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殡化铅单晶体生长技术
项目简介： 殡化铅 ( PbI2) 是制作室温半导体核辐射探测器的材料之一。山于提纯困难、化学配比难于控制等原因，使得该材料没有得到应用。我们研究出了一种生长碟化铅等静压的新方法，以 分析纯的殡化铅多晶为原料， 可生长出接近理想化学配比、直径 15mm、长度 300
西华大学
2021-04-14
氯化铯晶体结构模型
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
氯化铯晶体结构模型
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
晶体管开关特性示教板
包含：1.5V*2电池盒(黑)，单联3档船形开关，各种色环电阻，直插式S9013三极管，高亮¢5mm红色发光二极管，K2A46台阶插座等。教学功能：完成高低电平的讲解和电平检测器的应用，对晶体三级管开关特性进行深入分析和晶体三级管开关特性在数字电路中的应用。教学应用：1、利用此示教板让学生进一步熟悉万用表电压档、电流档的使用。2、利用此示教板深入讲解晶体三级管的开关特性。3、利用此示教板引导学生共同完成书中小试验。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
微波诱导等离子体离子迁移谱仪
本实用新型公开一种微波诱导等离子体离子迁移谱仪，包括离子源、进样管、漂移管、气路系统、信号放大采集与数据处理系统，离子源为微波诱导等离子体离子源，微波诱导等离子体离子源包括微波功率发生器、微波耦合腔和放电管，微波功率发生器连接微波耦合腔，微波耦合腔连接放电管，放电管前方设有加速电极，进样管连接漂移管，放电管连接漂移管，气路系统、信号放大采集与数据处理系统均连接漂移管。本实用新型能够提高离子迁移谱仪的灵敏度，拓宽离子迁移谱的应用范围，提高离子迁移谱的稳定性及使用寿命，有效地避免样品离子碎片的生成。
四川大学
2017-12-28
长寿命磷酸盐钠离子电池正极材料
研发团队针对NASICON型结构钠离子电池正极材料面临的瓶颈问题，通过新颖的合成方法和材料晶体结构设计理念，成功开发了具有自主知识产权的长寿命、高功率和低成本的钠离子电池及其超稳定的正极材料。材料合成方法简单，反应条件温和，不需要特殊设备，目前已完成实验室中试，具备了公斤级的制备能力。成果具有高的振实密度，可实现高体积能量密度，具有非常优秀的实用化潜力。
意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学
2025-05-16
方钴矿 CoSb3系热电材料的合成方法
本发明一种方钴矿系热电材料的合成方法采用钴、锑、铁、镍、锡的氯化盐或硝酸 盐作原料，在内衬聚四氟乙烯的高压釜中于 140-190o C 进行反应，经过滤洗涤后进行热 处理最终制得所需产物，因此本发明方法具有原料便宜易得、设备简单、合成温度低、 工艺简单易于实现控制、产物粒度细、纯度高等优点。为制备高效热电转换器件提供优 质材料。
同济大学
2021-04-11
高性能低成本无钴金属陶瓷材料制备技术
传统的硬质合金工模具材料耐磨性和强韧性难以兼得，而其中的钨、钴元素属于稀有贵重元素。本项目所采用的Ti(C,N)基金属陶瓷不但具有较高的硬度、耐磨性、红硬性、优良的化学稳定性和高温抗氧化性、与金属间极低的摩擦系数、无磁性、而且还具有较高的强韧性，不含稀有贵重元素，其制造成本仅为硬质合金的35～40%，已在市场上得到较广泛的应用。该成果发明了系列无钴金属陶瓷强韧化、无磁化制备技术，开发了系列高性能低成本无钴金属陶瓷材料，是硬质合金理想的升级替代材料，也具有陶瓷材料、聚晶立方氮化硼等超硬材料难以相比的强韧性。
技术特征
该材料主要性能指标可达：硬度≥92.2HRA，抗弯强度≥3250MPa，断裂韧性≥9.4 MPa·m1/2。
获得相关授权国家发明专利8项，相关技术曾获国家技术发明二等奖，达到国际先进水平。
南京航空航天大学
2021-05-11
高性能低成本无钴金属陶瓷材料制备技术
传统的硬质合金工模具材料耐磨性和强韧性难以兼得，而其中的钨、钴元素属于稀有贵重元素。本项目所采用的Ti(C,N)基金属陶瓷不但具有较高的硬度、耐磨性、红硬性、优良的化学稳定性和高温抗氧化性、与金属间极低的摩擦系数、无磁性、而且还具有较高的强韧性，不含稀有贵重元素，其制造成本仅为硬质合金的35～40%，已在市场上得到较广泛的应用。该成果发明了系列无钴金属陶瓷强韧化、无磁化制备技术，开发了系列高性能低成本无钴金属陶瓷材料，是硬质合金理想的升级替代材料，也具有陶瓷材料、聚晶立方氮化硼等超硬材料难以相比的强韧性。技术特征该材料主要性能指标可达：硬度≥92.2HRA，抗弯强度≥3250MPa，断裂韧性≥9.4 MPa·m1/2。获得相关授权国家发明专利8项，相关技术曾获国家技术发明二等奖，达到国际先进水平。应用范围:主要用途：①适用于制作各种可转位刀片，用于难加工材料的干式切削；②适合用于制作加工磁性材料的刀具和成型模具；③用于碳纤维预浸料的切割时，使用的稳定性和寿命大大高于目前进口产品；④适合于制作电子元器件生产及激光加工生产线中的专用模具，综合性能优良；⑤适合制作苛刻环境下使用的密封环和耐磨件。
南京航空航天大学
2021-04-10
一种钬钴氧化物纳米棒及其制备方法
（专利号：ZL 201410514805.8） 简介：本发明公开了一种钬钴氧化物纳米棒及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明的钬钴氧化物纳米棒由HoCoO3单相构成，长度约1μm，直径约50nm。其制备方法的要点是：将钴盐、钬盐、表面活性剂按一定摩尔比溶入水和聚二醇混合溶剂，其中水与聚二醇体积比为100：10～20，然后加热到80～100℃，搅拌时间至少1h；然后将水合肼和氢氧化物依次加入，其中水合肼和水溶性钴盐摩尔比为1～3:1
安徽工业大学
2021-01-12