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一种三维像素超分辨显微成像方法
一种三维像素超分辨显微成像方法，其特征在于，沿与图像采 集装置传感器平面水平方向 x、竖直方向 y 和显微镜的 z 轴方向各均成 非直角空间偏转角的空间矢量扫描样品，以能够使每两张相邻的图像 切片之间沿着 x,y,z 方向均有亚像素位移的步长进行扫描，通过图像采 集装置采集得到原始三维图像序列 A，将原始图像序列 A 根据无损采 样原则分割成多组三维图像序列 Bi，对 Bi 进行超分辨处理，生成三维 高分辨图像 E，
华中科技大学
2021-04-14
一种全参数化三维杆塔建模方法
本发明公开了一种全参数化三维输电线路杆塔的建模方法，该 方法基于杆塔类型抽象出构成杆塔的所有节点，并进行编号，利用与 杆塔工程参数相关的函数表达式描述每个节点的三维坐标，然后通过 节点配对的形式描述每根钢材的三维空间位置，实现三维杆塔模型的 创建。按照本发明的建模方法，输入不同杆塔工程参数，杆塔三维模 型自动调整，极大降低了杆塔三维模型建模的工作量和修改的工作量， 提高了三维模型的建模效率和准确度。
华中科技大学
2021-04-14
一种三维量子阱结构光电裸芯片
一种三维量子阱结构光电裸芯片，属于一种量子阱结构光电裸芯片，解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括：衬底层、缓冲层、n 型层、量子阱层、p 型层，所述衬底层、缓冲层、n 型层、量子阱层和 p 型层表面形状走向一致，均为均匀分布的凸台阵列或者均匀分布的凹槽阵列，或者均匀分布的相间的凸台和凹槽所构成的阵列。本实用新型增大了衬底层工作面积，在其上直接生长一层缓冲层来进行应力与晶格匹配，克服了工作面积与衬底面积之比较低所带来的量子转换效率低的问题；本实用
华中科技大学
2021-04-14
一种三维激光扫描装置控制系统
本发明公开了一种三维激光扫描装置的控制系统，包括激光测距模块、电源模块、处理器模块、电机驱动及细分模块、机械旋转及扫描机构、角度反馈模块、网络传输模块与上位机。本控制系统集激光扫描控制、数据传输、数据可视化等功能于一体，能够操控三维激光扫描装置准确地获得空间的三维场景信息，进而真实立体地重现物理场景，同时实现了扫描装置下位机与上位机的互动，操作人员可通过上位机向扫描装置下位机发送控制命令设置扫描分辨率和扫描模式
华中科技大学
2021-04-14
一种三维电解废水处理装置
项目简介 本成果是一种三维电解废水处理装置，包括曝气过滤系统，填料电极系统上下两部 分组成，曝气过滤系统使废水充分充氧过滤；填料电极系统可进一步氧化废水，从而达 到降解废水中污染物的目的；是一种成本低，装置简单，净化效率高的废水处理装置。 性能指标 （1）结构简单，由于本成果仅仅涉及曝气过滤装置和填料电极，结构简单，可以根 据废水量设计装置大小，不受水量大小限制；（2）运行成本低，由于整个系
江苏大学
2021-04-14
石墨烯-橡胶复合材料
石墨烯橡胶复合材料的制备是一个挑战性的国际难题，采用常规方法难以制备。四川大学在国际上首次提出胶乳混合和原位还原的方法制备石墨烯橡胶纳米复合材料。解决了石墨烯的剥离和均匀分散难题，材料的机械强度、导电、阻隔等综合性能大幅度提高。提出了材料增强、阻隔、耐疲劳机理。研究工作被国际权威专家评价“他们的发现阐明了石墨烯用于天然橡胶增强的巨大潜力”。
四川大学
2021-04-11
一种石墨烯复合膜片上电感
本发明公开了一种石墨烯复合膜片上电感，属于微电子器件技术领域。本发明中，位于衬底上方的 片上电感采用石墨烯复合膜作为电感线圈材料，石墨烯复合膜由石墨烯层、绝缘介质层、金属导电层依 次叠加组成。其中，石墨烯层和金属导电层共同组成片上电感的导电通道，有利于降低电感电阻值，提 高电感品质因数；绝缘介质层位于石墨烯层与金属导电层之间，对石墨烯层和金属导电层主体进行隔离 以降低金属导电层对石墨烯中电子输运的干扰，使石墨烯提供大动态电感，大幅增加片上电感电
武汉大学
2021-04-14
一种石墨烯微型流量传感器
本实用新型公开了一种石墨烯微型流量传感器，属于 MEMS 器件，用于气流流量测量，解决现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。本实用新型之石墨烯微型流量传感器，衬底上具有凹槽，凹槽上架有隔热层，隔热层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有电极。本实用新型的另一种微型流量传感器，衬底上具有凹槽，凹槽上架有隔热层，隔热层上覆盖有绝缘层，绝缘层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极。本实用新型体积小、重量轻而且性能稳定，能有效降低衬底传热导致的测量误差，通过测量通入气体前后加热体的电阻差值
华中科技大学
2021-04-14
一种石墨烯光阴极及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯光阴极及其制备方法；该石墨烯光阴极由光阴极底座、衬底层、碘化铯薄膜、金膜组成；该石墨烯光阴极的制备方法具体包括如下步骤：S1：采用化学气相沉积法在一定厚度的镍片上生长石墨烯；S2：利用腐蚀液溶解制备石墨烯后的镍片，留下石墨烯；S3：将石墨烯平铺至光阴极底座；S4：利用真空蒸镀法向第 3 步得到的光阴极底座蒸镀一层碘化铯薄膜；S5：利用磁控溅射法向第 4 步得到的光阴极底座溅射一层金膜制得石墨烯光阴极。由于石墨烯具有优越的导电性、超高的透光率、良好的光电转换效应以及较强的机械强度
华中科技大学
2021-04-14
一种石墨烯图形化掺杂方法
本发明公开了一种石墨烯图形化掺杂方法，包括如下步骤：（1） 将氦气与掺杂气体混合作为工作气体导入等离子体发生装置中，施加 高压脉冲电压，在工作气体中放电产生室温常压等离子体，将形成的 等离子体由引导管的喷嘴导出，形成微等离子体射流；（2）将喷嘴对 准石墨烯薄膜的指定位置，用微等离子体射流对石墨烯薄膜进行辐照， 将工作气体的活性原子掺入到被辐照的区域，在二维平面内移动微等 离子体射流或石墨烯薄膜，实现对石墨烯的图形化掺杂。该方法可有 效地将杂质原子掺入到石墨烯的骨架位置上，且不会对石墨烯的原本 结构产生破坏，掺杂过程简单易行，设备成本低廉，可实现大规模生 产。
华中科技大学
2021-04-13