|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种溶液法合成嵌段聚合物纳米二氧化硅的方法
本发明涉及纳米粒子制备领域，公开了一种溶液法合成嵌段聚合物接枝纳米二氧化硅的方法，通过对纳米粒子及其应用需求进行整体设计，通过对纳米二氧化硅表面活化改性，接枝上具有不同性质的多组元线性聚酯链段，并引入不同性质线性聚酯长分子链，得到具有特殊表面结构的改性纳米二氧化硅；经过表面特殊结构修饰后，形成“有机胡须”包覆的纳米二氧化硅粒子，该种纳米粒子与大多数树脂基体有很好的相容性，其中聚酯链段可以结晶成核，进而呈现出对线性聚酯树脂基体的优异的成核诱导效应。纳米二氧化硅在塑料、橡胶、纤维、涂料、生物技术等领域有着广泛的应用。
青岛大学
2021-04-13
一种超薄碳包覆二氧化锡纳米复合材料的制备方法
专利名称：
天津工业大学
2021-01-12
氯化氢和二氧化硫混合气体的分离回收技术
利用二氧化硫与有机物质形成加合物的性质，采用吸收剂吸收氯化氢和二氧化硫混合气体中的二氧化硫，然后再对其进行解吸，同时得到工业级的氯化氢气体和二氧化硫气体。该项目装置包括两个塔-吸收塔和解吸塔。在吸收塔中二氯化硫与吸收剂逆流接触吸收，塔顶出来合格的氯化氢气体；二氧化硫与吸收剂形成的加合物从塔底出来，经换热后进入到解吸塔，得到工业级的二氧化硫气体。进而将二者分离开来，变废为宝，重新进入生产环节，减少环境污染，有节约生产成本。
扬州大学
2021-04-14
一种介孔二氧化硅包覆纳米金颗粒的制备方法
本发明公开了一种利用介孔二氧化硅包覆纳米金球的方法，结合纳米金球合成的传统手段-柠檬酸钠还原法，采用一锅两步法发展了一种介孔二氧化硅包覆纳米金球的方法，该方法选择在碳链的阳离子表面活性剂如十六烷基三甲基溴化铵的碱性水溶液体系中对纳米金颗粒进行包覆。采用本发明的包覆方法，无需引发剂活化和后续分离纯化，具有简单、高效、高产的特点，并且产物 Au@mSiO2 的大小均一，粒径大小在 20-120nm 的范围内连续可调，且在整个范围内呈现出均一有序的介孔状结构。
华中科技大学
2021-04-14
一种环氧树脂－二氧化硅空心管复合材料及制备方法
本发明公开了一种环氧树脂－二氧化硅空心管复合材料及其制 备方法。所述环氧树脂-二氧化硅空心管复合材料，包括二氧化硅空心 纳米管和环氧树脂，所述二氧化硅空心纳米管分散于环氧树脂中，其 添加量为环氧树脂的 0.1～10wt.％。其制备方法包括以下步骤：(1)采 用溶胶-凝胶法制备二氧化硅空心纳米管；(2)将步骤(1)制备的二氧化硅 空心纳米管分散于环氧树脂中，形成环氧树脂-二氧化硅空心管均匀分 散体系；(3
华中科技大学
2021-04-14
利用两嵌段聚合物 PS-PAA 合成介孔二氧化硅材料
该方法合成的材料具有规则的孔隙结构，高度有序，合成条件温和简单，可操行强，重复性好，材料具有较大的比表面积，可用于多种功能化，进行药物释放等应用。
上海理工大学
2021-01-12
Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料，由微米级Bi2Te3薄片和石墨烯组成。由于石墨烯的分散、承载及隔离作用，可有效阻止微米Bi2Te3薄片在热处理过程中的烧结，以保持晶界对声子的有效散射，对提高Bi2Te3材料的热电性能具有重大意义。该复合材料可作为热电材料。本发明还公开了该复合材料的一步水热法或一步溶剂热法的制备方法，具有工艺简单、成本低、周期短、能耗低等优点。
浙江大学
2021-04-11
3-甲基喹噁啉-2-羧酸残留检测方法及试剂盒研究
研发阶段/n本成果在国内率先合成了喹乙醇残留标示物3一甲基-2喹噁啉一羧酸(MQCA)，研究制成标准对照品，建立起MQCA在动物可食性组织中残留检测的高效液相色谱分析方法(HPLC)并提交国家标准。通过合成MQCA的人工抗原，制备出高效价、特异的抗体，建立起猪可食组织中MQCA残留酶联免疫吸附分析法(ELISA)。研制开发出MQCA残留ELISA检测试剂盒。通过HPLC法进行比对、动物残留试验、经有资质检测机构和研究单位的复核与应用等考核，该试剂盒的灵敏度、准确度、重现性、稳定性均达到国际残留分析的
华中农业大学
2021-01-12
“FeTe上外延生长单层Bi2Te3产生的超导电性
拓扑界面超导作为一种二维体系，不仅可以为研究非常规超导体提供很好的平台，还可以为探测马约拉纳费米子提供研究思路，因此具有很高的研究价值，近些年受到广泛的关注。Bi3Te3/FeTe异质结就是一个典型的拓扑界面超导体系，其中FeTe是一种铁硫族化合物（即一种超导母体，但块体并不超导），Bi2Te3则是一种典型的拓扑绝缘体，两者都属于二维材料，且层与层间由范德华力连接。有研究证明，此界面结构的超导电性会随着Bi2Te3厚度增加而逐渐加强，并在5层Bi2
南方科技大学
2021-04-14
一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法
一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法，属于半导体材料 与器件制备领域，解决现有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁带宽度和能带位置 固定的问题，以实现禁带宽度和能带位置的连续可调，得到禁带宽度 和能带位置更加合适的无机半导体材料。本发明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作为蒸发源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作为蒸发源，通过近空间升华法在衬底
华中科技大学
2021-04-14