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一种七甲川吲哚菁类有机染料作为线粒体荧光探针的应用
本发明公开了一种七甲川吲哚菁类有机染料作为线粒体荧光探针的应用，所述七甲川吲哚菁类有机染料的结构式如下：该荧光探针具有优异的线粒体靶向能力，并在结合线粒体后发出反射波长为610nm左右的红色荧光。同时，该探针还具有荧光量子产率高、成像时间长、信噪比高和细胞毒性低等优点，可作为一种新型的线粒体成像试剂。
东南大学
2021-04-14
一种基于对偶模态方程的确定性声固耦合响应预示方法
本发明公开了一种基于对偶模态方程的确定性声固耦合响应预示方法，包括如下步骤：（１）将声固耦合系统中的结构和声腔划分成不同的子系统；（２）计算结构子系统和声腔子系统的模态；（３）计算相邻子系统中模态间的耦合参数；（４）建立耦合系统的对偶模态方程；（５）通过前置处理，获得确定性载荷作用下，子系统模态上受到的广义力载荷；（６）计算对偶模态方程，获得所有模态的参与因子；（７）通过模态叠加，计算系统确定性声固耦合响应。本发明提供的确定性声固耦合响应预示方法，把系统划分成连续耦合的子系统，并用有限频带内的子系统
东南大学
2021-04-14
一种三角波激励磁场下的磁纳米温度测量方法
本发明公开了一种三角波激励磁场下的磁纳米温度测量方法，属于纳米测试技术领域。该方法具体为：（1）将磁纳米样品放置于待测对象处；（2）在磁纳米样品所在区域施加三角波激励磁场；（3）检测三角波激励磁场-时间曲线和磁纳米粒子样品的磁化强度-时间曲线；（4）依据三角波激励磁场曲线和磁化强度曲线得到磁纳米粒子磁化曲线即激励磁场-磁化强度曲线，对该曲线采样获得激励磁场 Hi 下磁纳米粒子样品的磁化强度 Mi；（5）以激励磁场 H
华中科技大学
2021-04-14
一种基于光纤声光模互作用的温度和应变同时测量方法
本发明公开了一种基于光纤声光模互作用的温度和应变同时测 量方法，利用光纤中激发的某一个光模与对应激发的多声模之间的互 作用产生多峰布里渊增益谱，从多峰布里渊增益谱中任意选取两个增 益峰的某一特征量进行比对测量，或任意选取一个增益峰的某两个特 征量进行比对测量，获取布里渊频移和/或布里渊增益系数随温度和应 变的感知灵敏系数，构成系数矩阵，通过求解矩阵方程获取温度和应 变，实现温度和应变的同时测量；本发明提供的温度和应变
华中科技大学
2021-04-14
一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方法
本发明公开了一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方 法，该剥离器包括包层光纤、多段光栅和冷却管套，其制作方法是在 裸露的光纤内包层外表面上涂覆折射率大于或等于内包层折射率的紫 外光刻胶，然后在紫外光刻胶上刻蚀多段光栅，通过多段光栅的衍射 将内包层内残余光剥离出来；将制作好的多段光栅套在金属管中，并 用密封套密封，该金属管壁铺满吸热材料，将剥离出的内包层光吸收， 通入流通的冷却水将产生的热量带走。本发明通过采用不同
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的带宽可调的滤波电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的带宽可调的低通滤波电路及其 操作方法，该电路由包含忆阻器的一阶有源低通滤波电路以及忆阻器 的编程电路构成。本发明利用忆阻器的阈值电压特性，将忆阻器的工 作模式划分为模拟工作模式和编程工作模式，通过改变忆阻器的阻值 改变滤波电路的带宽。编程电路由忆阻器、四个 NMOS 管以及四个 PMOS 管构成，一阶有源滤波电路则由忆阻器、电容以及运算放大器 构成。本发明还公开了一种基于忆阻器的带宽可调的
华中科技大学
2021-04-14
一种异构存储介质下嵌入式数据库的管理方法
本发明公开了一种异构存储介质下嵌入式数据库的管理方法，具体为：将数据文件分为小数据块和大数据块，将大数据块和优先级低的小数据块存入外存，将优先级高的小数据块存入内存；嵌入式处理器查询到待访问数据的索引块，若该数据块存在于内存，则直接访问数据，若该数据块存在于外存，则访问外存中的数据；在系统空闲期，数据库根据访问情况将部分数据块降级释放到外存，加载部分急需的数据块到内存，以实现动态调度。本发明综合两种存储介质的优
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法， 电路包括编码电路和检索电路；编码电路可以根据事件本身及其相关 特征对事件进行编码并存储于电路中，通过擦除信号对已存信息进行 擦除，并将产生的记忆痕迹信号作为下级电路的输入信号；检索电路 能够将记忆痕迹信号和检索信号相互匹配进而产生相应的情景记忆行 为；本发明可以根据施加的相关脉冲操作，模拟生物的情景记忆行为。 完成人：缪向水、许磊、李祎、段念
华中科技大学
2021-04-14
一种基于回流焊的光纤光栅磁传感器的制备方法
本发明公开了一种基于回流焊的光纤光栅磁传感器的制备方法， 该方法包括以下步骤：1)选取长方体形状的硅片并进行超声清洗；2) 用磁控溅射的方法在硅片上溅射一层一定厚度的磁致伸缩薄膜；3)选 取可以在高温条件下使用的光纤光栅并进行超声清洗；4)用磁控溅射 的方法在光纤光栅上溅射一层一定厚度的金属薄膜；5)将镀了金属薄 膜的光纤光栅固定在磁致伸缩薄膜上；6)采用回流焊的方法，将镀了 金属薄膜的光纤光栅焊接在磁致伸缩薄膜上，
华中科技大学
2021-04-14
一种基于磁纳米粒子交流磁化率虚部的成像方法
本发明公开一种磁纳米粒子浓度成像方法，其主要创新在于采用交流磁化率的虚部来进行浓度成像，有效提高磁纳米粒子成像的空间分辨率。对磁纳米粒子施加交流磁场和直流梯度磁场，检测出一次谐波幅值和相位。利用幅值差和相位差或直接利用磁化强度变化量计算出磁纳米粒子交流磁化率的实部和虚部。通过控制直流梯度磁场的零磁场点位置，求解出不同空间位置的磁纳米粒子交流磁化率的实部和虚部，进而利用交流磁化率的虚部实现磁纳米浓度成像。从仿真数
华中科技大学
2021-04-14