HLY-2电脑心肺听诊仪（二十人以上教学用）   HLY-2型电脑心肺听诊仪由电脑芯片控制，在临床患者身上录制了 34种典型的心音和呼吸音，经过高保真技术处理编辑制成语言芯片，学员通过听诊器可进行真实听诊，其声音真实，最多可供20人同时听诊，每个输出器上有5个听诊插座。   心音序号和名称： 1、生理性杂音 2、二尖瓣关闭不全 3、二尖瓣狭窄（舒张中期） 4、二尖瓣狭窄（收缩期前） 5、二尖瓣狭窄（关闭不全） 6、海鸥鸣 7、主动脉瓣狭窄 8、主动脉瓣关闭不全 9、主动脉瓣狭窄（关闭不全） 10、室间隔缺损 11、动脉导管未闭 12、正常心音 13、第一心音减弱 14、第二心音增强 15、大炮音 16、第二心音增强 17、第一心音分裂 18、第二心音分裂 19、生理性第三心音 20、开瓣音 21、舒张早期奔马律 22、收缩期前奔马律 23、喷射音 24、喀喇音 25、四音律 26、窦性心律不齐 27、房颤 28、二联律 29、心包摩擦音 30、湿罗音 31、哮鸣音 32、胸膜摩擦音 33、混合性呼吸音 34、支气管呼吸音

产品详细介绍供应地理园地理模型：大型立体地球仪，球体直径分另有：100cm,130cm,150cm.

产品详细介绍特征: 气态和液态的甲醛标定. 微处理器，自动化操作 甲醛渗透源和液态甲醛标准物标定 水中甲醛的测量范围：0 to 30.0 ug/l，0 to 300 ug/l，0 to 1.5 mg/l 空气中甲醛测量范围： 0 to 20.0 ppbV，0 to 200 ppbV，0 to 2.0 ppmV 空气中甲醛检测限： < 50 ppt. 水中甲醛检测限： < 100 ng/l 坚固耐用，使用方便 RS232 输出和模拟输出   测量原理： 甲醛的检测是基于汉奇(Hantzsch)反应，该方法对于水中甲醛的测定非常灵敏。对于气态的甲醛测定我们需要用溶液捕获甲醛，然后进行测量。     产地：德国    

产品详细介绍  HOUND系列气体分析仪，是一个便携式气体分析仪，能检测ppb浓度范围的有害污染物。系统利用气体对紫外的吸收状况，测量气体浓度。宽波段微型光谱仪采集气体光谱“指纹”，软件和标准光谱库比对计算污染物浓度。紫外光谱测量原理，类似于红外的原理，一般监测范围大于红外光谱仪。   UV Hound分析仪有两种型号可选：标准版和Mini版。   标准版 Ø       Light weight and portable Ø       17m path length Ø       Can be powered by a DC cigarette lighter Ø       Operational range in parts per billion Ø       Can be fitted with an internal optical cell   Mini版 Ø       Light weight and extremely portable Ø       7.5m path length Ø       Can be powered by a DC cigarette lighter Ø       Operational range in parts per billion   可选输出：RS-232、RS-422、RS-485和4-20mA 可方便与其他系统集成。     产地：美国

产品详细介绍LS1206B型旋桨式流速仪LS1206B型旋桨式流速仪是一种在水文测验中进行流速测量的常规通用型仪器，用于江河、湖泊、水库、水渠等过水断面中预定测点的时段平均流速的测量，亦可用于压力管道以及某些科学实验中进行流速测量。LS1206B型旋桨式流速仪广泛适用于水文测验、水利调查、农田灌溉、径流实验等，亦可适用于水电、环保、矿山、交通、地质、科研院所、市政等行业或部门进行相关流速或流量的监测。 主要技术性能及参数1． 旋桨回转直径： Φ70mm2． 旋桨水力螺距b： 120mm（理论值）3． 起转速度v0： 0.05m/s4． 临界速度vk： 约0.13m/s（以实际检定值为准。据统计分析，vk远小于上述值。）5． 测速范围： 0.06m/s～8m/s6． 输出信号： 磁激式开关接点通断信号7． 信号数/转子转数： 2/1（每转2个信号）8． 开关接点容量： DC U≤24V　　　　　　　　　I≤120mA9． 开关接点寿命：≥107次10． 全线相对均方差m： |m|≤1.5% （用于v≥vk时）11． 相对误差δ： |δ|≤5%（用于v＜vk时）12． 工作水体环境： 水温0℃～＋40℃　　　　　　　　　　水深0.1m～30m　　　　　　　　　　　悬移质含沙量≤30kg/m313． 连续工作时间： ≤8h14． 贮存环境： 温度－25℃～＋55℃　　　　　　　　湿度≤90%RH联系人：崔经理    手机：13598007836  电话：0371-53735520      QQ:1043256882    邮箱：hongdaerck@126.com   网址：www.hdekj.com

半导体纳米线是一种独特的准一维纳米材料。它不仅是电荷的最小载体，也是构建新的复杂体系和新概念纳米器件的基元。在该领域中，新现象和新概念层出不穷，推动着材料、物理、化学等交叉学科的发展，并将对未来电子、光电子、通讯等产业产生重大影响。在这一当今最前沿的研究领域中，国际上尤其是发达国家集中了最精锐的研发力量，以期望在纳米器件的实用化方面有所突破，在未来高科技争夺战中，保持领先并居于主导地位。在纳米研究领域，美国政府仅在2005年就投入10亿美元，而日本在同一年的投入约12亿美元。 我国的《国家中长期科技发展规划纲要》中也已经把纳米科技作为基础研究重大研究计划，列入重点支持范围。其中一维功能纳米材料的控制合成、性能调控及应用研究是目前纳米材料研究的世界热点。 张跃教授承担了973、863、重大国际合作、自然科学基金杰出青年基金和面上项目等各类纳米研究方向的课题，通过创新合成方法、优化合成工艺，实现了多种形貌的一维功能纳米材料的可控制备，利用等多种手段对纳米材料的形貌、结构进行了表征，并对其生长机理、力学性能以及光致发光、场发射、导电性等物理性能进行了系统和深入的研究，特别是在碳纳米管及ZnO纳米阵列的实际应用领域取得了重要突破，其代表性成果包括： 1.改进了ZnO和掺杂ZnO一维纳米材料的制备方法。采用化学气相沉积法，在较低温条件下，通过不同工艺成功制备了纯ZnO及In、Mn、Sn等掺杂ZnO纳米棒、纳米线、纳米带、纳米电缆、纳米阵列、四针状纳米棒、纳米梳、纳米盘等多种形貌结构的纳米材料，实现了一维ZnO纳米材料较低温度条件下形态和尺度控制生长，产物品质纯净、产率高、质量好，易于工业化生产。制备方法受到国际同行的高度评价，认为是半导体制造领域中氧化物纳米结构集成方法的重大进步，不仅对从事纳米材料研究的科学家，而且对半导体产业意义重大。有关双晶ZnO纳米带的论文发表在国际知名期刊Chemical Physics Letters (2003，375：96-101)上，论文被引用60余次，位列该期刊2003至2007年被引用前50名之内。 2.提出了一维氧化锌纳米材料新的生长机理。首次合成四针状纳米氧化锌材料并揭示了该结构的八面体孪晶核生长的理论模型，该研究结果的论文发表在Chemical Physics Letters (2002,358:83-86)上，被他引更是达到了130 余次。首次发现和论证了一维氧化锌纳米结构中的螺旋位错诱导晶体生长机理，观察到了一维氧化锌纳米材料存在的大量螺旋位错、周期性的位错及生长台阶，发现生长是沿着位错进行，且与其伯格斯矢量的方向一致。 3.原位研究单根ZnO和In-ZnO纳米线的力学行为。利用TEM对单根纳米线加载交变电压使其发生共振，原位测量其本征共振频率，通过计算得出氧化锌纳米线的弯曲模量。氧化锌纳米线可以构建纳米悬臂梁和纳米谐振器，通过氧化锌纳米线构建的纳米秤，测量了黏附在纳米线自由端的纳米颗粒质量。该研究论文发表在英国物理协会的期刊J. Phys.: Condens. Matter( 2006, 18 (15), L179-L184)上，被评为该期刊2006年度的顶级论文(Top paper)，位列其中第九名，是该年度该期刊22篇Top papers研究论文中唯一由中国研究人员完成的成果。 4.合成了多种ZnS准一维纳米材料，并提出了四针状ZnS纳米结构的生长机理，指出其生长过程由立方相形核和六方相孪晶生长机制共同控制。同时率先报道了ZnS四针状纳米材料的光致发光性能，发光波长相对其它ZnS 纳米材料发生蓝移4.8~32.8nm。该研究论文发表在国际著名期刊Nanotechnology (18 (2007) 475603)上，在发表后的第一个季度内，下载量就超过250次，成为该期刊排名前10％的热点文章。 5.碳纳米管及ZnO纳米阵列的实际应用取得了重要突破。采用涂敷和CVD两种方法成功制备了多种大面积碳纳米管阴极，采用水热合成法制备了大面积一维纳米ZnO阵列阴极。首次研究了纳米阴极的强流脉冲发射性能，其中碳纳米管阴极的发射电流密度高达344 A/cm2，ZnO阴极的发射电流密度达到123A/cm2。系列研究成果发表在Carbon、Appl. Phys. Lett.等国际著名期刊上。研制的多种纳米阴极在线性感应加速器上已经得到成功应用，阴极的发射电流强度及发射电子的均匀性远远高于现有的阴极性能指标。 张跃教授有关纳米材料的研究成果获教育部高等学校科学技术奖（自然科学奖）二等奖1项（2006-052），完成专著1部，另合作出版专著1部，发表论文80 余篇（其中SCI 40余篇、EI 近20 篇），重要成果发表在Appl. Phys. Lett.、Carbon、Advan. Funct. Mater.、 J. Physical Chemistry C、Chemical Physics Letters、J. Phys.: Condens. Matter、J. Physics D: Applied Physics、J. Nanosci. Nanotech.等国际知名期刊上，申报12项发明专利（已授权5项）。发表研究论文中的4 篇代表性论文，已被引用300余次，单篇他引超过130次。

本发明公开了一种二维材料的折叠系统及其使用方法。在衬底上放置二维材料；将热释放胶带的黏性面粘在折纸臂上。通过显微镜筒，操控XYZR四轴微调平台和XYZ三轴微调平台，使得热释放胶带的另一面对准二维材料后，向下移动折纸臂，使得热释放胶带与二维材料紧密接触并粘合；抬起折纸臂，使得二维材料部分从衬底剥离；横向移动折纸臂，对二维材料进行形变弯折；向下移动折纸臂并施加一定的压力，对获得的结构进行定型；加热折纸臂上的热释放胶部分，对二维材料进行释放；释放后，向上移动折纸臂，获得经过折叠的二维材料；重复该操作，获得所需折叠结构。本发明系统可操作性强，可获得多种折纸结构。

本发明提供一种基于光谱抽样直方图的超光谱降维匹配方法及系统，包括对待匹配光谱和光谱库中 的所有光谱分别进行归一化处理，分别获取归一化后的待匹配光谱和光谱库中所有光谱的抽样直方图， 计算待匹配光谱的抽样直方图与光谱库中所有光谱的抽样直方图的欧氏距离，在光谱库中选取与待匹配 光谱抽样直方图欧氏距离最小的一条光谱作为匹配对象。本发明通过对归一化后的光谱使用等间距的窄 带进行抽样，从而获得维数远小于原始光谱的抽样直方图，完成了光谱的降维，然后使用降维后的抽样 直方图代替原始光谱进行匹配，显著降低了后续匹配时的运算量，同时在抽样时利用分段提取的方法保 留了光谱图中的相对位置信息，提高了匹配的精度。

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。