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一种激光重熔扫描碳化物弥散增强铝合金的快速制造方法
本发明公开了一种激光重熔扫描碳化物弥散增强铝合金的快速 制造方法,包括以下步骤:(1)在计算机上建立零件三维模型,然后将 所述零件三维模型转成 STL 格式并导入到激光选区熔化成形设备中; (2)将铝合金粉末和碳化物粉末混合,然后采用球磨机进行球磨混合均 匀;(3)将球磨后的混合粉末转移到激光选区熔化成形设备里,在惰性 气体保护下,根据三维模型数据对混合粉末进行成形;(4)采用线切割 工艺将成形的零件从所述基板上分离
华中科技大学 2021-04-14
一种高效利用返回渣的电渣重熔精炼渣的使用方法
(专利号:ZL 201510033260.3) 简介:本发明公开了一种高效利用返回渣的电渣重熔精炼渣的使用方法,属于电渣重熔精炼渣技术领域。本发明电渣重熔精炼渣由如下质量百分比的组分组成:电渣重熔返回渣50~80%,萤石16~35%,氧化铝粉4~10%,石灰0~5%。其制备方法为:将以上成分组成的新渣系混匀后在化渣炉内预熔,然后将液态熔渣采用风淬的方法破碎。其使用方法为:将利用返回渣制备的电渣重熔精炼渣进行烘烤,然后采用焦炭作为引弧剂,在
安徽工业大学 2021-01-12
SC-G自动考种及千粒重分析仪(含玉米果穗)
产品详细介绍SC-G型自动考种及千粒重分析仪(含玉米果穗考种)1、货物名称:SC-G型自动考种及千粒重分析仪(含玉米果穗考种)玉米自动考种及千粒重分析仪所配的各种种粒自动考种及千粒重分析仪2、主要用途:SC-G型自动种子考种分析及千粒重仪系统是根据图像识别原理来实现自动分析的。目标照明模式可在背光和普通日光之间切换。可用于各类农作物实粒种子(谷粒、玉米、小麦、油菜籽等)的精确考种、各类粮库的虫口计数分析,以及另加配件后可做发芽率、均匀度分析,可兼做表面光滑的昆虫计数或虫卵计数(如:米象、蚜虫、蚕卵、鱼籽等),以及被当作种子净度工作台用于种子净度检验。内置支持网上在线升级的模块。3、主要性能指标配A3幅面最高分辨率1600dpi × 1600dpi、紫光M1彩色扫描仪。可分析各类种粒的种粒直径1~20mm。扫描仪分析工作区:A3幅面(431.8mm×304.8 mm)。可同时成像分析10个玉米果穗、35个玉米截面、1000粒左右玉米籽粒。配500万像素分辨率的彩色数码拍摄仪,及超薄的背光光源板(大于A4幅面),具有图像调整、观察特性。1).籽粒数分析速度、精度:自动数粒速度:1500~3000粒/分钟(玉米籽粒),其它籽粒为1200~20000粒/分钟,数粒误差≤±0.1~0.4%,监视修正即达100%正确。具有相机画面畸变、背光板均匀性的自动矫正特性,有效减小尺寸测量误差。对于直径较小的种粒(如油菜籽、蔬菜籽),单批次考种数量在5000-10000粒。可根据实际需求自行创制一键自动分析向导,适用于水稻、小麦、玉米、豆类、油菜籽、瓜子、蔬菜籽等各类农作物的自动精确考种,自动测出籽粒数、各籽粒的粒形参数(长、宽、长宽比、面积、等效直径、周长等),以及其平均值,能精准显示种粒外接矩形,并可自动排序输出,及可输出粒径分布图表。自动千粒重分析的精度误差:≤±0.5%。具有对被分析目标颜色、形状进行自学习和再学习,并实现自动分类的特性,以及品种比对特性。能大批量自动分析成像后的种粒图片。2).果穗、截面分析速度、精度:同时成像分析玉米果穗:10个/次/分钟、玉米截面:35个/次/分钟。全自动测出各玉米穗长、穗粗、秃尖长、左右穗缘角、穗行角、平均行粒数、粒厚、截面穗行数、穗粗、轴粗,以及其平均值,可自动测出各玉米截面上的平均粒长、平均粒宽等参数。3).有被测样本条码、电子天平RS232重量数据的自动输入接口,插上电脑条码枪即可刷入样本条码编号;电子天平上的被测样本重量数据可一键送到电脑保存为EXCEL表。4).分析过程为全程电脑控制,高效、准确、简便易用,真正一键式操作,鼠标一点,结果即现。5).辅助删补:用鼠标选择增加/删除,或直接用鼠标在屏上手工计数,以确保100%正确。目标区的个性化计数:对工作区视野中任选范围或矩形范围内的计数。6).分析数据导出:分析图像结果可保存,以及按大小形状排列输出,自动形成总报表,统计分析结果能输出至Excel表,以及,以及按宽度、长度、面积等输出的排列图和测量图。3. 供货配置表:SC-G型自动考种及千粒重分析系统 数量 备注SC-G型自动考种及千粒重分析软件及《简明手册》 1张 光盘,3年免费升级软件锁 1个 1年保换、2年保修SC-G型自动考种及千粒重分析系统软件质量三包卡 1张 光盘电子文档中A3幅面的紫光M1彩色扫描仪 1台 紫光公司全国联保1年USB2.0接口的拍摄仪(彩色500万像素) 1台 非人为损坏,质保1年超薄的背光光源板(A4幅面工作台板) 1个 非人为损坏,质保1年带RS232通讯接口的量程220g电子天平(精度1mg) 1台 生产厂家联保1年RS232接口通讯传输线 1条 非人为损坏,质保1年种粒成像盘、种粒收纳小盘 各1 4. 推荐电脑配置(需另配,由投标的经销商在当地找供应商)品牌电脑(酷睿i5 CPU / 8G内存/ 19.5”彩显/无线网卡,5个以上USB2.0口,运行环境Windows 10完整专业版或旗舰版)
杭州万深检测科技有限公司 2021-08-23
一种可见光目标轮廓模型指导的飞机感兴趣区测谱方法
本发明公开了一种可见光目标轮廓模型指导的飞机感兴趣区测谱方法,包括:(1)建立典型飞机目标轮廓姿态数据库;(2)对实测飞机目标可见光图像进行测谱,包括:(2.1)获取飞机目标的可见光图像;(2.2)获得目标轮廓特征;(2.3)用目标轮廓匹配步骤(1)中建立的轮廓姿态数据库,得到飞机的对应姿态,以及在此种姿态下的部件对应几何关系;(2.4)根据轮廓与各个部件之间的相互关系,寻找目标各部件测谱的中心位置坐标;(2.5)把
华中科技大学 2021-04-14
一种产生宽谱带可连续调谐相干极紫外光源的方法及装置
本发明公开一种产生宽谱带可连续调谐相干极紫外光源的方法及装置,所述方法为:产生飞秒激光光束,将激光光束聚焦于工作气体处,在真空环境下所述激光光束与所述工作气体相互作用产生高次谐波;调整所述激光光束的入射能量或所述工作气体的气压,以改变高次谐波的相位匹配条件,使得高次谐波频率发生红移或蓝移,从而实现极紫外光源各阶次谐波辐射波长的连续调谐。本发明还提供了实现上述方法的装置。实施本发明可实现极紫外光源各阶次谐波辐射波长的连续调谐。
华中科技大学 2021-04-14
一种基于超连续谱的波长可调谐相干光检测系统及方法
本发明公开了一种基于超连续谱的波长可调谐相干光检测系统, 包括高非线性光纤、可调谐光滤波器、光谱仪、90°混频器、四个光 电平衡探测器、模数转换单元和信号处理单元;飞秒脉冲光经过高非 线性光纤后获取覆盖 C 波段、光谱平坦、具有相干性的超连续谱;通 过可调谐光滤波器对该超连续谱进行滤波,获取到中心波长和光谱宽 度可调的脉冲光,将其作为本地采样脉冲,与待测光信号在 90°混频 器中发生偏振相干混频;将相干混频后的光信号
华中科技大学 2021-04-14
一种分辨 N2 分子振转 Raman 谱的双光栅光谱仪系统
本发明公开了一种测量大气水 Raman 谱和气溶胶荧光谱的激光雷达系统。该系统由发射单本发明 公开一种分辨 N2 分子振转 Raman 谱的双光栅光谱仪系统。包括信号馈入单元、光学色散单元和信号检 测单元。信号馈入单元采用集束光纤将传导的信号光馈入光学色散单元;光学色散单元包含两组级联的 准 Littrow 结构布局的单光栅色散系统;信号检测单元分辨与记录色散后的通带范围内谱信号。在波长 354.8nm 紫外激光辐射下,由 N2 分子产生的 Stokes 振转 Raman 谱中心波长为 386.8nm,对称分布在两 侧的 O 支与 S 支谱各谱线在频谱上等间距;本发明能提取 N2 分子振转 Raman 谱 O 支及 S 支各分立谱 线信号,实现对 N2 分子振转 Raman 谱的分辨与检测,同时能对 354.8nm 附近光信号产生大幅抑制。
武汉大学 2021-04-13
一种测量大气水 Raman 谱和气溶胶荧光谱的激光雷达系统
本发明公开了一种测量大气水 Raman 谱和气溶胶荧光谱的激光雷达系统。该系统由发射单元、光 学接收与信号检测单元和控制单元组成。发射单元采用种子注入的固体激光器输出极窄线宽的 354.8nm 紫外激光并导向天顶;光学接收与信号检测单元收集来自大气物质的后向散射光,对 354.8nm 附近光产 生优于 15 个数量级的抑制,并以 0.8nm 的谱精度分辨与记录 393.0-424.0nm 谱带范围信号光;控制单元 保障整个雷达系统有序工作。在波长 354.8nm 紫外激光辐射下,气态、液态和固态水的振转 Raman 谱 区依次对应 395-409nm、396-410nm 和 401-418nm 范围。本发明可同时记录由三相态水产生的 Raman 谱 和由气溶胶粒子产生的荧光谱,实现对大气水和气溶胶等物质的同时探测。
武汉大学 2021-04-13
一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管
本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管,包括:由下而上依次设置的衬底、n型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、p型氮化物层、p型氮化物欧姆接触层,所述n型氮化物层上设置的n型电极和所述p型氮化物层上设置的p型电极;其中电子阻挡层由由下而上依次设置的p型掺杂氮化物势垒层,非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合
东南大学 2021-04-14
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管,包括:由下至上依次设置的衬底,AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层,其中z>y>x,p型AlGaN层和透明导电层,在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型
东南大学 2021-04-14
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