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一种 3D 音频空间参数全方位非均匀量化编码系统及方法
本发明提供一种 3D 音频空间参数全方位非均匀量化编码系统及方法，包括基于双声道输入信号进 行预处理、声道信号下混、下混信号量化编码；按子带提取空间参数，所述空间参数为声道间强度差异 参数 ICLD；根据全方位角度 JND 得到全方位角度量化表；根据输入的扬声器的空间位置信息，建立在 两扬声器所夹区域之间所形成虚拟声像的方位角与空间参数的映射表，从全方位角度量化表映射得到空 间参数量化表；进行空间参数全方位的非均匀量化压缩编码，对输入的扬声器空
武汉大学
2021-04-14
一种动目标多维度多尺度红外光谱特征测量方法及系统
本发明公开了一种动目标多尺度多维度红外光谱特征测量方法及系统，属于图像处理、红外光谱测量领域。本发明主要为解决对动目标红外光谱特征测不到，测不准的问题。本发明方法包括：(1)建立目标红外光谱多维度多尺度特征表示公式，从中提取目标红外光谱精确模型。(2)从中提取感兴趣区域精确定位方法，识别感兴趣区域各部件位置信息。(3)从中提取多框架伺服控制方法，解决目标红外光谱测不到问题。本发明将红外光谱数据及图像数据结合进行处理，
华中科技大学
2021-04-14
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述 内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果：（1）本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属 Ni 为内电极，可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧 结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学
2021-04-14
一种垂直磁各向异性磁性隧道结单元测试系统及测试方法
本发明提供了一种垂直磁各向异性磁性隧道结单元测试系统， 包括探针测量平台，探针测量平台的两个探针前端分别加在 MTJ 单元 的上下电极，两个探针的后端分别连接电源测量模块的高低电平输出 端口；带铁芯绕组线圈固定在 MTJ 单元的空间正上方，绕组线圈电源 的正负极接带铁芯绕组线圈的两端；计算机测试平台控制绕组线圈电 源向带铁芯绕组线圈提供不同的电压，并控制电源测量模块产生电压 激励信号以获取电流响应信号，根据电压激励信
华中科技大学
2021-04-14
一种电气化铁道接触网工频在线防冰融冰方法
一种电气化铁道接触网工频在线防冰融冰方法，其作法是：A、在电气化铁道牵引变电所的任一供电臂的首端和末端分别连接首端和未端动态无功补偿装置；在接触网上设置温度传感器，温度传感器与首端动态无功补偿装置和未端动态无功补偿装置的控制器相连；B、温度传感器监测接触网的温度，当检测出的温度低于0℃时，控制器控制首端、末端动态无功补偿装置由无功补偿工作状态进入防冰融冰工作状态。在接触线上产生特定的电流，进行防冰融冰。该方法能够在线路不停运、不影响供电的情况下，在线自动进行防冰融冰，使接触网在冻雨及冰雪等极端灾害天气情况下不结冰，确保列车运行的安全。
西南交通大学
2016-10-20
一种用于门洞形断面结构衬砌混凝土温控防裂设计计算方法
本发明公开了一种用于门洞形断面结构衬砌混凝土温控防裂设计计算方法，包括如下步骤:(1)确 定温控防裂目标;(2)计算允许最高温度;(3)拟定温控方案，计算混凝土内部最高温度，在计算最高 温度≤允许最高温度的前提下，设计温控防裂方案。本发明方法的计算公式简单，能合理反映围岩性能、 衬砌结构尺寸、混凝土强度、洞内空气温度、通水冷却及其水温、浇筑温度等的影响，可以迅速计算出 门洞形断面结构衬砌混凝土施工
武汉大学
2021-04-14
一种固体氧化物燃料电池阴极气体流场板及其制备方法
本发明公开了一种固体氧化物燃料电池阴极气体流场板，用于 均匀分配氧化气和收集阴极电流，其由多个相互平行连接且尺寸相同 的齿形波纹块构成，齿形波纹块由两个错开距离(7)后平行排列连接的 齿形波纹条(3，4)构成，齿形波纹条(3，4)由多个相互交替连接的平顶 凸台(2)和平板(1)构成，平顶凸台(2)呈齿形轮廓状，平板(1)连接所述平 顶凸台(2)的根部，以形成齿形波纹状，平顶凸台(2)横截面形状为等腰 梯形去掉下底边后
华中科技大学
2021-04-14
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述 内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果：（1）本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属 Ni 为内电极，可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧 结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳
华中科技大学
2021-04-14