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一种固态存储设备的地址分配方法
本发明公开了一种固态存储设备的地址分配方法，适用于基于 闪存的多通道固态存储设备，属于固态存储领域，解决现有的分配策 略中存在的读写请求冲突问题。解决在读写请求混合的工作负载中， 请求的响应时间变长的问题。本发明方法包括通道权值的分配，物理 地址分配以及冲突预测避免机制。本发明为读、写请求以及垃圾回收 操作分配不同的权值，权值可以根据用户的需求调整，以适应不同的 读写性能要求，充分利用固态存储设备内部的并行性，并根据
华中科技大学
2021-04-14
一种基于遗传算法的矩形检测方法
本发明的涉及一种对图像中矩形进行检测的方法。本发明旨在 寻找图像中矩形的最佳四个顶点集合，首先对图像进行边缘检测，获 得由图像中所有边缘点组成的集合即边缘空间，然后用四个边缘点表 示一个矩形个体，简称为个体，通过计算四个边缘点之间连线的存在 性和夹角接近直角的程度来计算个体的适应度，选择适用度高的个体 进行交叉和变异操作来产生新一代的个体。通过多次选择、交叉和变 异操作最终找到组成矩形四个顶点的最佳集合。该方法基于遗
华中科技大学
2021-04-14
一种面向云存储的数据分类加密方法
一种面向云存储的数据分类加密方法，属于计算机存储安全领 域，解决现有数据加密方法不识别数据内容，对所有数据采用单一加 密算法，导致存在的计算量大，效率低下的问题。本发明顺序包括： (1)构建安全特征库步骤、(2)数据分类步骤、(3)数据按类加密步骤和(4) 数据存储步骤。本发明只对涉及隐私需要高安全保护的那部分数据采 用高安全性的加密算法，而对于占大部分的一般数据采用安全性较低、 计算复杂度较低的加密算法，在对隐私数
华中科技大学
2021-04-14
一种软件定义的固态盘融合存储方法
本发明公开了一种软件定义的固态盘融合存储方法，在主机端 增加主机端融合存储层 HFSL（Host-Fusion-Storage-Layer），直接获取 固态盘的物理块特性以及使用过程中的统计信息，结合上层数据访问 特点进行固态盘的复杂 IO 调度及管理，以及分配粒度可变的地址映射 方 法 实 现 固 态 盘 持 久 化 的 高 性 能 。 本 发 明 在 主 机 端 实 现 对 NAND-FLASH 的性能优化以及 PCM 与 N
华中科技大学
2021-04-14
一种离散刀具轨迹的曲线拟合方法
本发明公开了一种离散刀具轨迹的曲线拟合方法，首先根据离 散刀具轨迹建立拟合曲线，其次通过采样点将所述拟合曲线划分为多 个采样区间，并通过计算多个采样区间内的最大弦高差，以及离散刀 具轨迹到拟合曲线的距离，从而判断所述拟合曲线的最大弦高差是否 超过加工系统的弦高差阈值，以及所述拟合曲线的光顺性是否满足加 工系统的要求，然后根据检测结果对拟合曲线进行调整，最终建立具 有满足加工系统误差以及光顺性要求的轨迹曲线。通过本发明，能高 效率地全面检测拟合曲线上超过加工系统的误差阈值的区间，从而使 得离散刀具轨迹
华中科技大学
2021-04-14
一种测边前方交会测点的方法
本发明旨在提出一种新的测边前方交会测点的方法，通过最小二乘计算未知点的坐标，其有益效果 是：1）当已知点相距较近时，其连线方位角的误差不会传递给未知点；2）对边长观测值进行合理定权， 并采用最小二乘进行解算，必要时进行迭代，便于编程实现，能获得未知点坐标的最优解；3）能同时 获得未知点的高程。
武汉大学
2021-04-14
一种多并网逆变器系统的动态等值方法
本发明属于电力电子领域，涉及一种多并网逆变器系统的动态等值方法，包括分群和参数聚合两个 步骤：定义相异度判定各逆变器动态导纳之间的差别，将动态导纳差别较小的逆变器分为同一个群；对 同一个群内的逆变器进行参数聚合，包括结构参数聚合与控制参数聚合两部分。本发明将多台具有相似 动态特性的逆变器等值为一台，在保留逆变器动态特征的同时，有效地降低了含大量逆变器的电力系统 分析的复杂程度，节省了计算资源，具有重要的工程应用价值。
武汉大学
2021-04-14
一种用于岩基开挖的轮廓爆破方法
本发明公开了一种用于岩基开挖的轮廓爆破方法，适用于水利水电、铁道、城市建设等工程领域的 爆破开挖工程。利用有较高粘结强度的堵塞材料加强轮廓爆破孔堵塞物的作用效果，并且导爆索不穿过 堵塞段，同时采用雷管引爆轮廓孔内的导爆索与炸药，从而大幅延长爆生气体在孔内的作用时间，实现 装药量是常规装药量 1/3~1/2 的前提下达到相同的轮廓面开挖效果;减小爆破振动;降低保留岩体的损 伤。该
武汉大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14
一种 Ag 基电触头的制造方法
本发明公开了一种 Ag 基电触头的制造方法，利用激光选区熔化 法 ， 首 先 使 用 4 × 10<sup>5</sup>W/m<sup>2</sup> ～ 10 × 10<sup>5</sup>W/m<sup>2</sup>的激光，在触桥表面预制 20μm～50 μm 的 Ag2O 过渡层，再在过渡层表面打印出 Ag 基电触头三维结构。 本发明利用
华中科技大学
2021-04-14