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联奕科技股份有限公司 2021-02-01
一种可变拓扑结构的两栖机器人足机构
本实用新型公开了一种可变拓扑结构的两栖机器人足机构,包括第一至第四驱动模块、髋关节连接模块和小腿模块;第一至第四驱动模块具有相同的结构;每个驱动模块均包括尾轴、U 型主支架、驱动单元和圆舵盘。四个可独立驱动的驱动模块,在非人为干预的条件下通过冗余驱动可同时实现陆地及水中运动构型,并具备良好的扩展性能,可便捷地装配至四足两栖机器人或者六足两栖机器人,使得两栖机器人具有很强的环境适应性。陆地运动状态以髋关节、俯仰关节和膝关节为驱动关节,旋转关节冗余;水下运动状态则以髋关节、俯仰关节和旋转关节为驱动关节,膝关节冗余。本实用新型具有运动形式丰富,关节回转角度大,扩展性强,机动性、灵活性好等优点。
华中科技大学 2021-04-11
在拓扑材料ZrTe5中观察到的spin zero现象
通过研究三维狄拉克半金属材料ZrTe5中量子振荡随磁场倾角的演化,发现在特定角度电阻的量子振荡会突然消失,并伴随出现振荡相位的反转。分析表明这是所谓的spin zero现象,这也是第一次在拓扑材料中观察到该现象。更重要的是,这一现象带来的振荡相位反转,表明广泛使用的确定贝里相的实验方法,在某些条件下会得出错误结论。 拓扑材料在强磁场下由于轨道作用和自旋塞曼劈裂,可能演化出不同的拓扑态,从而为研究这些态之间的转化,即拓扑相变,提供了理想的平台。Spin zero现象是由于朗道能级发生塞曼劈裂,两套劈裂的朗道能级的量子振荡相互叠加干涉引起的,因此可以提取出自旋相关的信息。ZrTe5中spin zero现象的出现,暗示当磁场沿a轴或c轴附近时,ZrTe5的狄拉克能带磁场作用下变成线节点拓扑半金属,而非外尔半金属。所以,spin zero的出现,也可以用于帮助判定拓扑态的类别。图表1:ZrTe5中量子振荡的振幅和相位随磁场角度的变化。
北京大学 2021-04-11
在拓扑外尔半金属晶体中观测到非平庸的超导特性
通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算,在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的,掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合,在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比,发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙,而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值(Δ/kBTc)约为8.6,远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值(约为1.76),表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制,极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量,发现这种材料为s波超导体,且它的超导能隙的带间耦合很强,超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后,又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言,拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现,证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性,推动了拓扑超导相关领域的进一步发展,也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据,揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线,拟合结果发现带间耦合比较大,表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙,揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下,超导能隙是1.7 meV,远大于体态的超导能隙,且能隙与临界温度的比值约为约为8.6,远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值(1.76)。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时,不同磁场下的超导dI/dV谱,超导能隙被外加磁场所抑制。
北京大学 2021-04-11
用于模块化多电平换流器的子模块拓扑及其应用
本发明公开了一种用于模块化多电平换流器中的子模块拓扑结 构,包括:相互串联的第一开关模块和第二开关模块,其中第一开关 模块的负端与第二开关模块的正端相连接,开关模块由一个全控型器 件和一个二极管反并联而成;直流电容,其正极和负极分别与第一开 关模块的正端和第二开关模块的负端相连接;还包括第三开关模块, 其与第一开关模块和第二开关模块电气连接,使得正常工作时该第三 开关模块的全控型器件一直施加触发脉冲从而一直处于导通状态,而 发生直流故障时通过闭锁该第三开关模块的触发脉冲实现阻断直流故 障电流。本发明
华中科技大学 2021-04-14
维意真空高真空金属有机蒸发镀膜机支持定制
EV-400高真空金属有机蒸发镀膜机 真空腔室:前开门真空腔体,方便取放基片、更换钨舟、添加蒸发材料以及真空室的日常维护保养; 真空系统:国产分子泵作为主抽泵,真空极限优于5.0✕10-5Pa(经烘烤除气后);另可选进口磁悬浮分子泵或是低温泵作为主抽泵,真空极限优于3.0✕10-6Pa(经烘烤除气后); 真空抽速:大气~8✕10-4Pa≤30min; 蒸发源:4~6组欧美技术金属或是有机束源炉蒸发源可选,多源共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜,功能强大,性能稳定; 蒸发电源:真空专业蒸发电源,恒流/恒功率控制。电流、功率可预先设置,可实现一键启动和停止的自动控制功能; 基片台:最大120mm基片/15~25mmITO/FTO玻璃25片,可定制一体化高精度刻蚀掩膜板;基片台公转,转速0~20r/min连续可调; 基片台功能:衬底可选择加热(室温~300℃可调可控)或水冷,基片台可选升降,源基距最大350mm; 溅射电源:直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选; 膜厚监控仪:可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪; 可镀材料:可沉积金属(Au、Ag、Al、Ca、Cu、Mg、Fe、Cr、Ti、Ni等)、非金属、化合物(MoO3、LiF等)及有机材料,可拓展沉积单层膜、多层膜及混合膜; 控制方式:PLC+触摸屏控制系统,具备漏气自检与提示、通讯故障,实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司 2025-04-25
《关于促进长三角科技创新协同发展的决定》9月1日起施行
以法治力量推动区域科技创新协同发展再添新样本。
云上高博会 2025-08-05
维意真空多靶高真空磁控溅射镀膜机支持定制
MS-450高真空多靶磁控溅射镀膜机 真空腔室:直径450✕H400mm,1Cr18Ni9Ti优质不锈钢材质,氩弧焊接,前开门结构; 真空系统:机械泵+分子泵(进口和国产可选); 极限真空:优于5✕10-5Pa(经烘烤除气后); 真空抽速:大气~8✕10-4Pa≤30min; 升降基片台:2~6英寸基片台,靶基距60~120mm连续在线自动可调,旋转0~20r/min可调,可加热至500℃(可选水冷功能),可选配偏压清洗功能; 磁控靶:直径3英寸2~4只(可升级成直径4英寸靶2~3只),兼容直流和射频,可以溅射磁性材料的靶材; 溅射电源:直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选; 质量流量计:2~3路工艺气体,可根据工艺要求增加; 膜厚监控仪:可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪; 控制方式:PLC+触摸屏控制系统,具备漏气自检与提示、通讯故障,实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司 2025-04-25
维意真空手套箱金属有机蒸发镀膜机支持定制
SEV-400手套箱金属有机蒸发镀膜机 真空腔室:采用立式方形结构,前门为水平滑开式,位于手套箱体内部,前开门便于蒸发材料和样片在保护环境下装卸,后开门便于真空室的清理维护(后门带锁紧装置在充气条件下保持腔室密闭与大气环境隔离),整机位于手套箱体下面,节约占地面积; 真空系统:国产分子泵作为主抽泵,真空极限高达2.0✕10-5Pa,另可选进口磁悬浮分子泵或是低温泵作为主抽泵,真空极限高达3.0✕10-6Pa; 真空抽速:大气~5✕10-4Pa≤30min(手套箱环境中); 基片台:最大120mm基片/15~25mmITO/FTO玻璃25片,可定制一体化高精度刻蚀掩膜板,基片台公转,转速0~20r/min可调,衬底可选择加热(室温~300℃可调可控)或水冷,基片台可选升降,源基距最大350mm; 蒸发源及电源:4~6组欧美技术金属或有机束源炉蒸发源可选,多元共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜,功能强大,性能稳定;真空专业蒸发电源,恒流/恒功率控制,电流、功率可以预先设置,可实现一键启动和停止的自动控制功能; 膜厚监控仪:采用国产或进口膜厚监控仪在线监测和控制蒸发速率、膜厚; 控制方式:PLC+触摸屏控制系统,具备漏气自检与提示、通讯故障,实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司 2025-04-27
“铁磁体/拓扑绝缘体异质结构界面存在磁性斯格明子的证据
磁性斯格明子是由拓扑保护的纳米涡旋磁结构,其微观的形成机制与非共线性作用(Dzyaloshinskii—Moriya Interaction)有关。该结构在物理上可以被看成一种受拓扑保护的磁准粒子,拥有很长的寿命,可被电流、热、光等条件所驱动。值得一提的是,其存在和消失的这两种状态可以被定义为磁存储中的“1”和“0”状态,使它成为一种颇具潜力的存储信息载体,在未来的自旋电子学和存储领域具有巨大的应用潜力。
南方科技大学 2021-04-14
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