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关于“重大病虫害防控综合技术研发与示范”和 “主要作物丰产增效科技创新工程”重点专项2023年度项目正式申报的通知
根据国家重点研发计划重点专项管理工作的总体部署，农业农村部科技发展中心已完成2023年度项目预申报书形式审查工作。其中，“重大病虫害防控综合技术研发与示范”和“主要作物丰产增效科技创新工程”重点专项通过形式审查的项目将直接进入项目正式申报书（含预算申报书）填报阶段。
科学技术部
2023-07-25
四川省科学技术厅关于面向社会公开征求《四川省重大科技专项管理办法》意见的公告
为规范和加强四川省重大科技专项管理，促进重大科技专项顺利实施，根据《四川省科技计划管理办法》（川科政〔2022〕4号），科技厅起草了《四川省重大科技专项管理办法（征求意见稿）》。
四川省科学技术厅
2023-03-03
浙江省科学技术厅 关于组织开展2023年度省级科技企业孵化器 认定和省级众创空间备案申报工作的通知
根据《浙江省科技企业孵化器管理办法》《浙江省众创空间备案管理办法》（浙科发高〔2021〕24号）和我厅年度工作安排，现将2023年度省级科技企业孵化器（以下简称“孵化器”）认定和省级众创空间（以下简称“众创空间”）备案申报工作有关事项通知如下。
浙江省科学技术厅
2023-07-27
Nature Methods|郝海平/叶慧团队发表有关环状亚胺离子示踪技术揭示人类蛋白质组存在丰富乳酰化修饰谱的研究论文
该工作针对乳酸是否可以直接共价修饰非组蛋白进而发挥生物学效应的科学问题，提出在公共的人类蛋白质组深度测序数据中搜索乳酰化修饰的新底物蛋白的策略。
中国药科大学
2022-07-11
吲哚美辛在制备用于防治由植物病原菌引起的植物病害的杀菌剂中的用途
本发明提供了吲哚美辛在制备用于防治由植物病原菌引起的植物病害的杀菌剂中的用途，本发明通过室内毒力测定，证明了吲哚美辛对植物病原真菌具有良好的抑制活性。吲哚美辛作为杀菌剂，具有高效和低毒的优点，适合于植物病害化学防治的要求。目前大量杀菌剂的使用，导致病原菌的抗药性增强，而且传统的杀菌剂对环境污染大、残留高，直接威胁着人类的食品安全。而吲哚美辛是一种可降解、无污染、对环境友好的小分子化合物，并且其抗药性差、对非靶标生物及人畜安全，能够保证农产品及果蔬的高品质，符合可持续发展的要求，其研究和市场应用前景广阔。
青岛农业大学
2021-04-13
丙戊酸钠在制备用于防治由植物病原菌引起的植物病害的杀菌剂中的用途
本发明公开了丙戊酸钠在制备用于防治由植物病原菌引起的植物病害的杀菌剂中的用途，本发明通过室内毒力测定，证明了丙戊酸钠对植物病原真菌具有良好的抑制活性。丙戊酸钠作为杀菌剂，具有高效和低毒的优点，适合于植物病害化学防治的要求。目前大量杀菌剂的使用，导致病原菌的抗药性增强，而且传统的杀菌剂对环境污染大、残留高，直接威胁着人类的食品安全。而丙戊酸钠是一种可降解、无污染、对环境友好的小分子化合物，并且其抗药性差、对非靶标生物及人畜安全，能够保证农产品及果蔬的高品质，符合可持续发展的要求，其研究和市场应用前景广阔。
青岛农业大学
2021-04-13
我国科学家实现生物3D打印技术重要突破
生物3D打印是利用3D打印机，将含有细胞、生长因子和生物材料的生物墨水打印出仿生组织结构的新兴技术，但目前仍无法制备具有生理功能并且可以长期存活的复杂组织。
科技部生物中心
2022-04-01
我国科学家研发出高阶多重实时荧光PCR检测技术
实时荧光PCR技术是目前应用最为广泛的核酸检测技术。然而，由于主流荧光PCR仪器检测通道数目的限制，单个反应所能检测的靶基因数目很难超过6个，限制了该技术在检测涉及多靶点的复杂疾病上的应用。
科技部生物中心
2022-03-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10