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一种单激发可见及近红外双区发射小分子荧光探针及其制备方法与应用
本发明提供了一种单激发可见及近红外双区发射小分子荧光探针及其制备方法与应用,属于有机荧光分子探针领域。在本发明中,制备了二苯乙烯和大环多胺基团偶联的单激发可见及近红外双区发射小分子荧光探针:其中,R选自‑基团中的任意一种。本申请提供的荧光探针制备成本低且溶解性好,在单波长激发下,其荧光发射光谱中含有两个发射峰,其最大发射波长分别在380nm左右的可见区和730nm左右的近红外区,光谱无重叠,最大发射波长间距约350nm,可以有效消除探针浓度、仪器及外界环境因素的影响,提升检测信噪比。依据两个最大发射波长处荧光强度比值响应,本申请提供的荧光探针可用于比率检测Fe<supgt;3+</supgt;。
南京工业大学 2021-01-12
一种可选择性分离富集巯基化合物的复合纳米纤维材料及其制备方法与应用方法
本发明公开一种可选择性分离富集巯基化合物的复合纳米纤维材料及其制备方法与应用方法,该复合纳米纤维材料为以高分子聚合物纤维为芯层,以纳米金属颗粒为皮层的纳米金属颗粒功能化纳米纤维,由金属化合物、高分子聚合物和溶剂制成,以溶剂体积计,金属化合物加入量为0.5mol/L、高分子聚合物加入量为10~15g/100ml;其制备方法为:将高分子聚合物加入溶剂中,待其溶解后,加入金属化合物、混匀,将溶液置于室温下持续搅拌,得到高分子聚合物/金属盐前驱体溶液;将前驱体溶液静电纺丝制成高分子聚合物/金属离子复合纳米纤维,再经原位还原得到纳米金属颗粒功能化纳米纤维,其对巯基化合物有选择性吸附作用,可在巯基化合物的提取、制备、检测方面广泛应用。
东南大学 2021-04-11
一种基于忆阻器的非易失性 SR 触发器电路
本发明公开了一种基于忆阻器的非易失性 SR 触发器电路;包括忆阻器 ME、定值电阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4,以及将忆阻器与定值电阻串联构·721·成的分压电路读取模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性,实现了 SR 触发器的锁存以及置位和复位功
华中科技大学 2021-04-14
一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方法
本发明公开了一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方 法,该剥离器包括包层光纤、多段光栅和冷却管套,其制作方法是在 裸露的光纤内包层外表面上涂覆折射率大于或等于内包层折射率的紫 外光刻胶,然后在紫外光刻胶上刻蚀多段光栅,通过多段光栅的衍射 将内包层内残余光剥离出来;将制作好的多段光栅套在金属管中,并 用密封套密封,该金属管壁铺满吸热材料,将剥离出的内包层光吸收, 通入流通的冷却水将产生的热量带走。本发明通过采用不同
华中科技大学 2021-04-14
一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方法
本发明公开了一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方 法,该剥离器包括包层光纤、多段光栅和冷却管套,其制作方法是在 裸露的光纤内包层外表面上涂覆折射率大于或等于内包层折射率的紫 外光刻胶,然后在紫外光刻胶上刻蚀多段光栅,通过多段光栅的衍射 将内包层内残余光剥离出来;将制作好的多段光栅套在金属管中,并 用密封套密封,该金属管壁铺满吸热材料,将剥离出的内包层光吸收, 通入流通的冷却水将产生的热量带走。本发明通过采用不同结构的光 栅来调整包层光的透过率,达到高效均匀剥离的目的,避免剥离器出现 过热点,保
华中科技大学 2021-04-14
一种绝缘芯变压器型电子辐照加速器安装工艺
本发明公开了一种绝缘芯变压器型电子辐照加速器安装工艺, 包括以下步骤:在加速器支架上分别安装高压电源和加速器主体,通 过连接钢筒连接高压电源和加速器主体;高压电源的安装工艺依次包 括电源底座的安装、下磁轭的安装、过渡盘与第一层高压底盘的预安 装、六层高压底盘的预安装、第一层高压底盘的安装、余下各层高压 底盘的安装和上磁轭的安装。按照本发明安装工艺安装绝缘芯变压器型电子辐照加速器,其安装精度高,工作效率高,合格率高,保证了 安装质量,节约了人力、物力和财力。 
华中科技大学 2021-04-14
基于忆阻器实现计算与存储融合的处理器及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器实质蕴涵操作的计算与存储融合 的处理器及其操作方法;该处理器由多个计算与存储融合单元 (Computing&、Memory-Unit,CMU)通过通信网络相连接。本发明 中使用一种能记忆电阻的器件,即忆阻器。在设计电路时,忆阻器的 阻变特性已参与完成相应的计算,并将计算结果用忆阻器的阻态来保 存,省去了传统计算机系统中将计算结果输出到存储器的步骤,实现 计算与存储的融合。通过通信网络
华中科技大学 2021-04-14
基于忆阻器实现计算与存储融合的处理器及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器实质蕴涵操作的计算与存储融合 的处理器及其操作方法;该处理器由多个计算与存储融合单元 (Computing&、Memory-Unit,CMU)通过通信网络相连接。本发明 中使用一种能记忆电阻的器件,即忆阻器。在设计电路时,忆阻器的 阻变特性已参与完成相应的计算,并将计算结果用忆阻器的阻态来保 存,省去了传统计算机系统中将计算结果输出到存储器的步骤,实现 计算与存储的融合。通过通信网络
华中科技大学 2021-04-14
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深圳市天雁电子有限公司 2021-08-23
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