术期刊发表一系列高质量研究论文，获授权中国发明专利23项，美国发明专利2项，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次专题报道，荣获2019年中国电子学会科学技术奖（自然科学）、2019年南京市十大重大原创成果奖等。