此款计算器适合小学生使用，款式轻巧，颜色鲜艳，完全符合小学生的喜好 主要功能：1.24小时时间设定           2.1900年到2099年日期调设           3.计时器、时间运算、10位四则运算           4.求倒数、求平均数、圆周率计算           5.平方及开方运算、百分比计算           6.分数简化计算、假分数、带分数转换           7.分数按书写方式习惯显示           8.分数与小数转换           9.手动自动关机功能 产品规格：         规格尺寸：13.5CM（长）*7CM（宽）*1.1CM（高） 此产品符合国标，行标JY/T0382-2007 硅胶按键。

产品详细介绍kJX—系列 空气循环净化消毒器 该设备是净化，消毒灭菌，吸附异味于一体的可移动式净化装置，文泛用于万级十万经较低洁净环境。 特点：全钢结构，外喷塑，设计精巧，美观大方，无需安装，使用方便。 使用范围：适用于医院，小型手术室，新生儿主妇病房，重证监护室，病房，制剂室，化验室，实验室，门诊及各科室，科研，生物制药，食品饮料，小型生产车间，化妆品，电子光学，印刷，公共场所等。 技术指标： 产品名称 空气循环净化消毒器 空气循环净化消毒器 型号 KJX—A KJX—B 外型尺寸 700×450×1500 700×450×1500 净化等级 万级至十万级 万级至十万级 噪音 ≥56dB(A) ≥56dB(A) 紫外线 20W×3 20W×3 电压功率 220V  50HZ  400W 220V  50HZ  400W 臭氧 无 7000mg/h 使用面积 30m2--60m2 30m2--60m2 

产品详细介绍                                                      液晶屏翻转器 1．电动控制、翻转自如。 2．使用灵活、稳定性好、抗震性好。 3．适用于15-21寸液晶显示器。 4．键盘是垂直升降。 5．当打开控制开关后显示屏和键盘同时运行作业，当显示屏翻转到位后，键盘同时也升降到位并且与桌面平齐。 6．控制方式：a.单机使用可通过手动和遥控 b.集中控制通过中控实现。   参数要求：    1．电源   交流电220V 50Hz    2．箱体尺寸： 540*510*190    3．翻转角度105度，同时可按客户要求来调节显示屏的角度                  

产品详细介绍高清H.264编码器SDI编码器HDMI编码器Kylines LMT8000HD    Kylines LMT8000HD高清编码器采用最为先进的H.264/AVC视频压缩算法和MPEG4 AAC音频压缩算法，在低下也具备优异的视频表现和音频还原性。在1Mbps视频码率和30kbps的音频码率下也能实现高清视频在网络上的完美呈现。为适应各种复杂的网络音视频协议Kylines LMT8000HD提供了多种视频格式和流媒体协议，例如RTMP, RTSP/RTP, MMS, UDP。用户可以通过网络流行的Flash播放器，VLC播放器，Windows Media Player等进行直播视频观看。可广泛用于网络视频直播，手机视频直播，远程会议，酒店VOD，校园广播，医院专家会诊等众多应用领域。Kylines LMT8000HD主要特性: H.264/AVC High Profile Level 4.1、H.264/AVC High Profile Level 4.0及H.264/AVC High Profile Level 3.0编码，先进的视频预处理算法 MBAFF（宏块自适应帧场编码） 业界首款三重B帧预测，在优秀图像质量的情况下最大程度降低带宽 先进的VXT2二阶运动预测技术、运动预测精确、提高图像细节完整性 自适应GOP结构，自动探测图像内容，自适应插入I帧 自适应加权预测技术，提高敏感区域图像质量 音频编码支持AAC ，MPEG1 Audio Layer 2 HDMI，HD/SD-SDI数字视频输入 HDMI，HD/SD-SDI数字音频输入 PAL、NTSC标清视频格式 高清720P、1080I、1080P视频格式 支持TS OVER UDP输出 支持FLV OVER RTMP输出 支持ASF OVER HTTP输出 支持向Adobe FMS发布实时直播流 支持向microsoft WMS发布时时直播流 液晶&按键操作 嵌入式WEB网络管理 超低功耗，高清编码模式8W Kylines LMT8000HD技术指标：输入 视频 1路HD/SD-SDI，BNC接口 1路HDMI (HDCP Support) 1路标清AV 音频 HD/SD-SDI内嵌音频 HDMI内嵌音频 1路立体声（左右声道）视频 分辨率 1920×1080P 1920×1080i 1280×720P 720×480P/i (NTSC) 720×576P/i(PAL) 480x320P/i 320x240P/i 编码 H.264/AVC High Profile Level 4.1(高清)H.264/AVC High Profile Level 4.0(高清)H.264/AVC High Profile Level 3.0(标清) 压缩率 1Mbps(720P60) 码率 0.8Mbps~20Mbps 码率控制 CBR/VBR GOP类型 IP IBP IBBP IBBBP IBBBBP 帧率 15Hz – 60Hz音频 编码 AAC、MPEG-1 Layer 2 采样率 48KHz 采样精度 24 bit 码率 30Kb/s~384Kb/sTS输出 2路 ASI输出，BNC接口（选配）以太网输出 TS OVER UDP FLV OVER RTMP ASF OVER HTTP操作 液晶+按键操作，网络管理(WEB)，英文操作界面 可通过网络进行软件升级机电 环境 0~45℃(工作)，-20~80℃(存储) 尺寸(宽x长x高) 1U机箱 (482mm×360mm×44.5mm) 重量 3Kg 电源 AC 110V±10%，50/60Hz或AC 220V±10%，50/60Hz 功耗 8W

北京师范大学生物多样性大数据存储系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在线上邮箱报名获取招标文件，并于2022年06月22日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。

半导体纳米线是一种独特的准一维纳米材料。它不仅是电荷的最小载体，也是构建新的复杂体系和新概念纳米器件的基元。在该领域中，新现象和新概念层出不穷，推动着材料、物理、化学等交叉学科的发展，并将对未来电子、光电子、通讯等产业产生重大影响。在这一当今最前沿的研究领域中，国际上尤其是发达国家集中了最精锐的研发力量，以期望在纳米器件的实用化方面有所突破，在未来高科技争夺战中，保持领先并居于主导地位。在纳米研究领域，美国政府仅在2005年就投入10亿美元，而日本在同一年的投入约12亿美元。 我国的《国家中长期科技发展规划纲要》中也已经把纳米科技作为基础研究重大研究计划，列入重点支持范围。其中一维功能纳米材料的控制合成、性能调控及应用研究是目前纳米材料研究的世界热点。 张跃教授承担了973、863、重大国际合作、自然科学基金杰出青年基金和面上项目等各类纳米研究方向的课题，通过创新合成方法、优化合成工艺，实现了多种形貌的一维功能纳米材料的可控制备，利用等多种手段对纳米材料的形貌、结构进行了表征，并对其生长机理、力学性能以及光致发光、场发射、导电性等物理性能进行了系统和深入的研究，特别是在碳纳米管及ZnO纳米阵列的实际应用领域取得了重要突破，其代表性成果包括： 1.改进了ZnO和掺杂ZnO一维纳米材料的制备方法。采用化学气相沉积法，在较低温条件下，通过不同工艺成功制备了纯ZnO及In、Mn、Sn等掺杂ZnO纳米棒、纳米线、纳米带、纳米电缆、纳米阵列、四针状纳米棒、纳米梳、纳米盘等多种形貌结构的纳米材料，实现了一维ZnO纳米材料较低温度条件下形态和尺度控制生长，产物品质纯净、产率高、质量好，易于工业化生产。制备方法受到国际同行的高度评价，认为是半导体制造领域中氧化物纳米结构集成方法的重大进步，不仅对从事纳米材料研究的科学家，而且对半导体产业意义重大。有关双晶ZnO纳米带的论文发表在国际知名期刊Chemical Physics Letters (2003，375：96-101)上，论文被引用60余次，位列该期刊2003至2007年被引用前50名之内。 2.提出了一维氧化锌纳米材料新的生长机理。首次合成四针状纳米氧化锌材料并揭示了该结构的八面体孪晶核生长的理论模型，该研究结果的论文发表在Chemical Physics Letters (2002,358:83-86)上，被他引更是达到了130 余次。首次发现和论证了一维氧化锌纳米结构中的螺旋位错诱导晶体生长机理，观察到了一维氧化锌纳米材料存在的大量螺旋位错、周期性的位错及生长台阶，发现生长是沿着位错进行，且与其伯格斯矢量的方向一致。 3.原位研究单根ZnO和In-ZnO纳米线的力学行为。利用TEM对单根纳米线加载交变电压使其发生共振，原位测量其本征共振频率，通过计算得出氧化锌纳米线的弯曲模量。氧化锌纳米线可以构建纳米悬臂梁和纳米谐振器，通过氧化锌纳米线构建的纳米秤，测量了黏附在纳米线自由端的纳米颗粒质量。该研究论文发表在英国物理协会的期刊J. Phys.: Condens. Matter( 2006, 18 (15), L179-L184)上，被评为该期刊2006年度的顶级论文(Top paper)，位列其中第九名，是该年度该期刊22篇Top papers研究论文中唯一由中国研究人员完成的成果。 4.合成了多种ZnS准一维纳米材料，并提出了四针状ZnS纳米结构的生长机理，指出其生长过程由立方相形核和六方相孪晶生长机制共同控制。同时率先报道了ZnS四针状纳米材料的光致发光性能，发光波长相对其它ZnS 纳米材料发生蓝移4.8~32.8nm。该研究论文发表在国际著名期刊Nanotechnology (18 (2007) 475603)上，在发表后的第一个季度内，下载量就超过250次，成为该期刊排名前10％的热点文章。 5.碳纳米管及ZnO纳米阵列的实际应用取得了重要突破。采用涂敷和CVD两种方法成功制备了多种大面积碳纳米管阴极，采用水热合成法制备了大面积一维纳米ZnO阵列阴极。首次研究了纳米阴极的强流脉冲发射性能，其中碳纳米管阴极的发射电流密度高达344 A/cm2，ZnO阴极的发射电流密度达到123A/cm2。系列研究成果发表在Carbon、Appl. Phys. Lett.等国际著名期刊上。研制的多种纳米阴极在线性感应加速器上已经得到成功应用，阴极的发射电流强度及发射电子的均匀性远远高于现有的阴极性能指标。 张跃教授有关纳米材料的研究成果获教育部高等学校科学技术奖（自然科学奖）二等奖1项（2006-052），完成专著1部，另合作出版专著1部，发表论文80 余篇（其中SCI 40余篇、EI 近20 篇），重要成果发表在Appl. Phys. Lett.、Carbon、Advan. Funct. Mater.、 J. Physical Chemistry C、Chemical Physics Letters、J. Phys.: Condens. Matter、J. Physics D: Applied Physics、J. Nanosci. Nanotech.等国际知名期刊上，申报12项发明专利（已授权5项）。发表研究论文中的4 篇代表性论文，已被引用300余次，单篇他引超过130次。

本发明公开了一种二维材料的折叠系统及其使用方法。在衬底上放置二维材料；将热释放胶带的黏性面粘在折纸臂上。通过显微镜筒，操控XYZR四轴微调平台和XYZ三轴微调平台，使得热释放胶带的另一面对准二维材料后，向下移动折纸臂，使得热释放胶带与二维材料紧密接触并粘合；抬起折纸臂，使得二维材料部分从衬底剥离；横向移动折纸臂，对二维材料进行形变弯折；向下移动折纸臂并施加一定的压力，对获得的结构进行定型；加热折纸臂上的热释放胶部分，对二维材料进行释放；释放后，向上移动折纸臂，获得经过折叠的二维材料；重复该操作，获得所需折叠结构。本发明系统可操作性强，可获得多种折纸结构。

本发明提供一种基于光谱抽样直方图的超光谱降维匹配方法及系统，包括对待匹配光谱和光谱库中 的所有光谱分别进行归一化处理，分别获取归一化后的待匹配光谱和光谱库中所有光谱的抽样直方图， 计算待匹配光谱的抽样直方图与光谱库中所有光谱的抽样直方图的欧氏距离，在光谱库中选取与待匹配 光谱抽样直方图欧氏距离最小的一条光谱作为匹配对象。本发明通过对归一化后的光谱使用等间距的窄 带进行抽样，从而获得维数远小于原始光谱的抽样直方图，完成了光谱的降维，然后使用降维后的抽样 直方图代替原始光谱进行匹配，显著降低了后续匹配时的运算量，同时在抽样时利用分段提取的方法保 留了光谱图中的相对位置信息，提高了匹配的精度。

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。