概述 该实训台是根据广大工厂的生产线流程岗位和《中等职业学校电工电子类专业仪器设备配置标准》及各类院校职业教育的教学和实训的迫切要求而研制。学生通过具体的实践流程操作，既能学会一般电子产品的工艺设计知识，同时通过电子产品的制作，掌握基本操作技能：安全操作、元器件及其封装的识别；元器件的装接、焊接、调试、故障排除。掌握SMT（表面贴装技术）、波峰焊及线路板的设计制作技能。让学生在校期间就有贴近工业现场的实际操作训练，加强学生动手能力，创新能力和运用所学知识能力的培养，达到工程训练目的。本装置是技工学校、职业院校、职教中心电子类、电子电器类、电子信息类专业电子技能及电子生产工艺实训理想设备。 二、技术性能 （一）输入电源：单相三线 220V±10% 50Hz （二）输出电源： 1、直流稳压电源：二路0-30V稳压直流电源输出，内置式继电器自动换档，多圈电位器连续调节，最大输出电流2A，具有预设式限流保护功能，数字显示电流电压； 2、低压交流电源输出：3V、6V、9V、12V、15V、18V、24V交流输出、电流2A； 3、函数发生器：输出正弦波、三角波、方波、频率范围5Hz-550KHz；频率有表指示。 4、单次脉冲输出：每拔一次开关即可输出一组正负脉冲； 5、音频功率放大器：内置喇叭，音频可调，在调试中可作信号寻迹使用。 （三）工作环境：温度-10℃～+40℃  （四）装置容量：＜500VA （五）外形尺寸：1200mm×750mm×2000mm 三、实训台的构成 实训台由实训桌、控制柜、功能屏、实训线路板（包括元器件）、工具包等组成。 （一）实训桌：钢木结构，桌面为防静电、耐磨材料制成。 （二）控制柜：提供交直流电源、信号源、安全插座等。 （三）电源总控台：最多能同时控制40台实训台电源，具有漏电、过载保护功能，一个实训室配备1台； （四）工具套件：MF-47万用表1只、剥线钳1把、尖嘴钳1把、斜口钳1把、大小 + 字螺丝刀各1把、大小-字螺丝刀各1把、镊子1把、剪刀1把、烙铁1把、吸锡器1把、热台拨放台1台、放大镜台灯1只、焊锡丝、松香若干。 （五）实训线路板（套件）：实训线路涵盖数字电路、模拟电路、机、电、声、光、磁控制。   序号 名称 实训目的 1 三端稳压电源 掌握三端稳压模块的接线方法及应用； 2 串联型直流稳压电源 掌握串联型直流稳压器的调试方法； 3 低频信号电压放大器 掌握放大器的工作原理、装配焊接工艺、调试方法； 4 具有负反馈信号放大器电路 掌握负反馈信号放大器的工作原理、装配焊接工艺、调试方法； 5 文氏桥振荡器的焊接与制作 掌握运放741工作特点及文氏振荡器的工作原理； 6 电池电压监视电路 熟悉应用广泛的电压监视器的工作原理及制作方法； 7 电子催眠器 掌握单结管的工作原理及应用； 8 模拟“知了”电子电路 掌握多谐振荡器和音频振荡器的工作原理及应用； 9 实用声控、光控节电照明 灯电路 掌握555时基集成电路、可控硅、声、光元器件的综合实际应用 及焊接、调试技能和综合训练； 10 语音报警喇叭 掌握门锁防盗报警器电路的工作原理； 11 逻辑测试器 了解集成运放LM324的具体应用，熟透逻辑测试器的电路结构和工作原理； 12 正负脉冲信号 掌握正负脉冲的工作原理及集成的功能特性； 13 智力竞赛抢答器 了解晶闸管的特性及应用，掌握晶闸管构成的多路抢答器的工作原理，进一步熟悉电子电路的装配、调试、检修方法； 14 水位报警器 熟悉数字集成与非门电路的应用，掌握电路的工作原理； 15 迷你闪光彩灯 熟悉彩灯控制原理，使学生进一步熟悉电子电路的制作工艺； 16 光控音乐门铃 了解音乐集成块和光敏三极管的具体应用，熟悉光控音乐门铃的电路结构和工作原理； 17 实用模拟自然风控制器 掌握NE555和晶闸管构成的模拟自然风控制器工作原理，进一步 熟悉电子电路的装配、调试、检测方法； 18 台灯调光器 了解晶闸管和单结晶闸管的特性与应用，掌握晶闸管和单结晶体 管构成的台灯调光电路的工作原理； 19 实用CMOS触摸锁钥 了解CMOS反相器的特性及在控制电路中的应用，掌握触摸锁钥电 路工作原理； 20 自动充电器 掌握变压器、继电器在电路中的运用，及该电路的工作原理； 21 AM/FM收音机 掌握收音机的工作原理及调试方法； 22 数字万用表 三位半LED显示，可测电压、电流、电阻、晶体管； 23 数字交流电压表 三位LED显示,可测交流电压； 24 数字直流电压表 三位LED显示，可测直流电压； 25 数字直流电流表 三位LED显示，可测直流电压； 26 设计并安装调试电压上、下限报警电路   全自动冰箱保护器； 27 安装和调试数字钟电路   LED数码显示； 28 安装调试数字步进电机线路   学习步进电机的控制方法； 29 单相整流装置电路的组装 掌握整流电路的工作原理； 30 JS20单结晶体管时间继电器 熟悉JS20型时间继电器的工作原理； 31 JSJ型晶体管时间继电器 熟悉JSJ型时间继电器的工作原理； 32 接近开关 熟悉接近开关的工作原理； 33 微音放大电路的测试 掌握微音放大电路的原理； 34 智力竞赛抢答器 熟悉抢答器的控制方式； 35 依靠漏电流触发的简易交流开关电路 掌握简易交流开关电路的工作原理；

产品详细介绍 中银科技BOCT液晶电子白板多媒体教学一体机 

实验平台能满足高等院校“电力电子技术”、“半导体变流技术”、“电机控制（直流电机调速、交流电机调速及变频调速）”等课程实验教学。 系统特点： 更精细的模块化单元封装 采用更为美观、集成度高的封装形式； 模块化更合理，数字化更突出。 更完善的安全保护机制 具备硬件保护和软件保护双重保护，可靠性高，软件保护可大大减少器件的损坏，可避免出现经常换器件的麻烦。 更细致的实验指导教程 创新的交互式实验课程软件，提供进行实验所需的各种支持。它不仅提供实验过程指导，还提供相关理论知识讲解介绍，记录测量结果，并可导出各类数据； 理论仿真验证与实际元件实验验证相结合； 在Matlab中设计的控制算法自动生成代码，自动加载到实时目标机中运行，避免了繁琐的编程和Debug工作； 使用门槛低，会Matlab仿真即可完成实验测试工作，所有测试工作只需一人即可完成。 更灵活，更开放 硬件模块化设计，多种实验拓扑模块可选，同时，可根据需求定制各种不同的功率硬件，拓扑结构、功率级别、传感器的数量位置等均可以变化； 软件模块化设计，编程和监控全部采用基于模型的可视化设计方法，提供各类验证过的算法模型，可直接组合调用，大大缩短上手时间。 更可信，更可靠 采用高可靠性的功率模块和经过完善测试的接口模块，故障率低； 具备数字仿真和物理电路双重验证，设计更灵活，实验数据更具说服力。

本发明公开了一种基于六维力传感器和双目视觉的机器人打磨装置及打磨方法，打磨装置包括机械臂、传感器固定座、六维力传感器、工业相机、柔性连接件、电机固定座、打磨电机和双轴加速度传感器；六维力传感器通过传感器固定座与机械臂的末端关节固定连接；六维力传感器通过柔性连接件与电机固定座柔性连接，打磨电机安装在电机固定座上；工业相机对称设在柔性连接件的两侧；双轴加速度传感器分别设在机械臂的末端关节和打磨电机上。打磨方法包括步骤1，深度点云图生成；步骤2，打磨时机控制；步骤3，PI控制打磨和步骤4，机械臂位置补偿。本发明简单稳定，易于控制，打磨效果好，效率高；同时，还能补偿打磨过程中的位置偏移，提高加工质量。

通过超高真空分子束外延技术，在SrTiO3衬底上成功制备出宏观尺度的单原胞层（厚度小于1纳米）高温超导体FeSe与FeTe0.5Se0.5单晶薄膜，其超导转变温度大约在60 K左右，并通过原位扫描隧道显微镜和隧道谱技术对其中的超导配对机制进行了深入研究。 原位扫描隧道显微镜观测表明沉积的Fe原子处于薄膜上层的Te/Se原子间隙处。由于沉积密度极低，Fe原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近无近邻Fe原子团簇。系统的原位超高真空（~10-10 mbar）扫描隧道谱实验发现，对特定的吸附原子/单层FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合强度[数量占比约13% (15%)]，Fe吸附原子上可观测到尖锐的零能电导峰（图1）。该电导峰紧密分布在吸附原子附近，衰减长度~3 A，且远离吸附原子时不劈裂。变温实验表明，零能电导峰在远低于超导转变温度时即消失，可初步排除Kondo效应、常规杂质散射态等解释（图2A和图2B）。进一步的控制实验和分析显示，零能电导峰半高宽严格由温度和仪器展宽限制、在近邻双Fe原子情形不劈裂、服从马约拉纳标度方程，这些结果均与马约拉纳零能模的唯象学特征吻合（图2C-图2G）。对沉积于单层FeSe薄膜与FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，结果基本相同。相比于单层FeSe，统计结果表明单层FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中观测到零能束缚态的几率更高且信号更强。波士顿学院汪自强教授和合作者曾在理论上提出，无外加磁场时，强自旋-轨道耦合s波超导体间隙磁杂质可产生量子反常磁通涡旋。理论上如果单层FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空间反演对称破缺而具有较强的Rashba自旋-轨道耦合, Fe原子的磁矩局域破坏时间反演对称，可以使量子反常涡旋“承载”马约拉纳零能模。对单层FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理论也预测存在拓扑非平庸相。在二维拓扑超导体中，马约拉纳零能模也会产生于Fe原子诱导的量子反常涡旋中的束缚态。因此，实验中观测到的零能电导峰可归因于Fe吸附原子引起的局域量子反常涡旋。更深入、具体的理解还有待于进一步的实验和理论探索。这一工作将探索马约拉纳零能模的超导材料从三维拓展到二维、从低温超导拓展到超过40 K超导转变温度的高温超导体系，同时无需外加磁场，观测到的零能束缚态原则上可操纵、“存活”温度明显提升。这些优势为未来实现可应用的拓扑量子比特提供了可能的方案。

本发明属于光催化技术领域，具体为一种制备高催化活性天然沸石负载一维TiO2纳米线复合材料的方法和相关工艺参数。该制备方法为溶胶凝胶/水热合成法。首先，以钛酸丁酯(Ti(OC4H9)4)为前驱体，二乙醇胺为络合剂，无水乙醇为溶剂，配制TiO2溶胶；然后，采用浸渍法，在经酸处理的天然沸石上负载TiO2溶胶，干燥、煅烧；最后，将负载TiO2的沸石放置NaOH水溶液中，在一定温度下进行水热反应；所得产物用去离子水洗涤并置于稀HCl溶液中浸渍一定时间；再将所得产物洗涤、烘干、煅烧，即可得到天然沸石负载一维纳米

高质量钼系硫族化合物单层材料的CVD生长一直受限于难以控制的化学动力学条件，其中最为重要的是对于Mo蒸汽释放的合理调控。近日，课题组在传统的MoO 3

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼