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一种高磁导率低损耗金属软磁复合材料及其制备方法
本发明公开了一种高磁导率低损耗的金属软磁复合材料及其制备方法。该软磁复合材料的组成以原子比表示满足下式:Fe100-x-y-zSixPyMz,其中M选自Cr、V、Al、Mn中的一种或多种,下标x、y、z表示相应合金元素的原子百分比,满足以下条件:2≤x≤15,0≤y≤5,0<z≤5。所制得的金属软磁复合材料具有高磁导率、低损耗,且工艺简单,利于成型,并具有一定的成本优势。
浙江大学 2021-04-11
一种高熵合金颗粒增强铝基复合材料及其制备方法
一种高熵合金颗粒增强铝基复合材料及其制备方法,属于复合 材料制备领域,解决现有金属基增强相所存在的自身脆性以及烧结温 度受限,影响材料致密化,难以实现复合材料强度和塑性同时提高的 问题。本发明的铝基复合材料,由基体相与增强相通过球磨混合及烧 结成型构成,基体相铝和增强相高熵合金颗粒 AlCoCrFeNiTi0.5 的体 积比为 1∶4~1∶9。所述高熵合金颗粒增强铝基复合材料的制备方法, 包括制备高熵合金铸锭步骤、制备高熵合金粉末步骤、制备复合粉末 步骤和烧结成型步骤。本发明工艺简单、能耗和成本均比较低、易于 在生产中实现,所制备的高熵合金颗粒增强铝基复合材料的拉伸强度 提高了 32.4~90.1%,延伸率提高了 29.6~52.0%,提高了铝基复合材 料的综合性能。
华中科技大学 2021-04-13
一种碳纳米结构修饰片状有序介孔碳材料及其制备方法
本发明公开了一种碳纳米结构修饰片状有序介孔碳材料及其制备方法。本发明的方法包括步骤:(1)制作前驱体溶液:以无水乙醇为溶剂,可溶性酚醛树脂为第一组分,三嵌段共聚物为第二组分,按比例混合形成均匀的前驱体溶液。(2)选用草酸钾作为基质,将其固体粉末堆积到反应器中,按比例加入前驱体溶液,利用乙醇的蒸发获得复合材料,将获得的复合材料经历低温热交联、高温分段焙
东南大学 2021-04-14
一种高速铁路无砟轨道结构修补用超早强注浆材料
本发明公开了一种高速铁路无砟轨道结构修补用超早强注浆材料,依次加入水、聚合物乳液、减水剂、流变助剂、消泡剂;再加入掺合料、水泥、膨胀剂、促凝剂、缓凝剂经高速搅拌混合而成。组分重量份为:超细水泥:100份,掺合料:50~150份,可再分散乳胶粉25~50份,聚合物乳液3~10份,膨胀剂:5~25份,羧酸减水剂:0.1~1.0份,促凝剂:0.1~10份,缓凝剂:0.1~5份,流变助剂:0.001~0.005份,聚醚-硅氧烷共聚物消泡剂:0.001份,水:20~70份。本发明材料具有低粘度、超早强、低成本、耐疲劳、耐老化、耐水侵蚀等优点,可用于高速铁路无砟轨道混凝土裂缝、水泥沥青砂浆充填层离缝、裂缝及伤损的修补。
西南交通大学 2016-10-20
一种轻质堇青石-莫来石复合陶瓷材料及其制备方法
一种轻质堇青石-莫来石复合陶瓷材料及其制备方法。其方案是:以20——70wt%水铝石、10——30wt%无定型二氧化硅、5——30wt%滑石粉和10——40wt%黏土为原料,外加原料3——10wt%水,搅拌,成型,干燥,1250——1350℃条件下保温2——6小时,制得多孔堇青石-莫来石复合材料。然后以该复合材料的粒度为2——1mm和1——0.088m的颗粒为骨料,以粒度小于0.088m的粉体为基质,外加糊精和水,混匀,成型,干燥,1250——1350℃条件下保温2——6小时,制得轻质堇青石-莫来石复合陶瓷材料。本发明具有成本低、环境友好、节能环保以及化学成分可控的特点,其制品体积密度小、物相成分和气孔孔径分布均匀、常温力学性能优良、高温性能较好和抗热震性能较高。 (注:本项目发布于2014年)
武汉科技大学 2021-01-12
一种改性花生壳生物炭/聚合氯化铝污泥复合吸附材料
该吸附材料以有机农业固废花生壳和给水厂污泥作为原料,制备出兼具高效吸附水中有机污染物和磷的新型复合吸附材料,既有改性生物炭的吸附作用,又具有聚合氯化铝污泥的除磷能力,特别是对含染料废水及污水深度除磷有良好的去除效果,原料来源广泛,制备成本低廉,达到以废治废的目的,高效、环保、低成本,开拓了花生壳和给水污泥资源化利用的新途径。
南京工业大学 2021-01-12
一种氮掺杂多孔碳材料固体吸附剂及其制备和应用
本发明涉及一种氮掺杂多孔碳材料固体吸附剂及其制备和应用。具体步骤如下:先在碱改性的乙醇溶液中加入盐酸多巴胺,磁力搅拌后滴加丙酮静置沉降;然后离心收集沉淀物,真空干燥后冷冻干燥得到PDA;接着将PDA与氢氧化钾颗粒混合研磨成粉末状在惰性气体下高温煅烧,冷却至室温后酸洗;最后使用去离子水将产物洗涤至中性,真空干燥得到氮掺杂多孔碳材料固体吸附剂(PDACK)。本发明的吸附剂可高效吸附废水中的环丙沙星(CIP),且吸附容量大、速率快、稳定性强,方便回收,可重复利用率高。
南京工业大学 2021-01-12
二维反铁材料MnPS3中磁振子输运的实验进展
近年来,磁振子电子学在信息计算和信息传输领域表现出了极具价值的应用潜力。磁振子电子学利用以磁振子为载体的电子自旋进动来实现信息处理,有望实现无热量产生、低耗散的信息传输,相比于传统意义上通过操纵电荷来实现信息的处理的微电子学具有无可比拟的巨大优势。磁振子电子学领域的进展很大程度上依赖于能够有效传输磁振子的新材料的发现,而获得长距离的磁振子输运始终是磁振子电子学研究的重中之重。与通常的三维磁性绝缘体(如Yttrium Iron Garnet)相比,二维尺度下的磁振子被理论预言有很多的新颖物理效应,例如自旋能斯特效应,拓扑磁振子,以及外尔磁振子等。 在最新的研究文章中,量子材料科学中心韩伟课题组在二维磁性体系中展开工作并取得了重要进展,观测到了二维反铁磁体系中磁振子的长距离输运。MnPS3晶体是一种层状反铁磁材料,利用机械剥离手段得到了二维的MnPS3薄片。MnPS3薄片上制备了用于测量磁振子输运的非局域器件,器件结构如图A所示。器件左侧Pt电极通过热方法来注入磁振子,右侧Pt电极探测在二维MnPS3中扩散传输的磁振子。在二维反铁磁MnPS3中,实验上观测到了几微米的磁振子扩散长度。并且从图B中可以看出,随着注入端和探测端距离的增加,探测到的非局域信号表现出e指数衰减的形式,跟一维漂移扩散模型的理论模型一致。在此基础上,他们还系统研究了MnPS3厚度对磁振子弛豫性质的影响。随着MnPS3厚度从40nm降低至8nm,磁振子弛豫长度由4μm减小到1μm(图C),这可能是由较薄的MnPS3中较强的表面杂质散射效应导致的。 该文章中的结果具有重要的学术价值:二维材料中的磁振子输运实现为二维磁性材料在磁振子电子学的应用与发展奠定了基础,也有望推动磁振子在量子尺度下的新颖量子物理性质研究。图:二维反铁磁体系中磁振子输运研究。(A)二维反铁磁MnPS3中的磁振子输运测量结构示意图。(B)自旋信号R_NL^*随电极间距的依赖关系,与理论预言的e指数衰减吻合。(C)磁振子弛豫长度随MnPS3厚度的依赖关系。 该工作于2019年2月7日在线发表于物理学术期刊Physical Review X上(Phys. Rev. X 9, 011026 (2019) )。 DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.9.011026。该工作由韩伟研究员设计和指导完成,北京大学量子材料科学中心2015级博士生邢文宇为文章第一作者,物理学院2015级本科生邱露颐为第二作者(今年9月份将去哈佛大学读博士),韩伟研究员为文章通讯作者。本工作的顺利完成得到了量子材料科学中心贾爽教授和谢心澄院士的合作帮助,以及国家重大科学研究计划、国家自然科学基金、中国科学院战略性先导科技专项的支持。
北京大学 2021-04-11
层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路
通过溶剂热方法,成功制备出一种层间距宽化并富有缺陷的1T-VS 2 纳米片,展现出优异的电催化析氢性能。由于有机溶剂分子以及在反应过程中产生的铵离子等的插层作用,该溶剂热法制备出的VS 2 纳米片层间距宽化至1.0 nm,比块体VS 2 材料的层间距(0.575 nm)增加了74%。层间距的宽化引起晶格的畸变而引入众多的缺陷,丰富的缺陷赋予VS 2 纳米片更多的活性位点,层间距的宽化还进一步改变了VS 2 材料的电子结构,从而使得该VS 2 纳米片具有更加优化的氢吸附自由能(∆ G H )。HER测试结果表明,该VS 2 纳米片呈现出优异的电催化性能,具有较小的塔菲尔斜率(36 mV dec −1 )、具有较低的过电位(-43 mV@10 mA cm −2 )和良好的稳定性(60 h)。此外,通过第一性原理计算的结果表明,层间距宽化的VS 2 具有更优化的∆ G H (-0.044 eV),媲美贵金属Pt(如图3 ). 。并且,层间距的宽化可以降低缺陷形成能,使材料更易形成缺陷。这里,理论计算结果和实验相一致,较好地证明了通过层间距和缺陷的精细调控,可以有效提升二维材料的电催化析氢反应活性, 揭示了层间距和缺陷结构调控对提升电催化析氢的基本原理。此项研究工作为层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路,为开发高性能电催化析氢材料研究打开了一扇新窗户。
南方科技大学 2021-04-13
基于二维半导体材料的电荷超注入存储器及其制备方法
本发明属于半导体存储器技术领域,具体为一种基于二维半导体材料的电荷超注入存储器及其制备方法。本发明通过存储叠层能带设计,在实现闪存的非易失性存储特性;通过横向电场设计以及器件的仿真模拟设计,利用二维半导体材料的原子级薄层特性,显著增强最大横向电场从而提升电荷的注入效率,实现存储器中电荷的超注入机制,进而实现闪存的亚纳秒编程。本发明存储器在维持十年数据保持能力的同时,大幅提升了电荷注入效率,将编程速度提升至亚纳秒,为解决电荷存储领域超快编程和长保持时间无法共存的重大挑战提供新的解决方案。
复旦大学 2021-01-12
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