利用铬酐为原料，采用低温燃烧技术，制备纳米级的氧化铬粉体。工艺简单，易于工业生产，先将铬酐溶于含表面活性剂和助表面活性剂的水溶液中，低温干燥，也可采用工业上喷雾干燥方法。表面活性剂可有效防止铬酸在焙烧中形成大颗粒，助表面活性剂能有效地降低铬酸粘稠度，易于干燥且不会黏附在设备上；干燥后的铬酸在特定温度下焙烧，即得到蓬松的氧化铬的粉末。本制备方法的特点主要有：① 焙烧后产品粒径小，通过扫描电镜观察颗粒为小于100纳米的球形；② 并且可显著降低焙烧温度，有利于节约能源；③ 焙烧后的产品易于粉碎。

已有样品/n目前已开发出：直接数字频率合成器（DDFS）、数模转换器（DAC）、模数 转换器（ADC）、北斗+GPS 多模导航型射频芯片、CPT 原子钟微波电路等。 个人行车定位与导航终端、行车记录仪、电子狗； 智能手机、平板电脑等移动信息终端； 交通运输车辆管理与跟踪系统； 航海、船舶作业导航与定位设备； 测绘、水利、森林防火、减灾救灾和公共安全等。

内容介绍： 采用软化学工艺合成了不同成分，不同配比的精细电子陶瓷、光电陶 瓷粉体，其粒度可控，成份可调，尺寸分布窄，粉体分散性好，可广泛 用于生产压电陶瓷、多层陶瓷电容器、新型光电透明陶瓷的原始粉料， 以及陶瓷换能器、滤波器、谐振器、电容器、变压器、存储器、声表面 波滤波器等方面，也可用于单晶生长原料和多元氧化物功能薄膜靶材， 及供高校、科研单位研究使用。

利用大规模集成硅基纳米光量子芯片技术，实现对高维度光量子纠缠体系的高精度和普适化量子调控和量子测量。 （图一）基于硅纳米光波导的大规模集成光量子芯片(可实现对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量)       集成光学量子芯片技术，基于量子力学基本物理原理，使用半导体微纳加工工艺实现单片集成光波导量子器件（包括单光子源、量子操控和测量光路，以及单光子探测器等），可以实现对量子信息的载体单光子进行处理、计算、传输和存储等。集成光学量子芯片具有集成度高、稳定性高、性能好、体积小、制造成本低等诸多优点。因此，该技术被普遍认为是一种实现光量子信息应用的有效技术手段。      利用硅基纳米光波导技术实现的光量子芯片具有诸多独特优点，例如与传统微电子加工工艺兼容、可集成度高、非线性效用强、以及工作波长与光纤量子通信兼容等。然而，迄今为止光量子芯片的复杂度仅限于小规模的演示，如集成少数马赫-曾德干涉仪对光子态进行简单操控。因此，我们迫切需要扩大集成量子光路的复杂性和功能性，增强其量子信息处理技术的能力，从而推进量子信息技术的应用。       相干且精确地控制复杂量子器件和多维纠缠系统是量子信息科学和技术领域的一项难点。相对于目前普遍采用的二维体系量子技术，高维体系量子技术具有信息容量大、计算效率高、以及抗噪声性强等诸多优点。最近，多维度量子纠缠系统已分别在光子、超导、离子和量子点等物理体系中实现。利用光子的不同自由度，如轨道角动量模式、时域和频域模式等，可以有效编码和处理多维光量子态。然而，实现高保真度、可编程、及任意通用的高维度量子态操控和量子测量，依然面临很多困难和挑战。       针对上述问题，英国布里斯托尔大学、北京大学、丹麦技术大学、德国马普研究所、西班牙光学研究所和波兰科学院的科研人员密切合作，并取得了突破性进展。研究团队提出并实现了一种新型的多路径加载高维量子态方式，即每个光子以量子叠加态的形式同时存在于多条光波导路径，从而实现了一个高达15×15的高维量子纠缠系统。通过可控地激发16个参量四波混频单光子源阵列，可以制备具有任意复系数的高维度量子纠缠态。通过单片集成通用型线性光路，可对高维量子纠缠态进行任意操控和任意测量。因此，该多路径高维量子方案具有任意通用性。与此同时，团队充分利用集成光路的高稳定性和高可控性，实现了高保真度的高维量子纠缠态，如4、8和12维度纠缠态的量子态层析结果分别为96、87% 和 81%保真度，远超其他方式制备的高维量子纠缠态性能。       更重要的是，团队通过硅基纳米光子集成技术，实现了目前集成度最复杂的光量子芯片（图一所示），单片集成550多个光量子元器件，包括16个全同的参量四波混频单光子源阵列、93个光学移相器、122个光束分束器、256个波导交叉结构以及64个光栅耦合器，从而达到对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量。       研究进一步利用该高维光量子芯片技术，验证高维度量子纠缠系统的强量子纠缠关联特性，包括普适化贝尔不等式和EPR导引不等式等，证明量子物理和经典物理定律的重要区别。例如，对4维度量子纠缠态，实验观察得到了2.867±0.014的贝尔参数，不仅成功违背经典物理定律61.9个标准差，而且超过普通二维纠缠体系的最大可到达值的2.8个标准差。研究还首次实现高维量子系统的贝尔自检测和量子随机放大等新功能，例如，对3维度最大纠缠态和部分纠缠态的自检测保真度约为76%，对14维以下纠缠态均实现了量子随机放大功能。

本发明公开了一种基于CZT变换和剪除分裂基快速傅里叶变换的三维摄像声纳波束形成方法，包括以下步骤：分别计算每个换能器接收到的声波中，与载波频率fk对应的第k个DFT变换系数；利用所得变换系数，构建矩阵C；对应方位角方向，对矩阵C的每一列，进行一维离散卷积运算，得到P×N的矩阵MD；对应仰视角方向，对矩阵MD的每一行，进行一维离散卷积运算，得到P×Q的矩阵ME；利用矩阵ME，构建矩阵MF；计算矩阵MF中每个元素的模，得到三维摄像声纳波束。本发明在FFT运算过程中识别和去除不必要的运算操作，有效降低了三维摄像声纳波束形成方法所需的运算量。

        福建三师电子有限公司成立于1992年，是一家以高校科研力量为主导，集研发、生产、销售、服务为一体的电子专业化企业，公司坐落于福州市电脑与数字产品的集散地五一中路大利嘉城。公司研发、生产自主知识产权的产品有：网络多媒体教学系统、手写屏电子互动白板、多媒体电子讲台、多媒体中央控制系统、视频展示台、数字语音学习系统、BLL教学专业音响设备、金属磁性黑板等产品。设计承建各种大型网络工程和系统集成；富可视等品牌投影机全国部分省及福建总代理商。       公司一贯坚持以高新技术为企业发展基础，立足于现代化教育技术装备工程，为社会各行业现代化、信息化建设承担设计和承建项目，致力于教育等行业的服务工作。公司以形成一套完善的运作体系，拥有一支专业的研发和服务技术队伍，能及时响应用户所需。产品以遍及全国各地。       公司通过ISO9001:2000国际质量管理体系认证，产品通过3C、CQC认证，是福建省教育厅教学仪器设备生产定点单位。福建省省级政府采购准入供应商、国家教育行业协会会员。        公司自主研发创新的“网络多媒体教学系统”2006年获得国家两项专利。2011年研发成功“多媒体电子讲台” 获得国家两项专利。产品不断升级质量稳定，趋于人性化、外观时尚、功能网络化、坚固长寿命，受到教育界的亲赖，是21世纪信息化教学的首选产品。2009年10月公司投入2000万元在“航空港工业集中区”购置标准工业厂房6000㎡，全数控机械加工设备两条生产线2010年6月1日正式投产。年生产能力5万套“网络多媒体教学系统”及“多媒体电子讲台”，可实现产值2亿元。公司历经艰辛研发成功，高效、节能、静音、微型的“SANHONG"品牌绿色电脑；现又投入研发更新的产品为教育现代化做出贡献。

　　天津三星电子有限公司(TSEC)是三星电子在天津投资建设的第一家企业，由三星电子、中环电子信息集团和通信广播集团共同出资设立的中外合资企业,坐落于天津经济技术开发区西区。企业现有职工3,000余人，拥有近千名科技人才队伍。　　20多年来通过不断的技术创新、人才培养和持续的投资，TSEC现已发展成为了生产智能电视、显示器、LCM(液晶模组)等高端电子产品的综合性的电子企业。其中显示器产品连续十多年占据中国品牌机市场占有率第一名，平板智能电视机产品多年来占有中国市场重要份额，LCM出口欧美市场。　　TSEC在做好生产经营的同时，注重社会公益和员工保护，近年来先后荣获天津市最佳外商投资企业、天津市AAA级劳动关系和谐企业、中国政府友谊奖等荣誉称号，为天津市的社会经济发展做出了贡献。　　为了应对全球经济环境的变化及企业持续发展的需要，TSEC于2013年巨资建设了现代化的生产工厂，全面整合资源、提高生产效率和物流效率，显著提高了企业竞争力。新工厂占地面积达31.5万平方米，一期建筑面积为11万平方米。企业还为员工设有温馨整洁的公寓设施、健身中心、球类馆、医务室、阅览室、培训教室等，既创造了舒适、高效的生产环境，还向员工提供了宽敞、方便的生活环境。　　公司将乘风破浪，秉承“变化、速度、革新”的经营主旨，延续超强的持续创新能力，不断前行！

280mm×290mm×260mm，高压电驱动，光电人体感应。

成果描述：本发明公开了一种应用于地形模型风场特性风洞试验的三维渐变式边界过渡装置。所述边界过渡装置主要由多个节段串联拼接而成，每一节段包括两块侧板以及面层；每块侧板具有竖边、底边和曲边；两块侧板的曲边上固定铺设所述面层；所述侧板的竖边高度等于地形模型边界对应位置处的高度；所述侧板的底边长度为风洞宽度的5%-8%，且所述侧板的竖边与底边所形成的坡度在20°-40°；所述侧板的曲边线形由方程确定，其中x代表曲边的径向位置，y代表曲边的竖向位置，参数r与m由方程组确定，式中h0为竖边的高度，k0为竖边高度与底边长度之比。本发明能使气流过渡后其风场特性满足要求的前提下，对风洞空间要求低，适用性强。市场前景分析：轨道交通基础设施建设领域。与同类成果相比的优势分析：技术先进，性价比较高。

（专利号：ZL 201410081879.7） 简介：本发明公开一种超级电容器用三维中孔纳米笼状碳材料的一步法制备方法，属于碳材料制备技术领域。该方法是以有机金属配位化合物为碳源和模板，氢氧化钾为活化剂，两者研磨混合后转移至陶瓷坩埚中，采用微波加热制得超级电容器用三维中孔纳米笼状碳材料。所得三维中孔纳米笼状碳材料的比表面积介于1041～1595m2/g之间，总孔孔容介于0.79～1.52cm3/g之间，平均孔径介于3.05～4.88nm之