产品详细介绍Enlogic的EN1000 系列产品---IRMC级别测量系列涵盖了电能测量，功率和环境监测的功能。计费级精度的瓦-时电能测量为用户计费，PUE及效率计量，工程项目规划以及容量管理提供了精准的电能测量数据。持续的为IRMC每相的输入电源和断路器提供实时监测，该实时监测数据能在每个潜在电源问题发生之前提供预警，并保证用户更好的实现输入相和分路之间负荷的平衡，提高设备的可靠性与电源效率。 Enlogic的超薄机身及断路器的设计吻合了用户节约机柜空间的需求。每个Enlogic IRMC上可连接多达6个外置传感器，实现了完整远程监测和报警的解决方案。企业级的网络管理允许您轻松的通过HTTP, HTTPS, SNMP, 或Telnet实现管理功能；而与LDAP/S和AD（活动目录服务）的巧妙整合，允许您轻松的集成到现有的目录服务中。其他显著特点包括带色标识别的输出端口及断路器，标准的锁紧IEC插头，高可视角的OLED 显示屏，以及可现场热插拔的网络管理卡等提高了产品的可靠性并能减少人为错误造成的损失。输入允许输入电压：: 220-240 VAC +6%, -10%Phase Type: 1-phase每相输入电流：: 32A最大输入功率(kVA)：: 7.68输入频率(Hz)：: 50输入插头类型：: IEC309 332P6输入电源线长度：: 3.0m输出输出电压：: 220-240 VAC总输出端口数：: 42IEC C13 输出端口数：: 36Total # of IEC C19 Outlets: 4BS1363输出端口总数：: 2内置断路器的数量：: 2断路器类型: 1-pole hydraulic-magnetic每个断路器的最大输出电流(A)：: 16每个输出端口的最大电流：: (C13)10A, (C19)16A, (BS1363)13A物理尺寸长,mm：: 1826 mm深,mm：: 44 mm宽,mm：: 55 mmMax Depth at Circuit Breaker: 56mm外壳颜色:: Black环境要求：可运行温度：: -5 to 60°C可运行相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing最高可运行海拔高度：: 0-3,000 m存储温度：: -25 to 65°C存储相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing存储最高海拔高度：: 0-15,000 mCompliance ApprovalsEMC: 是安全认证：:环境认证::

XM-YEF新生儿生长发育指标测量仿真模型   功能特点： ■ XM-YEF新生儿生长发育指标测量仿真模型共有3种不同生长指标的新生儿仿真模型，此3种模型人为1套，供学生训练与考核用。 ■ 3种新生儿模型均为男性，其身高分别为52cm、50cm、47cm，头围分别为42cm、34cm、31cm，体重分别为3kg、2kg、1.7kg。 ■ 身长测量：新生儿仿真模型的关节可活动，在自然状态下腿部呈M型，在测量新生儿身长时，操作者可拉直新生儿的关节，并且可推直新生儿的脚，使之与腿部呈90度角。  ■ 可进行新生儿抱持、包裹、擦浴、穿衣、换尿布、喂奶、清洁眼、耳、鼻等基础护理操作，可测量体重、胸围、腹围、头围等。 ■ 可进行皮肤护理。

      WMG-3型压电陶瓷干涉测量实验仪通过系统软件控制，测量压电陶瓷的压电常数及其振动的频率响应特性。 主要技术特点： 光源：氦氖激光器，波长632.8nm，功率≥1.5mW，单模TEM00，全保护安全高压插头，腔长250mm。 压电陶瓷：管状，在内外壁上分别镀有电极，以施加电压。 结构：采用全新的平台式迈克尔干涉仪设计，便于在光路中加入被测物质；开放式的空间，使等厚干涉、等倾干涉及各种条纹的变动易于调整，方便精密测量。 基座：采用铸铁基座作为实验平台，保证了实验过程的稳定性。 软件：具有数据采集、数据处理、数据保存等功能。  

一、产品简介        光纤通信作为一门新兴技术，它具有容量大、中继距离长、保密性好、不受电磁干扰和节省铜材等优点。近年来发展速度快，已被广泛应用到军事通信、民用通信等各种领域，是世界新技术革命的重要标志和未来信息社会中各种信息的主要传送工具。光缆是当今信息社会各种信息网的主要传输工具，它将取代传统的线路时代，目前在人们的生活和工作中应用广泛。为此公司研制出本实验系统，让学生了解和认识光纤光缆，是学校金工实习（工程实习）与工程检测的不二之选。 二、教学目的  1、熟悉光纤光缆型号及结构，掌握其装配方法、使用环境及保护措施等； 2、了解光缆的开缆工具及开缆过程； 3、熟悉掌握光纤接续基本过程； 4、了解并掌握OTDR的操作方法及注意事项； 5、掌握在手动和自定义模式下，熔接参数对溶解性的影响； 6、了解掌握OTDR及可见光对故障点的定位方法； 7、观测光纤尾端在不同连接头情况下的OTDR曲线； 8、熟悉光缆接续盒的结构，掌握光缆接续的注意事项； 三、实验内容 1、不同种类光纤光缆及光器件的认知和操作实验； 2、剥纤、清洁、切纤及光纤接续实训操作实验； 3、熔接机原理及使用实训操作实验； 4、基于剪断法的熔接损耗测量实验； 5、利用OTDR测量光纤长度实验； 6、利用OTDR测量光纤损耗实验； 7、手动模式下，光纤熔接实训实验； 8、自定义模式下，光纤熔接实训实验；

量子隐形传态是建立远距离量子网络的关键技术之一。相比二维系统，高维量子网络具有更高的信道容量、更高的安全性等优点，受到人们的广泛关注。如何实现高效的高维量子隐形传态，从而实现高效的高维量子网络是当前量子信息领域的研究热点之一。 为了实现高维量子通信，李传锋、柳必恒等人从2016年开始采用光子的路径自由度编码，解决了路径比特的相干性问题[PRL 117, 220402 (2016)]，制备出了高保真度的三维纠缠态[PRL 117, 170403(2016)]；解决路径维度扩展问题，实现了32维量子纠缠态[PRL 125, 080503 (2020)]；解决路径自由度的传输问题，实现了高维量子纠缠态在11公里光纤中的有效传输[Optica 7, 738 (2020)]等。研究组从2017年起开始了高维量子隐形传态的实验研究。然而理论研究表明，在线性光学体系中，必须采用辅助粒子才能实现高维量子隐形传态。 为了实现高维量子隐形传态，研究组首先巧妙的提出了纠缠辅助的方式，利用log2d-1个辅助纠缠光子对就可以高效的实现d维的量子隐形传态，从而解决了资源消耗问题。然后实验上利用主动反馈技术实现路径间的相位锁定，干涉可见度在45小时内保持在0.98的水平，从而利用六光子系统实现了三维的量子隐形传态。研究组对三维量子隐形传态过程做了过程层析，保真度达到0.596，以7个标准差超过了经典极限值1/3，证实了三维量子隐形传态过程的量子特性。高效的高维量子隐形传态的实现为构建高效的高维量子网络打下坚实的基础。

项目成果/简介:量子隐形传态是建立远距离量子网络的关键技术之一。相比二维系统，高维量子网络具有更高的信道容量、更高的安全性等优点，受到人们的广泛关注。如何实现高效的高维量子隐形传态，从而实现高效的高维量子网络是当前量子信息领域的研究热点之一。 为了实现高维量子通信，李传锋、柳必恒等人从2016年开始采用光子的路径自由度编码，解决了路径比特的相干性问题[PRL 117, 220402 (2016)]，制备出了高保真度的三维纠缠态[PRL 117, 170403(2016)]；解决路径维度扩展问题，实现了32维量子纠缠态[PRL 125, 080503 (2020)]；解决路径自由度的传输问题，实现了高维量子纠缠态在11公里光纤中的有效传输[Optica 7, 738 (2020)]等。研究组从2017年起开始了高维量子隐形传态的实验研究。然而理论研究表明，在线性光学体系中，必须采用辅助粒子才能实现高维量子隐形传态。 为了实现高维量子隐形传态，研究组首先巧妙的提出了纠缠辅助的方式，利用log2d-1个辅助纠缠光子对就可以高效的实现d维的量子隐形传态，从而解决了资源消耗问题。然后实验上利用主动反馈技术实现路径间的相位锁定，干涉可见度在45小时内保持在0.98的水平，从而利用六光子系统实现了三维的量子隐形传态。研究组对三维量子隐形传态过程做了过程层析，保真度达到0.596，以7个标准差超过了经典极限值1/3，证实了三维量子隐形传态过程的量子特性。高效的高维量子隐形传态的实现为构建高效的高维量子网络打下坚实的基础。

基于大数据和 AI 的应用，可实现复杂场景下的网络问题识别、多场景优化方案的协同策略方案的动态和自动化执行。可以构建智能网络规划及运维平台，以实现极致性能和极简运维，使能新业务的自动化覆盖优化、移动性优化、负载均衡优化、节能优化、故障分析与定位。同样可以基于无线数据和视频数据融合的用户个体及群体行为在多场景应用下，充分发挥5G的优势，创造巨大的社会效益。

首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。

研究了二维铁磁材料VI 3

本实用新型公开了一种薄型电动二维精密平台，包括上平台、下平台以及联接安装在两者之间且整体呈平板结构的中间连接件，其中中间连接件的上表面与上平台底座表面相互平行，并在两者之间保持间隙用于储存润滑介质；该上表面的两侧还分别设置有沿着 X 轴方向分布的导轨副，同时通过设置在外侧凹陷区域的 X 向电机和第一精密螺纹丝杆传动单元，使上平台沿着导轨副在 X 轴方向上移动。该中间连接件的下表面结构与上表面相类似。通过本实用新型，能够在显著减少平台整体厚度的情况下，在 X 轴和 Y 轴两个运动方向上实现高精度和较大