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一种测量颗粒群分形维数的方法
本发明公开了一种测量颗粒群分形维数的方法,属于颗粒群尺度检测领域,包括 S1 测量颗粒群中各个粒子体积和各个体积的粒子数量,获得粒子体积 v 与数量 n 间的分布关系 v-n;S2 计算颗粒群的 k阶矩 Mk;S3 将分布关系 v-n 转换为 x-y 关系、计算获得无量纲 k 阶矩<img file=""DDA0000622097930000011.GIF"" wi=""72"" he=""80"" />并进一步计算获
华中科技大学 2021-04-14
一种碟式太阳能集热利用系统
本发明公开了一种碟式太阳能集热利用系统。包括碟式太阳能聚光器、太阳能集热器、太阳跟踪控制装置、立柱和热能转换利用装置;碟式太阳能聚光器部分地由第一和第二聚光器支架支撑,太阳能集热器通过第一和第二集热器支架固定在碟式太阳能聚光器的焦点处;第一聚光器支架与第一集热器支架的两端连通,第二聚光器支架与第二集热器支架的两端连通;立柱固定在地面上,立柱内设有第一和第二传输通道;第一集热器支架、第一聚光器支架和第一传输通道
华中科技大学 2021-04-14
一种基于硅基液晶的波长选择开关
一种基于硅基液晶的波长选择开关,属于光交换器件,解决现 有基于硅基液晶的波长选择开关输出端口数量受到限制的问题。本发 明由设置在光路上的输入单模光纤、偏振转换组件、反射镜、傅里叶 透镜、衍射光栅、硅基液晶相位空间光调制器、自聚焦准直透镜阵列 和输出二维单模光纤阵列构成。本发明对需要交换的光束利用硅基液 晶相位空间光调制器实现二维偏转,使波长选择开关输出光纤阵列的 光束由一维向二维转化,能够大幅度增加波长选择开关输出端
华中科技大学 2021-04-14
一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器,包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极,还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层,第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积;第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构;第二自由层用于聚集电流,使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度,从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转;由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学 2021-04-14
一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法。复合 电极包括 Cu/Ni 合金层和覆盖在 Cu/Ni 合金层上的石墨烯薄膜;其中, Cu/Ni 合金层由 Ni 膜和覆盖在 Ni 膜上 Cu 膜发生 Ni 原子与 Cu 原子的 相互扩散形成,Ni 膜与 Cu 膜的厚度比为 1:(3~10)。本发明避免了石 墨烯转移过程和图形化过程对石墨烯质量的破坏,减少了石墨烯缺陷 的数目,通过调整 Ni 膜与 Cu 膜的厚度,采用分段
华中科技大学 2021-04-14
一种固态电解质膜、其制备方法及应用
本发明公开了一种固态电解质膜、其制备方法及应用。所述固 态电解质膜,包括固态电解质层和多孔陶瓷层,所述固态电解质层厚 度在 0.5 微米至 10 微米之间,所述多孔陶瓷层厚度在 100 微米至 300 微米之间,所述固态电解质层均匀覆盖在多孔陶瓷层上。其制备方法, 包括以下步骤:(1)固态电解质前驱体的制备:将原料粉末在 500℃至 700℃下烧结;(2)固态电解质靶材料的制备:将粉末加入粘结剂压制成 片并烧结;(3
华中科技大学 2021-04-14
一种塑料注塑过程的在线工况过程监控方法
本发明公开了一种塑料注塑过程的在线工况过程监控方法,属 于工业监控和故障诊断领域。其包括如下步骤:S1 利用传感器收集各 个工况下的数据,组成建模用的训练样本集 X;S2 进行数据预处理和 归一化,使得训练样本集 X 的均值为 0,方差为 1,得到矩阵 X′; S3 根据所述矩阵 X′,应用高斯核函数计算获得距离矩阵 W;S4 对 所述距离矩阵 W 进行标准化,获得马尔科夫矩阵 P<sup>(1)</sup>
华中科技大学 2021-04-14
一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器,包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极,还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层,第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积;第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构;第二自由层用于聚集电流,使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度,从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转;由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学 2021-04-14
一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法。复合 电极包括 Cu/Ni 合金层和覆盖在 Cu/Ni 合金层上的石墨烯薄膜;其中, Cu/Ni 合金层由 Ni 膜和覆盖在 Ni 膜上 Cu 膜发生 Ni 原子与 Cu 原子的 相互扩散形成,Ni 膜与 Cu 膜的厚度比为 1:(3~10)。本发明避免了石 墨烯转移过程和图形化过程对石墨烯质量的破坏,减少了石墨烯缺陷 的数目,通过调整 Ni 膜与 Cu 膜的厚度,采用分段
华中科技大学 2021-04-14
一种相变存储器热串扰测试方法
本发明公开了一种相变存储器的热串扰测试方法,该方法利用 相变存储单元中的相变材料本身作为温度探测器,通过在一个相变存 储单元上施加激励信号,在另一个相邻的相变存储单元上施加测试信 号,采集相邻的相变存储单元上的响应信号,利用相变材料在不同温 度下电学性能及性质的差异来测量相变存储单元编程过程中相邻的单 元所受到的热串扰影响大小,从而对相变存储器热串扰稳定性进行评 估。本发明适用于一般的相变存储单元结构,不需要集成其他
华中科技大学 2021-04-14
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