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一种电容缓冲式混合高压直流断路器及其控制方法
本发明公开了一种电容缓冲式混合高压直流断路器及其控制方 法，该断路器包括机械开关单元、电流转换单元、电容缓冲单元和机 械开关供能单元。机械开关单元由至少一个机械开关子单元串联构成， 机械开关子单元由机械开关、均压模块和吸能限压模块并联构成；电 流转换单元由电力电子开关模块和限压模块并联构成，电力电子开关 模块包括至少一个电力电子器件；电容缓冲单元由电容器组构成，为 故障电流提供换流缓冲支路；机械开关供能单元为机械开关提供电能， 保证其动作的快速性和协同性。本发明提供的电容缓冲式混合高压直 流断路器及
华中科技大学
2021-04-14
一种计算复杂度感知的视频解码宏块级并行调度方法
本发明公开了一种计算复杂度感知的视频解码宏块级并行调度 方法，包含两项关键技术：一是根据熵解码和重排序之后的宏块信息， 如非零系数个数、宏块帧间预测编码类型、运动矢量等，建立宏块解 码复杂度预测线性模型，对每个模块进行复杂度分析，充分利用已知 的宏块信息，提高并行效率；二是在满足宏块解码依赖的前提下，将 宏块解码复杂度与计算并行相结合，对已获取的宏块复杂度进行排序， ·945·根据排序结果对宏块进行分组并发执行，分组
华中科技大学
2021-04-14
一种模块化多电平换流器功率运行区间的获取方法
本发明公开了一种模块化多电平换流器功率运行区间的获取方 法，包括下述步骤：(1)根据已知的模块化多电平换流器的基本参数， 建立旋转坐标系下模块化多电平换流器的稳态数学解析模型；(2)确定 要考虑的运行约束条件；(3)根据稳态数学解析模型计算各约束条件下 功率运行区间；(4)将各约束条件下的功率运行区间取交集，获得考虑 多重运行约束条件下模块化多电平换流器的功率运行区间。本发明考 虑的运行约束条件，通过建立一套旋转坐标系下模块化多电平换流器 的稳态数学解析模型，并通过取交集得到考虑多重约束条件下的功率
华中科技大学
2021-04-14
一种具有高传输效率可快速连续调节能量的降能器
本发明公开了一种具有高传输效率可快速连续调节能量的降能 器，包括碳化硼能量粗调单元、石墨能量精调单元、束流准直器组、 运动控制模块、真空模块；碳化硼能量粗调单元实现能量的初级步进 调节，提高了束流传输效率；石墨能量精调单元可实现束流能量的连 续精准调节；准直器组可对束流发射度进行有效抑制，通过改变孔径 实现了发射度的选择；运动控制模块可分别对碳化硼和石墨能量调节 单元进行快速运动控制，保证了能量的快速调节；真空模块创造并维 持了真空环境。本发明的降能器可以实现束流能量的高传输效率、快 速、连续调节，
华中科技大学
2021-04-14
一种回旋加速器等时性磁场垫补方法及系统
本发明公开了一种回旋加速器等时性磁场垫补方法及系统。首 先通过有限元建模与计算得出回旋加速器磁极不同半径处单位边缘切 削面积磁场沿径向改变量，利用若干组改变量计算出表征切削向量同 整体磁场改变量的相关矩阵。在对加工的主磁铁进行测磁后，根据等 时场偏差和相关矩阵可逆向计算出所需要切削的边缘沿半径分布向 量，在通过插值得到连续加工坐标后，利用数控机床对磁极边缘进行 加工。本发明所提供的磁场垫补方法考虑了垫补过程中径向边缘场效 应，同时结合了有限元计算与实际测磁结果，具有可预测、高精度特 点，并基于相关矩
华中科技大学
2021-04-14
一种用于流水作业的高压电脉冲破碎反应槽
本发明公开了一种利用高压电脉冲水中放电破碎多晶硅棒的反 应槽，包括导向固定筒、筛选筛、电极结构、水槽以及传送带。电极 结构包括电极架板、电极杆以及电极头，电极架板上开有调整槽，可 以保证电极间距和电极高度可调，能满足破碎不同直径硅棒的需要。 电极杆上包有绝缘层，防止电极杆之间发生放电和泄露电流造成的能 量损失。电极材料采用不锈钢材料，能保证破碎用电极所需要的电流 耐受能力和机械强度，同时放电对电极造成的损耗也较小。筛选开有比预期破碎多晶硅块略大的孔，以便破碎后的成品露出，由传送 带传送至下一级。&n
华中科技大学
2021-04-14
一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法及其产品
本发明公开了一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法，包括：（a）在基片的一个表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生长绝缘层、阻挡层和种子层；（c）向种子层表面上涂布光刻胶并填平盲孔，然后执行曝光及显影处理，以使光刻胶仅在盲孔底部的种子层表面上残留；（d）去除未覆盖光刻胶的种子层，而盲孔底部的种子层不受影响；（e）去除残留的光刻胶；（f）向盲孔中填充导电材料完成自底向上的生长；（g）减薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互联过程。本发明还公开了相应的通孔互联结构产品。通过本发明
华中科技大学
2021-04-14
一种多轴联动砂带磨削加工中的进退刀路规划方法
本发明公开了一种砂带磨削加工的进退刀轨迹规划方法，包括：确定初始进刀路径和退刀路径；确定优化的进刀路径和退刀路径，即将初始进刀路径中沿其最后一个刀触点依次到初始切削位置，然后再所形成的路径作为优化的进刀路径，将初始退刀路径中从其中的第一个刀触点开始依次沿后续刀触点至切削结束位置，然后再反向形成的路径作为优化的退刀路径；确定优化的进刀路径和退刀路径上各刀触点处对应的刀具浮动高度；根据上述优化的进刀路径和退刀路径及各自对应的浮动高度，即可确定优化的砂带磨削加工中的进刀轨迹和退刀轨迹。本发明的方法可以有效
华中科技大学
2021-04-14
一种双三唑并五苯醌类化合物及其制备方法
取代的并五苯醌 LUMO 轨道能量低，具有 N 型半导体的性质。如四氟取代的并五苯醌及双噻二唑并五苯醌等都具有较高的电子迁移率。但这些并五苯醌类化合物在溶剂中的溶解度极差，给器件加工带来了很大的不便。 本发明提供了一种性能优良且能溶解在有机溶剂中 N 型有机半导体材料及其合成方法。其能通过溶液加工的方法制成半导体器件。本发明所要解决的技术针对现有技术中的并五苯醌类有机 N 型半导体材料溶解度差而提供一种用于制作半导体器件且能溶解在有机溶剂中的双三唑并五苯醌类化合物
兰州大学
2021-04-14
一种高硫代度红芪多糖硫酸酯的制备方法及其应用
红芪多糖硫酸酯（SHG）是一种由传统中药红芪（Hedysarum polybotrys Hand.-Mazz）中提取分离出的天然低硫代度的葡聚糖硫酸 酯，其结构是由 α-D（1-4）吡喃葡萄糖构成主链；每隔 8 个糖残基在 O-6 位上有一个非还原末端分支；每隔 38 个糖残基 O-6 位上有一个 硫酸基。SHG 已获发明专利，专利名称：红芪多糖中的硫酸酯葡聚 糖及其制备方法和应用，专利号：ZL 201110203348.7。
兰州大学
2021-04-14