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一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法
本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法， 该方法包括如下步骤：
（1）清洗硅片，去除表面杂质和氧化层；
（2）在硅片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘；
（3）用 PDMS 模板作为压印 模板，进行压印工艺，得到光刻胶半球阵列结构；
（4）用氧等离子体 进行刻蚀，得到跨尺度的光刻胶阵列结构；
（5）将跨尺度的光刻胶阵 列结构进行热解，得到三维跨尺度碳电极阵列结构。
该方法简单，便 于控制，重复性好，制备的碳电极阵列结构稳定，具有大的比表面积 和良好的生物兼容性，可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物 芯片和微型传感器等微机电系统领域。
华中科技大学
2021-04-11
一种基于磁纳米粒子一次谐波幅值的成像方法
本发明公开了一种基于磁纳米粒子一次谐波幅值的成像方法。采用交流磁化强度一次谐波幅值实现磁纳米浓度成像，只需在一个方向施加高频正弦磁场并在不同方向提供扫描磁场便可实现一维、二维以及三维空间的扫描；用低频三角波扫描磁场或低频正弦波扫描磁场控制空间区域零磁场点的位置，求解出不同空间位置的磁纳米粒子的一次谐波幅值，最终实现磁纳米浓度成像，从而避免了通过改变直流电源的大小来移动零磁场点扫描空间，有效提高了磁纳米粒子成像的
华中科技大学
2021-04-14
一种纳米纤维修饰电极的制备方法及应用
本发明涉及一种纳米纤维修饰电极的制备方法包括以下步骤：利用4?羟乙基哌嗪乙磺酸、聚乙烯吡咯烷酮、氯金酸溶液制备纳米金微粒；将聚醚砜树脂、二甲基甲酰胺、邻苯二甲酸二甲酯、纳米金微粒混合均匀，制得均匀的纺丝液；将S2中制备的纺丝液经过高压电场拉伸，在掺硼金刚石电极表面形成纳米纤维膜；将S3中制备的电极采用甲醇洗脱，获得具有分子印迹识别功能的纳米纤维修饰电极。本发明结合静电纺丝技术，得到稳定性好、生物相容性良好、具有识别特异性、有效比表面积大的复合纳米纤维电极修饰材料。
东南大学
2021-04-11
一种有机/无机复合纳米线过滤膜的制备方法
本发明公开了一种有机/无机复合纳米线过滤膜的制备方法。包括如下步骤：将金属盐溶解在乙醇胺的水溶液中制备金属氢氧化物纳米线；将肝素溶液加入到金属氢氧化物纳米线溶液中，制备核壳结构复合纳米线溶液；将聚合物多孔膜固定在过滤容器中，膜面朝上，过滤容器中加入核壳结构复合纳米线溶液，减压过滤；干燥。本发明将荷负电的肝素通过静电作用固定在荷正电的金属氢氧化物纳米线表面，形成以纳米线为核，以肝素为壳的核壳结构复合纳米线，再通过动态制膜法，将复合纳米线沉积在聚合物多孔膜表面，形成具有抗菌性和血液相容性双重功效的有机/无机复合纳米线滤膜。纳米线直径小，负载时形成的孔径小，孔密度高，制备工艺简单、成本低。
浙江大学
2021-04-11
一种各向异性纳米晶钕铁硼磁体的制备方法
各向异性纳米晶钕铁硼磁体的制备方法：（1）完全氢歧化或部分氢歧化Nd-Fe-B磁粉的制备；(２)压坯的制备，将步骤（１）制备的完全氢歧化Nd-Fe-B磁粉或部分氢歧化Nd-Fe-B磁粉装入模具中，在惰性气体保护下于室温对磁粉施压，当磁粉所受的压强从0?MPa增加至100MPa?～600MPa后停止施压；?(３)??热压变形-脱氢重组，将压坯在真空条件下升温至680℃～850℃，然后在该温度和氢分压PH2为0Pa?＜PH2?≤?1kPa的条件下，对所述Nd-Fe-B压坯施加恒定压力进行热压变形-脱氢重组，所施压力值以Nd-Fe-B氢歧化物压坯在热变形-脱氢重组过程中承受的压强在30MPa?~1.5MPa之间变化为限，保温保压时间为5～120分钟。本发明所述各向异性纳米晶钕铁硼磁体的制备方法，可提高各向异性钕铁硼磁体的性能，并降低能耗。
四川大学
2021-04-11
一种纳米Ti4O7粉末的制备方法
一种纳米Ti4O7粉末的制备方法，各原料的重量百分数如下：纳米二氧化钛粉末96％～97％，纳米炭黑粉末2.9％～3.9％，芳香醛0.1～1％；工艺步骤如下：(1)将按上述重量百分数计量的纳米二氧化钛粉末、纳米炭黑粉末和芳香醛放入球磨机中，加入研磨球体和研磨介质在常压、室温下进行湿磨分散，当纳米二氧化钛粉末、纳米炭黑粉末和芳香醛混合均匀后，分离出研磨球体，得混合浆料，继后将混合浆料在60～80℃进行干燥，干燥时间1～3h；(2)将步骤(1)制备的混合料装入加热炉中，在真空条件或通流动惰性气体的条件下加热到800℃～1150℃并在该温度进行还原反应，还原反应的时间为1～4小时，反应时间届满后随炉冷却至室温。
四川大学
2021-04-11
一种用于识别半导体纳米结构形貌的方法
本发明公开了一种基于支持向量机的纳米结构形貌识别方法。首先生成训练光谱，确定支持向量机的核函数与训练方式；生成测试光谱及多种不同的支持向量机；利用测试光谱对支持向量机进行特征形貌识别准确率测试，找出识别准确率、训练光谱数目和核函数之间的关系，作为支持向量机训练的指导原则；对测试光谱添加不同量级的噪声影响，将含有不同量级噪声的测试光谱用于支持向量机中进行测试，找到在能保证正确识别率较高情形下所能添加的最大噪声量级，作为另一指导原则；利用两个指导原则，训练得到最优的支持向量机；对真实待识别结构对应的测量光谱进行映射，识别其形貌。本发明可以对半导体纳米结构的形貌特征进行快速、精确地识别。
华中科技大学
2021-04-11
一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法
本发明公开了一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法，包括待提取参数取值范围的划分，子光谱数据库的建立，支持向量机分类器训练光谱的生成，支持向量机分类器的生成、测量光谱的映射和在子光谱数据库中进行的最相似光谱搜索。与现有方法相比，本发明方法通过额外增加一个可以离线进行的支持向量机分类器训练环节，实现了将测量光谱映射到一个小范围的子数据库中。与在整个大数据库中进行最相似光谱检索相比，在子数据库中展开的检索所消耗的时间大大减少。并且，通过增加每个分类器中包含的类数，可以得到更小的子数据库，从而进一步加速参数的提取。该方法实现了参数的提取速度可预期与可控。
华中科技大学
2021-04-11
一种碳纳米管场发射体的制备方法
本发明涉及一种真空微电子及纳米材料，具体涉及一种碳纳米管场发射体的制备方法，属纳米应用技术领域。本发明通过对碳纳米管进行纯化和酸化处理，使碳纳米管均匀分散于环氧树脂基体，固化之后得到性能良好的碳纳米管/环氧树脂场发射体。本发明具有如下的有益效果：(1)制备技术简便，成本低，可做成任意形状的大面积场发射体；(2)碳纳米管与环氧树脂的界面结合强度大，碳纳米管的附着性好，抗离子轰击能力强。(3)发射电流大，电流稳定。
江苏师范大学
2021-04-11
一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法
“一种化学浴沉积择优取向生长的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法”属于半导体领域。现有方法一般对设备要求较高，需要比较复杂的程序，而最终难以控制成本，这会严重影响Cu2O薄膜的应用范围。本发明提供的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：分别按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8～12∶36，硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔范围为1∶3～5∶6，将抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液依次加入硫酸铜溶液中，使充分络合；调节溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴温度中反应1.0h～3.
安徽建筑大学
2021-01-12