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基于氧化锌纳米棒的随机激光器
本实用新型涉及一种基于氧化锌纳米棒的随机激光器,属于随机激光器领域。该随机激光器包括泵浦激光器、反射镜、柱透镜;还包括基于氧化锌纳米棒的随机激光增益介质;所述随机激光增益介质由锌金属薄片、微米级锌金属结构、氧化锌纳米棒、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜和若丹明6G组成。本实用新型所述随机激光增益介质是在锌金属薄片表面直接生长氧化锌纳米棒,获得基于氧化锌纳米棒的随机激光增益介质;用锌金属薄片表面均匀分散的纳米级的氧化锌纳米棒提供散射和光反馈,从而随机激光器获得激光输出;其输出的激光光谱采用光纤光谱仪探头进行探测。本实用新型其结构简单,具有成本低廉及环境友好的特点。
四川大学 2017-12-28
过氧化甲乙酮(MEKPO)连续合成工艺与装置
目前过氧化甲乙酮 (MEKPO) 的合成多在夹套换热式反应釜中进行。在生产过程中,受反应器移热速度限制,加料速度需严格控制。MEKPO是多种MEK过氧化产物的混合物,产物结构含-O-O-键,因此对热、摩擦、震动和撞击极为敏感,储存和运输也存在巨大的安全隐患。设计了过氧化甲乙酮连续合成装置,充分利用了微通道反应器比表面积大、换热能力强、混合性能好和停留时间精确可控等优点,避免了过氧化甲乙酮在制备、储存及运输过程中的不安全性。 该装置将原料混合、过氧化反应、产物分离、产品稀释 (以邻苯二甲酸二甲酯为溶剂) ,产品澄清 (以邻苯二甲酸二甲酯为澄清剂) 集成在一起,形成台式、可移动、能够实现连续、安全、按需和就地生产的高效过氧化甲乙酮连续合成装置。生产能力:10-1000吨/年;产品指标:活性氧>11%, MEK浓度<1%。 
华东理工大学 2021-04-13
液相氧化法同时脱硫脱硝技术研究
本课题具体研究内容包括不同氧化剂、不同喷嘴及布置方式对烟气脱硫脱硝除尘的效果的影响,对设备的腐蚀、磨损影响等;通过理论分析、数值仿真研究和实验研究的方法,开发出氧化法脱硫脱硝除尘技术工艺包,进行工艺示范,形成完整的技术路线。
南京工业大学 2021-01-12
氧化铝微粉的绿色可控表面改性
本项目通过复合改性剂的分子设计和控制有关反应参数,使表面改性后的氧化铝微粉在不同性质或组成的水性介质中有较为理想的相容性和分散稳定性。 特点: 1. 根据不同性质或组成的水性介质,设计和合成复合改性剂; 2. 控制有关反应参数,使氧化铝粉体的表面包覆率和表面改性效果可 控; 3. 剩余反应物、溶剂和复合改性剂均可回收和循环使用,整个氧化铝微粉的表面改性过程闭合循环,清洁环保。 专利 1:一种氧化铝磨料粉体的表面改性方法(20161011250.9) 专利 2:一种高水分散稳定性氧化铝粉体的资源化表面改性方法(201611166922.5)
江南大学 2021-04-13
二氧化硅晶体结构模型
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
二氧化硅晶体结构模型
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
PVC塑料氧化诱导期分析仪测试仪
产品详细介绍品牌:久滨型号:JB-DSC-500B名称:差示扫描量热仪一、产品概述:  DSC测量的是与材料内部热转变相关的温度、热流的关系,应用范围非常广,特别是材料的研发、性能检测与质量控制。材料的特性:如玻璃化转变温度。冷结晶、相转变、熔融、结晶、热稳定性、固化/交联、氧化诱导期等,都是DSC的研发领域。二、仪器符合国家标准:GB/T 19466.2 – 2004 / ISO 11357-2: 1999第2部分:玻璃化转变温度的测定;GB/T 19466.3 – 2004 / ISO 11357-3: 1999第3部分:熔融和结晶温度及热焓的测定;GB /T 19466.6- 2009/ISO 11357-3 :1999 第6部分氧化诱导期 氧化诱导时间(等温OIT)和氧化诱导温度(动要态OIT)的测定。三、技术参数:1、DSC量程:0~±500mW2、温度范围:室温~500℃   3、升温速率:0.1~80℃/min4、温度分辨率:0.01℃5、温度精度:±0.1℃6、温度重复性:±0.1℃7、DSC精度:±2%8、DSC分辨率:0.001mW9、DSC解析度:0.001mW10、控温方式:升温、恒温、降温、循环控温(全程序自动控制)11、曲线扫描:升温扫描12、气氛控制:气体质量流量计自动切换两路气体13、显示方式:24bit色,7寸LED触摸屏显示14、数据接口:USB标准接口,配套相应操作软件15、参数标准:配有标准校准物,带一键校准功能,用户可自行对温度进行校准16、工作电源:AC220V  50Hz/60Hz17、全封闭支架结构设计,防止物品掉入到炉体中、污染炉体,减少维修率四、应用实例:  测量与热量有关的物理、化学变化,如玻璃化转变温度、熔点。熔融温度、结晶与结晶热、相转变反应热,产品的热稳定性、固化/ 交联、氧化诱导期、反应动力学、比热等。
上海久滨仪器有限公司 2021-08-23
二氧化硫气体检测管
产品详细介绍 二氧化硫气体检测管 1、比长式气体检测管原理及使用方法原理CO、CO2、H2S、O2、SO2、NH3等检测管的基本测定原理为线性比色法,即被测气体通过检定管与指示胶发生有色反应,形成变色层(变色柱),变色层的长度与被测气体的浓度成正比。2、主要技术参数(见附表)3、附件(每盒)①胶管一段;Φ3×5,长度20cm②小砂轮一片4、贮运条件本品应避光保存于阴凉干燥处,严禁日光照射,保存温度不超过40℃,玻璃制品,小心轻放。5、使用方法各种检定管均可与CZY-50型气体检定管用圆筒型正压式采样器等配套使用。于测定现场用空气冲洗采样器后,取一定体积的现场空气,把检定管两端切开,用短胶管将检定管的下端(浓度标尺有“0”的一端)连接在采样器(检定器)的出气口上,按规定时间匀速通过检定管,然后按检定管变色柱(或变色环)上端指示的数字,直接读取被测气体的百分浓度。  各种气体检测管主要技术参数表
北京华博科技制造有限公司 2021-08-23
环境工程教学设备-硫氧化物治理设备
一、装置概述 PAA-Q型二氧化硫废气治理技术综合实验装置是根据高等教育的改革方向,顺应国家培养应用型高技能人才的战略思想,以前沿技术为导向,紧密结合二氧化硫实际处理工程的功能和特点,并针对高等院校对二氧化硫废气处理工艺应用和创新实验教学的实际需要而专门研制的综合性实验装置。本装置涉及放电等离子体技术、吸收技术、吸附技术以及智能程控技术等内容。装置工艺流程简洁、美观,可视化程度高,具有处理效率高、彻底、无二次污染等优点,非常适合大专院校的相关专业开展实验、实训、设计、创新创业训练等。 二、主要参数及指标 (1)处理负荷:<5000mg/L; (2)处理气量:<500L/min; (3)处理效率:≥99%; (4)装置净重:260kg; (5)外形尺寸:2000mm×700mm×1800mm; (6)供电电压:AC220V、50Hz; (7)运行功率:<3kW; (8)操作条件:常温、常压; (9)安全保护:具有漏电压、漏电流保护装置,安全符合国家标准。 三、主要配置及性能 采用自主知识产权的双介质阻挡放电等离子体反应器,放电均匀、稳定,二氧化硫转化率高。 高频高压电源采用两级控制,安全、可靠,输出频率和电压可调。 透明有机玻璃材质的吸收塔中填装PP多面空心填料,并配置有分布器和除雾器,气液传质好,可视化程度高。 多段蒸笼式撬装活性炭吸附塔,吸附效率高、活性炭更换方便,并配套活性炭再生设备,可延长活性炭使用寿命。 吸收液通过气液混合自吸泵输送,并采用自动和手动相结合的控制模式,灵活、方便。 采用电磁式增氧气泵作为二氧化硫的载气泵,气量大、稳定、噪音低。 催化臭氧分解器可将尾气中的残留的臭氧快速转化为氧气,不会产生二次污染; 在线二氧化硫气体浓度检测器测量精度2%、输出4-20MA,可接PLC控制器。 三菱FX3U系列PLC主机和模拟量输入输出模块完成设备运行控制,10英寸彩色触摸式液晶显示屏实时显示控制按键、装置运行状态及时间、pH、气压、二氧化硫浓度等重要参数。 所有设备模块化安装于304不锈钢材质的柜体中,柜体前后开设有视窗,顶部安装有可调速换气扇,底部配有禁锢万向脚轮。
科利尔(青岛)环境技术有限公司 2023-03-03
通信感知一体化氮化镓光电子集成芯片
研究背景 芯片是人类最伟大的发明之一,也是现代电子信息产业的基础和核心。小到手机、电脑、数码相机,大到6G、物联网、云计算均基于芯片技术的不断突破。半导体光刻工艺水平的发展是以芯片为核心的电子信息产业的基石,目前半导体光刻的制造工艺几乎是摩尔定律的物理极限。随着制造工艺的越来越小,芯片内晶体管单元已经接近分子尺度,半导体制作工艺的“瓶颈效应”越来越明显。随着全球化以及科技的高速发展,急剧增长的庞大数据量要求数据处理模型和算法结构不断优化升级,带来的结果就是对计算能力和系统功耗的要求不断提高。而目前智能电子设备大多存在传输瓶颈、功耗增加以及计算力瓶颈等现象,已越来越难以满足大数据时代对计算力与功耗的需求,因此提高运算速度同时降低运算功耗是目前信息工业界面临的紧要问题。 如当年集成电路开创信息时代一样,当下已经普及的光通信正在成为新革命力量的开路先锋。与此同时,光子芯片正在从分立式器件向集成光路演进,光子芯片向小型化、集成化的发展趋势已是必然。相对于电子驱动的集成电路,光子芯片有超高速率,超低功耗等特点,利用光信号进行数据获取、传输、计算、存储和显示的光子芯片,具有非常广阔的发展空间和巨大的潜能。 项目功能 本项目瞄准光通信关键技术及核心芯片,基于量子阱二极管发光探测共存现象,探索关键微纳制造技术,研制出可以同时实现通信、感知功能的一体化光电子芯片。 技术路线 一、技术原理及可行性 本项目主要负责人王永进教授发现如图1所示的量子阱二极管发光探测共存现象,首次研制出同质集成发射、传输、调制和接收器件的光电子芯片,这些原创工作引起了业界相关科研小组地广泛关注,化合物半导体同质集成光电子芯片成为研究热点。香港大学的蔡凯威小组和申请人合作提出湿法刻蚀和激光选择性剥离技术,在蓝宝石氮化物晶圆上实现LED基同质集成光电子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉国王科技大学Ooi教授和美国加州大学圣巴巴拉分校Nakamura教授小组在蓝宝石氮化物晶圆上,研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院苏州纳米所孙钱小组在硅衬底氮化物晶圆上,研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK调制方式下,InGaN/GaN量子阱二极管可实现Gbps的光发射、调制和探测速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。这些工作表明研发基于光子传输的化合物半导体同质集成光电子芯片以实现片上光子通信是可行的。   二、总体结构设计及工艺流程 本项目提出的同时通信/感知一体化光电子芯片基于常规的蓝宝石衬底氮化镓基多量子阱LED外延片进行设计,无需特殊定制的外延结构。以典型的2寸氮化镓基蓝光LED外延片为例,其外延片结构如图2所示,从下至上依次为蓝宝石衬底、AlGaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和P型GaN层,通过调节InGaN/GaN多量子阱层的参数(层厚度与In的比例等等)可制备具有不同中心波长的光源器件。   图3为本项目所提出的同时通信/感知一体化光电子芯片结构。在蓝宝石衬底的氮化物晶圆上通过刻蚀和沉积等一系列晶圆级微纳加工技术,制备出单片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N电极可以采用倒装技术直接与基板相连,光线从透明的蓝宝石衬底发出,这样不仅使得器件具有优良的电性能和热特性而且简化了其后期的封装工艺。 三、技术创新优势 1、同一块晶圆上集成LED和PD使得两者间距离大大缩短,不仅有助于增强PD对蓝宝石表面反射光线的耦合,提升感知系统性能,而且缩小了器件整体外形,符合集成电子器件小型化、便携化的发展趋势; 2、单片集成的LED和PD器件相比于传统异质的、分立的LED和PD简化了封装形式和工艺,不再需要对LED和PD进行单独的封装,而且同质集成器件的基板也较异质结构的简单统一,极大地缩短了集成系统的制作周期; 3、同时通信/感知一体化光电子芯片采用相同的工艺就可以制作出LED和PD,简化了生长异质材料的复杂性,缩短了器件流片的周期,使用同一工艺就可将LED和PD进行批量生产,有效地降低了生产成本。 四、实验验证 本项目团队所在的Peter Grünberg研究中心拥有完整的LED器件制备、光电性能测试与电学性能测试平台,并且项目成员积累了丰富的测试技术与经验,能够满足本项目的同时通信/感知一体化光电子芯片测试同时表征光电参数与电学参数的需求。下图4所示为器件形貌表征图,从左边依次是扫描电镜图、光镜图、原子力显微镜图。   基于通信感知一体化芯片,本项目利用单个多功能集成器件成功实现了对人体脉搏的监测功能,如图5所示。   另外基于通信感知一体化氮化镓光电子芯片,我们还实现了照明、成像和探测功能为一体的LED阵列系统,如图6所示。该系统可以在点亮照明的同时,实现对外界光信号的探测与感知,通过后端系统处理后,再将信息通过阵列显示出来,实现多种功能的集成。 项目负责人王永进教授是国家自然基金委优秀青年项目、国家973项目获得者,他以第一或通讯作者身份在Light-Sci Appl.等主流学术期刊发表一系列高质量研究论文,获授权中国发明专利23项,美国发明专利2项,被National Science Review、Semiconductor Today等做9次专题报道,荣获2019年中国电子学会科学技术奖(自然科学)、2019年南京市十大重大原创成果奖等。
南京邮电大学 2021-05-11
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