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一种非均匀材料连续分布力学参数场间接获取方法
本发明公开了一种非均匀材料连续分布力学参数场间接获取方法。本发明的方法包括步骤: S1.非均匀材料梁的制作与固定; S2.梁的模态试验与试验频响函数获取; S3.力学参数正交多项式展开与计算频响函数获取; S4.基于灵敏度分析的正交多项式系数识别; S5.非均匀材料力学参数分布场重构。本发明能够解决非均匀材料的力学参数获取问题,为使用该类非均匀材料的结构力学建模与分析提供准确的参数。
东南大学 2021-04-11
高功率锌镍一次电池正极羟基氧化镍材料生产技术
高功率锌镍一次电池具有很多优点:①与碱锰电池相比可大功率放电,适合数码相机、摄像机、电动玩具等便携式电子产品使用,如在数码相机中照相的张数可比碱锰电池多3倍以上;②与镍氢电池、锂离子电池相比则不需要充电器进行充电,买来则可使用,很方便;③组装工艺成熟,可利用现成的碱锰电池生产线组装;④适用面广,目前使用锌锰电池、碱锰电池、镍氢电池的地方就可使用锌镍一次电池;⑤绿色电池,对环境没有污染。生产锌镍一次电池的关键就在于其正极材料羟基氧化镍,羟基氧化镍的研发国内外都刚刚起步。 技术成熟程度 我们从2002年就开始羟基氧化镍的制备研究,现已申请有关羟基氧化镍和锌镍一次电池正极制备方法的5项中国发明专利。目前制备羟基氧化镍的工艺已很成熟,已进行了很多次中试试验,性能很好,超过了日本东芝公司。在1000mA恒流持续放电至1.0V的情况下,我们好的配方的电池放电接近1个小时,而日本东芝公司的高能一次锌镍电池只有47分钟。
厦门大学 2021-01-12
一种纤维增强复合材料动态剪切本构模型的构建方法
本发明公开一种纤维增强复合材料动态剪切本构模型的构建方法,步骤为: 1、完成纤维增强复合材料在多种应变率加载工况下的剪切试验得到各个工况下的载荷位移曲线; 2、采用Weibull损伤模型与粘弹性模型相结合推导出含Weibull损伤分布的待拟合载荷位移关系; 3、根据载荷位移曲线和载荷?位移关系构建多曲线最小二乘目标函数; 4、采用遗传算法得到待拟合参数的初值,通过信赖域方法在获得的参数初值附近搜索最终得到高精度参数值和确定的含Weibull损伤分布的载荷?位移关系; 5、根据载荷与应力关系、位移与应变关系以及载荷?位移关系推导出含Weibull损伤分布的复合材料动态剪切本构模型。本发明能够为纤维增强复合材料动态工况下数值仿真计算提供可靠的依据。
东南大学 2021-04-11
一种抗疟剂药物中间体材料的制备及合成工艺
青蒿素是目前为止最热门的抗疟疾特效药,由于它速效和低毒的用药特点,现已作为世界卫生组织推荐的药品。青蒿素从植物的花蕾和叶子中分离提取,但近来因为青蒿素的大肆提取,生态平衡遭到破坏,资源枯竭,所以不宜长久提取;此外,由于患者大多为贫苦地区的人民,购买力低下,承受不起青蒿素高昂的价格。对此,科学家们开始研究新的药物,希望能降低治疗的成本,也可以减少青蒿素的用量,保护生态环境。 在研发新药物的过程中,研究工作者发现一类含 trioxolane 单元的分子药物对于疟疾的抗击有着很好的效果。通过对药物进行改造研究,研究人员得到了药物性能优异的类似物 OZ439。通过口服,OZ439能完全消灭人体当中的寄生虫,现如今 OZ439 的合成已在瑞士进行了中试生产。 本项目是通过廉价的反应材料,经过催化转化制备合成 OZ439的所需重要中间体 HPCH。目前实验室已完成了催化剂的筛选和合成工作,所制备的催化剂在温和的反应条件下可以获得较高收率的 HPCH,其生产成本低于国外药企的要求。 开发计划:催化剂的放大制备及反应工艺的放大研究及优化,催化剂的循环利用和产品的分离及纯化。本项目初期一直与国外药企进行沟通合作,工艺优化后即可进入产业化阶段。 所需条件支持:希望能获得 100 万经费支持与 100m2 实验室支持,用于购置反应评价及催化剂放大制备设备。 
南开大学 2021-04-13
一种具有超高抗盐性能的有机复合材料的制备工艺
本发明公开了一种具有超高抗盐性能的有机复合材料的制备工艺。包括以下步骤:通过计算模拟得出膜微观形貌中凸点形态和凸点间距h。计算得出形成凸点颗粒的平均直径D。将分散型聚四氟乙烯颗粒进行热固化处理和解团聚处理,得处理颗粒a;根据凸点间的h,得出处理颗粒a和分散型PTFE颗粒的配置比例,按照比例混合搅拌后纤维化处理,得到处理颗粒b;将两种颗粒分层放置,通过拉伸工艺形成非对称性膜;将氟类单体、静电传导材料与醇类溶剂混合得到预制溶液;将预制溶液喷射在基材表面得到处理基材;将非对称性膜热压覆合在基材上形成有机复合材料。此种膜材料适用于不同行业烟气过滤体系,尤其适用于盐析程度高的中低温烟气体系的净化。
南京工业大学 2021-01-12
具有自主知识产权的新一代高速列车接触线材料
高速电气化铁路电力牵引用接触线是通过与电力机车受电弓滑板滑动摩擦直接向电力机车输送电流的导线,随着电气铁路运行向高速发展,要求接触线材料在具有良好导电性的同时,还应具有高的机械强度和高的抗软化温度。我国目前所使用的高速电气化铁路电力牵引用接触线材料多为进口材料。 课题组在国家“863”项目的支持下于2002年开始研制和开发具有自主知识产权的高性能接触线材料。经过三年的攻关,已经研制出满足高速列车要求的析出强化型的高强度、高耐磨、高导电铜合金导线,并提供相应的适合工业化生产的制造和生产方法和工艺路线。所开发出的材料性能指标已达到抗拉强度σb>580Mpa,延伸率>5%,导电率>78%IACS。同时具有良好的高耐磨性能,抗疲劳性能,抗高温软化性能,设计寿命为15年。目前已经申请国家发明专利四项。
上海理工大学 2021-01-12
一种类石墨烯的新颖二维半导体Ca3Sn2S7
石墨烯是材料科学领域的一颗迅速崛起的明星,开启了二维材料的大门。作为纳米光电子器件广泛使用的理想电极材料,石墨烯除了具有优异的弹性和刚度外,还具有最高的载流子迁移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而,石墨烯作为一种典型的半金属材料,它的零带隙极大地限制了其在半导体工业的应用。自石墨烯被发现以来,它的零带隙一直是世界范围内最具挑战性的难题之一。  多年来,人们一直致力于解决这一关键问题,最主要的打开石墨烯带隙方法可以概括为下面两种。第一种是通过掺杂、吸附、衬底相互作用、外加电场、应变、建立二维异质结等方法直接打开石墨烯的带隙。不幸的是,在打开石墨烯带隙的同时,保持其具有超高载流子迁移率的线性电子色散的多种尝试,至今仍未成功。第二种方法是开辟新的路径,寻找新的具有超高载流子迁移率(线性色散)的二维材料,如二硫化钼、硅烯、锗烯和磷烯等,它们构成了新的二维材料家族。遗憾的是,迄今还没有发现任何具有类似石墨烯线性电子色散和超高载流子迁移率的二维半导体。 北京大学物理学院史俊杰教授及其研究团队注意到:钙钛矿材料具有多样的组成和结构,如ABX3(具有三个不同原子位置的三维结构)、A'2[An-1BnX3n+1] (二维Ruddlesden-Popper型结构)、A'[An-1BnX3n+1] (二维Dion-Jacobson型结构)、A'2An-1BnX3n+3(二维111型结构)和AnBnX3n+2(二维110型结构)等,为材料设计提供了一个理想和庞大的平台。此外,钙钛矿结构中阳(阴)离子价态的劈裂和置换,阳(阴)离子的混合等,为组分工程提供了更多的可能性,从而极大地调节了所设计的钙钛矿材料的电子结构(带隙和电子色散)及物理、化学性质,为寻找具有新奇性质的材料开辟了一条新的道路。图注:左图为二维Ca3Sn2S7钙钛矿结构示意图,中图为它的三维线性色散能带图(带隙0.5 eV),右图为它的光吸收系数,并与光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系数作对比。 最近,他们在硫化物钙钛矿的研究中,意外发现了一种新奇的稳定且环境友好的二维钙钛矿半导体Ca3Sn2S7材料,它具有类似石墨烯的线性Dirac锥电子色散,直接的本征准粒子带隙0.5 eV,超小载流子有效质量0.04m0,室温下载流子迁移率高达6.7×104 cm2V-1s-1,光吸收系数高达105 cm-1(超越钙钛矿光伏明星材料MAPbI3), 从一个全新的角度实现了打开石墨烯带隙的梦想。该研究将会为二维钙钛矿材料的设计和研发提供新的思路,并进一步促进半导体产业的发展。
北京大学 2021-04-11
一种高精度的航空发动机叶片自动三维测量方法和系统
本发明公开了一种高精度的航空发动机叶片自动三维测量方法, 包括以下步骤:1)配准:将设计模型所处的设计坐标系与工件实体所 处的测量坐标系进行配准;2)路径规划:通过数据处理装置规划距离 传感器在测量过程中的运动路径,以使工件实体上的被测区域一直处 于距离传感器的测量范围内;3)自动测量:距离传感器对工件实体的 正面区域和反面区域进行采样,得到工件实体的完整表面轮廓。本发 明使用距离传感器作为测量终端,可以获得被测区域
华中科技大学 2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法;栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元,每个栅电 极单元为柱状结构,由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成;所述连通电极的上表面用于连接栅层,下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层,对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学 2021-04-14
一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法,包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列; 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构;半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极; 源极与漏极串联连接;沟道为方柱形结构;四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极;阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度,
华中科技大学 2021-04-14
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