产品详细介绍中谷机械设备（郑州）有限公司提供给您大量郑州双管取样器，郑州分层取样器，双管取样器厂，同时您可以免费提供一个完整的取样解决方案，以满足您的需求，产品应用范围广泛，如还不能满足您的具体要求，还可以按照您的要求具体定做 一、产品介绍   长度1-5米分层，用户根据粮堆深度选定长度层点，一次插入多层取样。并可根据客户长度要求、开孔要求定做。另：（有长度1-4米人工插入粮堆单层取样器）  二、主要用途长度 规格 2米          4孔 2.5米        5孔 3米          6孔 3米          7孔 1米          3孔双管取样器 3米          金鱼式取样器 5米          金鱼式取样器 该双管分层取样器广泛用于颗粒或粉末状行业中样品取样。产品:取样器 粮食取样器 电动取样器 扦样器 电动扦样器 粮食扦样器 分层取样器 粉末颗粒取样器 窗口关闭式取样器 医药取样器 化工原料取样器 液体取样器 油桶取样管 油桶取样器 底部取样器  槽车取样器电话:0371-55510982       传真: 0371-68210665      网址:http://www.zgqyq.net 手机：18939565296信箱:zg2588@163.com详细资料,敬请登录中谷机械设备公司以下网站: http://www.zgqyq.net   中谷机械设备（郑州）有限公司更多产品：电动取样器http://www.zgqyq.net/1-1.html 吸式扦样器http://www.zgqyq.net/2-2.html粮食扦样器http://www.zgqyq.net/3-1.html粮食深层扦样器http://www.zgqyq.net/3-2.html取样器http://www.zgqyq.net/5-1.html不锈钢取样器http://www.zgqyq.net/5-2.html双管取样器http://www.zgqyq.net/6-1.html 粉末颗粒取样器http://www.zgqyq.net/6-3.html 末端封闭式取样器http://www.zgqyq.net/6-6.html液体取样器http://www.zgqyq.net/7-2.html油桶取样器http://www.zgqyq.net/7-9.html散粮车取样器http://www.zgqyq.net/8-1.html全自动取样器http://www.zgqyq.net/9-1.html

产品详细介绍中谷机械设备（郑州）有限公司提供给您大量郑州油脂取样器，郑州取样器，取样器厂，同时您可以免费提供一个完整的取样解决方案，以满足您的需求，产品应用范围广泛，如还不能满足您的具体要求，还可以按照您的要求具体定做一、产品介绍     将上盖系上三根尼龙绳，取样时将上盖边上的两根筒绳拉紧，慢慢的把扦样器放到取样池内，当取样器放到所需取样的位置时，拉紧中间的阀门绳，使样品进入扦样器内，然后放松阀门绳，将提筒慢慢拉上，取出样品。  二、技术参数     不锈钢   三、主要用途    油脂类取样产品:取样器 粮食取样器 电动取样器 扦样器 电动扦样器 粮食扦样器 分层取样器 粉末颗粒取样器 窗口关闭式取样器 医药取样器 化工原料取样器 液体取样器 油桶取样管 油桶取样器 底部取样器  槽车取样器电话:0371-55510982       传真: 0371-68210665      网址:http://www.zgqyq.net 手机：18939565296信箱:zg2588@163.com详细资料,敬请登录中谷机械设备公司以下网站: http://www.zgqyq.net 中谷机械设备（郑州）有限公司更多产品：电动取样器http://www.zgqyq.net/1-1.html 吸式扦样器http://www.zgqyq.net/2-2.html粮食扦样器http://www.zgqyq.net/3-1.html粮食深层扦样器http://www.zgqyq.net/3-2.html取样器http://www.zgqyq.net/5-1.html不锈钢取样器http://www.zgqyq.net/5-2.html双管取样器http://www.zgqyq.net/6-1.html 粉末颗粒取样器http://www.zgqyq.net/6-3.html 末端封闭式取样器http://www.zgqyq.net/6-6.html液体取样器http://www.zgqyq.net/7-2.html油桶取样器http://www.zgqyq.net/7-9.html散粮车取样器http://www.zgqyq.net/8-1.html全自动取样器http://www.zgqyq.net/9-1.html

产品详细介绍照度传感器产品介绍 产品介绍  GZD系统光照度变送器采用对弱光也有较高灵敏度的硅兰光伏探测器作为传感器；具有测量范围宽、线形度好、防水性能好、使用方便、便于安装、传输距离远等特点，适用于各种场所,尤其适用于农业大棚、城市照明等场所。根据不同的测量场所，配合不同的量程，线性度好、  防水性能好 、可靠性高、  结构美观、安装使用方便、抗干扰能力强。 使用标准 1个单位的照度大约为1个烛光在1米距离的光亮度。 夏日晴天强光下照度为10万 Lux（3～30万Lux）； 阴天光照度为1万 Lux； 日出、日落光照强度为    300～400Lux； 室内日光灯照度为         30～50Lux； 夜里                    0.3～0.03 Lux（明亮月光下）； 0.003～0.0007 Lux（阴暗的夜晚） 以上参数公供参考   技术参数:   供电电压：          12VDC～30VDC 感光体：         带滤光片的硅蓝光伏探测器； 波长测量范围：         380nm～730nm；   准 确 度：                   ±7％ 重复测试：                  ±5%； 温度特性：                 ±0.5%/℃；   测量范围：                0～200000Lux   输出形式：           二线制4～20mA电流输出 三线制0～5V电压输出 液晶显示输出 232/485网络输出   使用环境：           0℃～40℃、0%RH～70%RH（带液晶）； 0℃～70℃、0%RH～70%RH(不带液晶) 大气压力： 80～110kPa 联系我们： 电话： （010）57167501/7502 网址：   www.diysensor.com 手机:  13488682012 Q Q:     335363231 地址：北京市朝阳区奥运9#院  

在动力大腿假肢控制研究中，如何实现复杂环境下“人-机-环”协调控制是一个挑战性难题。现有研究主要通过各类人机交互方式来解决上述问题，即期望通过各类人机界面信号识别人体运动意图以控制假肢适应环境。但目前人机界面信号难以达到期望中的可靠性和准确性。人穿戴假肢在环境中行走是一个典型的“人-机-环”问题，而现有研究缺少“机”和“环”之间的链路。 该研究探索假肢视觉对“人-机-环”回路的作用机制，打通“机”和“环”之间的链路。在运动过程中，人体视觉神经系统负责运动决策，假肢视觉负责环境信息感知，通过人机信息融合，“长眼睛”的智能假肢可以在复杂地形下“预见性”地规划步伐，显著提高大腿截肢者适应复杂环境的能力。

近年来，磁振子电子学在信息计算和信息传输领域表现出了极具价值的应用潜力。磁振子电子学利用以磁振子为载体的电子自旋进动来实现信息处理，有望实现无热量产生、低耗散的信息传输，相比于传统意义上通过操纵电荷来实现信息的处理的微电子学具有无可比拟的巨大优势。磁振子电子学领域的进展很大程度上依赖于能够有效传输磁振子的新材料的发现，而获得长距离的磁振子输运始终是磁振子电子学研究的重中之重。与通常的三维磁性绝缘体（如Yttrium Iron Garnet）相比，二维尺度下的磁振子被理论预言有很多的新颖物理效应，例如自旋能斯特效应，拓扑磁振子，以及外尔磁振子等。 在最新的研究文章中，量子材料科学中心韩伟课题组在二维磁性体系中展开工作并取得了重要进展，观测到了二维反铁磁体系中磁振子的长距离输运。MnPS3晶体是一种层状反铁磁材料，利用机械剥离手段得到了二维的MnPS3薄片。MnPS3薄片上制备了用于测量磁振子输运的非局域器件，器件结构如图A所示。器件左侧Pt电极通过热方法来注入磁振子，右侧Pt电极探测在二维MnPS3中扩散传输的磁振子。在二维反铁磁MnPS3中，实验上观测到了几微米的磁振子扩散长度。并且从图B中可以看出，随着注入端和探测端距离的增加，探测到的非局域信号表现出e指数衰减的形式，跟一维漂移扩散模型的理论模型一致。在此基础上，他们还系统研究了MnPS3厚度对磁振子弛豫性质的影响。随着MnPS3厚度从40nm降低至8nm，磁振子弛豫长度由4μm减小到1μm（图C），这可能是由较薄的MnPS3中较强的表面杂质散射效应导致的。 该文章中的结果具有重要的学术价值：二维材料中的磁振子输运实现为二维磁性材料在磁振子电子学的应用与发展奠定了基础，也有望推动磁振子在量子尺度下的新颖量子物理性质研究。图：二维反铁磁体系中磁振子输运研究。（A）二维反铁磁MnPS3中的磁振子输运测量结构示意图。（B）自旋信号R_NL^*随电极间距的依赖关系，与理论预言的e指数衰减吻合。（C）磁振子弛豫长度随MnPS3厚度的依赖关系。 该工作于2019年2月7日在线发表于物理学术期刊Physical Review X上(Phys. Rev. X 9, 011026 (2019) )。 DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.9.011026。该工作由韩伟研究员设计和指导完成，北京大学量子材料科学中心2015级博士生邢文宇为文章第一作者，物理学院2015级本科生邱露颐为第二作者（今年9月份将去哈佛大学读博士），韩伟研究员为文章通讯作者。本工作的顺利完成得到了量子材料科学中心贾爽教授和谢心澄院士的合作帮助，以及国家重大科学研究计划、国家自然科学基金、中国科学院战略性先导科技专项的支持。

本发明涉及生物技术领域，具体地，本发明涉及二维培养系统在小鼠肠上皮干细胞体外培养中的应用。本发明提出了一种培养系统。该培养系统用于单层细胞培养，该培养系统包括：基质胶、N2、B27、双抗、GlutaMAX、N‑acetylcysteine、R‑spondin1以及基础培养基，其中，所述基质胶的厚度为5μm～50μm。该培养系统适用于胃肠道的表皮细胞和干细胞的单层细胞的培养，尤其适用于肠道表皮细胞和肠道干细胞的单层细胞的培养。该培养系统可以更加直观的观察胃肠道表皮细胞和干细胞的一系列生化细胞水平的变化，能很好的模拟体内肠道表皮细胞的各项指标，能更加便捷地探索外泌体、炎症因子等对小肠干细胞稳态的影响，提供低成本、高效率的筛药体系。

本发明涉及一种基于仿生复眼微透镜技术的3-2-3维目标检测方法及系统,采用基于仿生复眼结构微透镜系统的低分辨率数据获取模式对目标区域进行捕捉成像,根据两个微透镜器件拍摄的微透镜阵列影像采用线性加权平均法构建低分辨率影像采用前方交会测量方法重构目标的三维轮廓若低分辨率影像中有效捕获目标后,则以微透镜阵列影像为基础数据,采用正则化的方法重构目标区域的高分辨率影像获取目标区域的高分辨率二维影像后,采用基于纹理梯度的GAC模型对目标进行精确识别。

通过溶剂热方法，成功制备出一种层间距宽化并富有缺陷的1T-VS 2 纳米片，展现出优异的电催化析氢性能。由于有机溶剂分子以及在反应过程中产生的铵离子等的插层作用，该溶剂热法制备出的VS 2 纳米片层间距宽化至1.0 nm，比块体VS 2 材料的层间距（0.575 nm）增加了74%。层间距的宽化引起晶格的畸变而引入众多的缺陷，丰富的缺陷赋予VS 2 纳米片更多的活性位点，层间距的宽化还进一步改变了VS 2 材料的电子结构，从而使得该VS 2 纳米片具有更加优化的氢吸附自由能（∆ G H ）。HER测试结果表明，该VS 2 纳米片呈现出优异的电催化性能，具有较小的塔菲尔斜率（36 mV dec −1 ）、具有较低的过电位（-43 mV@10 mA cm −2 ）和良好的稳定性（60 h）。此外，通过第一性原理计算的结果表明，层间距宽化的VS 2 具有更优化的∆ G H （-0.044 eV），媲美贵金属Pt(如图3 ). 。并且，层间距的宽化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。这里，理论计算结果和实验相一致，较好地证明了通过层间距和缺陷的精细调控，可以有效提升二维材料的电催化析氢反应活性, 揭示了层间距和缺陷结构调控对提升电催化析氢的基本原理。此项研究工作为层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路，为开发高性能电催化析氢材料研究打开了一扇新窗户。

本发明公开了一种基于自适应边缘检测和映射模型的一维码识 别算法。该算法利用一维码四个角点对一维码图片进行投影变换，校 正一维码图像中可能存在的投影或者仿射变形，然后利用校正后的图 像生成两种扫描线，一种是基于图像分块的，一种是基于梯度变化的， 对于获得的扫描线采用一种自适应边缘检测算法来找到一维码条和空 的边缘位置，接着采用一种边缘映射模型将获得的边缘位置映射到正 确的编码位置，根据编码位置来获得条和空的宽度，从而依据条空的 宽度比和编码规则求解一维码信息。按照本发明实现的一维码识别算 法，能实现对

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。