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一种β,β-二芳基烯的合成方法
本发明公开了一种β,β-二芳基烯的合成方法,在有机酸溶剂中,在钯催化剂和银盐的存在下,卤代芳烃与末端烯基化合物经偶联反应得到β,β-二芳基烯;其中,有机酸溶剂为醋酸,钯催化剂为醋酸钯,银盐为醋酸银、碳酸银或氧化银,卤代芳烃为碘代芳烃,偶联反应的反应温度为80～130℃,反应时间为0.25～24小时。采用本方法,以对环境友好的有机酸作为溶剂,并以银盐为添加剂,具有催化剂用量少,无需添加其他配体,反应条件简单温和,后处理简单,产物收率高等优点。
浙江大学
2021-04-11
一种高楼二次供水系统
一种高楼二次供水系统，其包括水位传感器、A/D转换器、主机控制芯片、从机控制芯片、继电器控制电路、电机、LED驱动电路、LED显示器；所述水位传感器采集含有水位数据的电信号并发送至所述A/D转换器，所述A/D转换器将所述电信号转换为水位数字信号发送至所述主机控制芯片；所述主机控制芯片将所述水位数字信号通过RS485传输至所述从机控制芯片，所述从机控制芯片接收所述水位数字信号并控制所述继电器控制电路接通或断开所述电机；所述主机控制芯片将所述水位数字信号发送至所述LED驱动电路，所述LED驱动电路接受所
安徽建筑大学
2021-01-12
一种薄型电动二维精密平台
本实用新型公开了一种薄型电动二维精密平台，包括上平台、下平台以及联接安装在两者之间且整体呈平板结构的中间连接件，其中中间连接件的上表面与上平台底座表面相互平行，并在两者之间保持间隙用于储存润滑介质；该上表面的两侧还分别设置有沿着 X 轴方向分布的导轨副，同时通过设置在外侧凹陷区域的 X 向电机和第一精密螺纹丝杆传动单元，使上平台沿着导轨副在 X 轴方向上移动。该中间连接件的下表面结构与上表面相类似。通过本实用新型，能够在显著减少平台整体厚度的情况下，在 X 轴和 Y 轴两个运动方向上实现高精度和较大
华中科技大学
2021-04-14
一种水平二自由度隔振机构
本发明提供一种水平二自由度隔振机构，包括一连接板，连接板中心插有活塞杆，圆盘的沿周均匀安放有四个磁浮单元。利用磁铁(包括电磁铁和永磁体)的同极相斥产生的正刚度特性，以及磁铁异极相吸产生的负刚度特性，将磁浮单元设计为正负刚度并联的水平二自由度隔振系统。由于正负刚度并联使刚度相互抵消，因此，该水平二自由度隔振机构拥有接近零的固有刚度，从而实现超低频水平隔振。
华中科技大学
2021-04-14
一种用二苯胺催化制备咔唑的方法
目前，咔唑在工业上是从煤焦油中提取。国内生产咔唑的方法是以粗蒽为原料，方法是硫酸萃取，形成硫酸咔唑盐溶液，然后用氨水反冲析出咔唑，参见：燃料与化工 2013，44（6）37-40。该方法在一定程度上易产生大量工业废水。 中国发明专利申请 CN 101993411A 公开一种合成咔唑的方法，该方法是用邻氨基联苯闭环脱氢，所用原料是氨或氯苯。这种方法的优点是原料易得，但其缺点是无市场竞争力，因为：(1) 合成路线长，反应步骤多。每步反应都需要复杂的前处理和后处理，分离
兰州大学
2021-04-14
制备出一系列二维TMDs材料
二维层状过渡金属二硫属化物(TMDs)因其独特的电子、机械和化学性质而备受科研人员的关注。在第二项发表的研究中，研究团队制备出一系列二维TMDs材料（MoS 2
南方科技大学
2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用
本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中，借助常见 的可与硫族单质(S，Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中 S 或 Se 的浓度，以达到控制过渡金属层硫化 或硒化程度的目的，利用化学气相沉积方法可控地生长 TMDs 单晶;将沉积时的温度控制为 750°C至 850°C，并且沉积时间控制为 5 至 15 分钟，完成 TMDs
武汉大学
2021-04-14
师生办事线上线下一体平台
【师生办事线上线下一体化平台】集线上:可信应用服务（可信电子凭证/电子证照应用、在线签署应用、电子签章集成应用、可信身份核验）、线下：智能服务系统、支撑：电子签章系统、一体化智能管理为一体，赋能高校师生办事服务线上线下一体化应用。
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二、平台核心能力
广东正脉科技股份有限公司
2026-05-14