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华东师范大学科学家在
三
维拓扑体系中观测到一维外尔费米子
近日,华东师大精密光谱科学与技术国家重点实验室袁翔课题组在三维拓扑绝缘体HfTe5中观测到一维外尔费米子。
华东师范大学
2022-10-11
中国高等教育学会关于召开第
三
届数字时代创新创业教育研讨会的通知
党的二十大擘画了中国式现代化的伟大蓝图,正式宣告我国已进入创新型国家的行列。作为中国式教育现代化的有机组成,创新创业教育现代化是联结“科技、教育和人才”的核心枢纽。加快实现创新创业教育现代化不仅是实现中国式教育现代化的自身之需,更是通往中国式现代化的必由之路。
中国高等教育学会
2023-09-22
一种
三
氟甲烷磺酸类化合物催化制备二氢喹啉并吡咯衍生物的方法
本发明属于催化方法及催化剂技术领域,具体涉及一种三氟甲烷磺酸类化合物催化制备二氢喹啉并吡咯衍生物的方法,所述的方法通过协同催化体系,以三氟甲烷磺酸类化合物为催化剂,通过1,4‑吡啶硫内鎓盐和氨基丙二腈发生分子间串联环化反应实现了二氢喹啉并吡咯衍生物的高效制备,具有条件温和、选择性高等显著优势,所述的方法采用简单易得的原料,避免了传统复杂底物的使用,并展现出优异的官能团兼容性,可耐受硝基、卤素、胡椒基、烷基、芳基、烷氧基、吲哚及噻吩等多种取代基,为二氢喹啉并吡咯衍生物骨架的构建提供了新策略,其操作简便、产率高和化学选择性好的特点,为该类化合物的工业化生产提供了重要参考。
兰州大学
2021-01-12
一种3-烷基-3-芳基-4,4,4-
三
氟-1-丁炔化合物及其制备方法
本发明公开了一种3‑烷基‑3‑芳基‑4,4,4‑三氟‑1‑丁炔化合物及其制备方法。3‑烷基‑3‑芳基‑4,4,4‑三氟‑1‑丁炔化合物的合成采用α‑三氟甲基苯乙烯类化合物为起始原料,经可见光催化的烷基烯丙基化反应可得4‑烷基‑4‑芳基‑5,5,5‑三氟‑1‑戊烯化合物,再经氧化得到3‑烷基‑3‑芳基‑4,4,4‑三氟丁醛化合物,最后经溴代、消除反应可得3‑烷基‑3‑芳基‑4,4,4‑三氟‑1‑丁炔化合物。本发明提供的3‑烷基‑3‑芳基‑4,4,4‑三氟‑1‑丁炔化合物可用作含相应结构单元的合成砌块,快速在药物分子中引入4,4,4‑三氟‑1‑丁炔结构单元。
南京工业大学
2021-01-12
Aigtek西安安泰电子 ATG-2000系列功率信号源 可输出正弦波、方波、
三
角波、脉冲波
西安安泰电子科技有限公司
2022-06-01
北京师范大学珠海校区
材料
磁性综合测量仪等设备采购项目竞争性磋商
北京师范大学珠海校区材料磁性综合测量仪等设备采购项目竞争性磋商
北京师范大学
2022-05-27
硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列
材料
及其制备方法和应用
本发明公开了一种硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料及其制备方法和应用。该硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料主要由二氧化钛纳米管阵列、硅烷偶联剂、有机溶剂和冰醋酸混合后反应得到,可应用于处理含有机污染物和/或重金属污染物的废水中。本发明的硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料氧化还原能力强,可同时去除有机污染物和重金属污染物,且去除效果好,可反复使用。
湖南大学
2021-04-10
一种基于(Ti,M)(C,N)固溶体粉的弱芯环结构新型金属陶瓷
材料
一种基于(Ti,M)(C,N)固溶体粉的弱芯环结构新型金属陶瓷材料,其原料组分及各组分的重量百分数为10~20%的Co或/和Ni粉末,10~35%的第二类碳化物粉末和余量的(Ti,M)(C,N)固溶体粉,所述(Ti,M)(C,N)固溶体粉中M为W、Mo、V、Cr、Ta、Nb中的至少一种,所述第二类碳化物为WC、VxC(0
四川大学
2021-04-11
硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列
材料
及其制备方法和应用
本发明公开了一种硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料及其制备方法和应用。该硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料主要由二氧化钛纳米管阵列、硅烷偶联剂、有机溶剂和冰醋酸混合后反应得到,可应用于处理含有机污染物和/或重金属污染物的废水中。本发明的硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料氧化还原能力强,可同时去除有机污染物和重金属污染物,且去除效果好,可反复使用。
湖南大学
2021-02-01
关于组织申报2023年度山西省重点研发计划(半导体与新
材料
领域)项目的通知
为全面深入学习贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想,党的二十大精神,以及习近平总书记关于新时代科技创新的重要论述重要指示精神,围绕重点产业链部署创新链,瞄准攻关半导体与新材料领域关键核心技术与共性理论问题,为我省重点产业链和特色专业镇建设提供创新支撑。根据《山西省科技计划项目管理办法》(晋政办发〔2021〕42号),现将凝练形成的2023年度山西省重点研发计划(半导体与新材料领域)重点支持方向予以发布,请根据要求组织项目申报工作。
山西省科技厅半导体与新材料科技处
2023-08-08
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