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废弃钴镍材料的循环再造技术及产业化应用
北京工业大学
2021-04-14
一种含铬皮革复鞣填充剂及其制备方法
本发明提供的含铬皮革复鞣填充剂的制备方法为：(1)计量含铬革屑水解物100份、复鞣剂20～100份、蒙囿剂1～5份、加脂剂3～5份，然后分别将蒙囿剂、固态复鞣剂水溶解，将加脂剂用水稀释乳化，将酸碱调节剂用水配制成酸碱调节剂溶液；(2)将含铬革屑水解物在搅拌下加热至45～50℃，然后将步骤(1)所得的同温含铬革屑水解物、蒙囿剂、加脂剂、固态复鞣剂或/和液态复鞣剂加入其中并混合均匀，继后加入酸碱调节剂溶液调节混合液的pH值至1.5～4.5，过滤除去不溶物即得固含量为40～45％，三氧化二铬含量为1.5～5％，pH值为1.5～4.5的含铬皮革复鞣填充剂。该方法不仅可同时利用含铬革屑中的铬和皮胶原蛋白，且使制得的复鞣填充剂性能更加全面，还可避免现有化学改性方式所带来的问题。
四川大学
2016-10-12
镁合金壳类零件非铬酸盐表面改性技术
技术原理 ：本成果采用磷酸盐表面处理，镁合金经过一系列的预处理 后，将其浸渍在盛有主要由磷酸盐组成的溶液中，通过化学反应在镁合金 表面生成一层化学转化膜，然后再在化学转化膜表面进行涂装，形成一层 涂膜。 技术特点 ：工艺简单， 成本低， 它对环境无污染， 能够循环重复使用， 节省了能源；将拉法测试化学转化膜附者力方法运用于镁合金表面处理， 并量化其指标，在国内属首创。 市场预测： 该项目研究的非铬酸盐处
南昌大学
2021-04-14
一种铽钴氧化物纳米棒及其制备方法
（专利号：ZL 201410513320.7） 简介：本发明公开了一种铽钴氧化物纳米棒及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明的铽钴氧化物纳米棒由TbCoO3单相构成，长度约1μm，直径约50nm。其制备方法的要点是：将钴盐、铽盐、表面活性剂按一定摩尔比溶入水和聚二醇混合溶剂，其中水与聚二醇体积比为100：10～20，然后加热到80～100℃，搅拌时间至少1h；然后将水合肼和氢氧化物依次加入，其中水合肼和钴盐摩尔比为1～3:10，氢
安徽工业大学
2021-01-12
一种镨钴氧化物纳米棒及其制备方法
（专利号：ZL 201410515495.1） 简介：本发明公开了一种镨钴氧化物纳米棒及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明的镨钴氧化物纳米棒由PrCoO3单相构成，长度约1μm，直径约50nm。其制备方法的要点是：将钴盐、镨盐、表面活性剂按一定摩尔比溶入水和聚二醇混合溶剂，其中水与聚二醇的体积比为100：10～20，然后加热到80～100℃，搅拌时间至少1h；然后将水合肼和氢氧化物依次加入，其中水合肼和钴盐的摩尔比为1～3:10
安徽工业大学
2021-01-12
一种钕钴氧化物纳米棒及其制备方法
（专利号：ZL 201410514824.0） 简介：本发明公开了一种钕钴氧化物纳米棒及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明的钕钴氧化物纳米棒由NdCoO3单相构成，长度约1μm，直径约50nm。其制备方法的要点是：将钴盐、钕盐、表面活性剂按一定摩尔比溶入水和聚二醇混合溶剂，其中水与聚二醇体积比为100：10～20，然后加热到80～100℃，搅拌时间至少1h；然后将水合肼和氢氧化物依次加入，其中水合肼和钴盐摩尔比为1～3:10，氢
安徽工业大学
2021-01-12
5、高压真空开关用铜铬合金触头材料
本项目采用真空熔铸方法，解决了 Cu-Cr 合金铸造产生的成分偏析及组织不 均匀问题，得到的显微组织细化、成分均匀化，尤其是合金中 Cr 粒子的细化问 题，大幅度提高耐电压强度，同时又能保持铜的高导电性，触头的小型化才有实 现的可能。本方法还能回收利用生产废料，因此生产工艺更为环保。而且生产成 本大大降低，性能还有所提高。本项目制备的触头材料,性能与国内外同类产品 相比,在导电性,均匀性,组织细化等多方面全面领先。
上海理工大学
2021-01-12
单分子场效应晶体管
通过施加栅压形成有效的双电层静电场，以此构建出石墨烯基单分子场效应晶体管。具体从电化学窗口以及正负栅压下双电层的对称性等方面考虑，筛选了一种阴阳离子尺寸匹配的离子液体（DEME-TFSI）；这种离子液体栅的双电层厚度约为0.75 nm，能够在较小的栅压范围内产生强的静电场，从而有效地调控分子的能级。由于离子液体的凝固点较低 (~180 K)，可以实现较大温度范围内连续的栅压调控。
北京大学
2021-04-11
全透明薄膜晶体管及其电路
薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）本质上是一种场效应晶体管，其电性质与传统的MOS场效应管一样，都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大，这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件，当栅源电压小于阈值电压时器件截止，反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入阻抗很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势： (1) ZnO为宽禁带半导体材料，可以避免可见光照射对器件性能的影响，保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响； (2) 提高开口率，提高显示器的亮度，进而可以降低功耗； (3) 如果存储电容也用透明材料制备，制备全透明显示器件便成为可能； (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低，即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜，因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等，这又是柔性显示器成为可能； (5) ZnO具有很好的载流子迁移率，使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流，又有效的抑制关态电流的增加；研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展，具有里程碑的意义，为制造透明电路和系统创造了条件。
大连理工大学
2021-04-13
n-型有机薄膜晶体管
设计并成功合成了两种新型噻唑酰亚胺缺电子受体单元,并在其基础上得到全受体类型均聚物PDTzTI（图1a）。单晶XRD分析表明，DTzTI单体中存在S…N非共价键相互作用因而平面性较好，单体间的π堆积也非常紧密，非常适合构建全受体聚合物。噻唑酰亚胺的强拉电子能力也使得聚合物的前沿轨道能级较低，有利于晶体管中电子注入并提升器件稳定性，同时抑制空穴注入和降低器件关电流。基于PDTzTI的有机薄膜晶体管器件表现出优异的单极性n-型输运性能（图1b）。晶体管电子迁移率达到1.6 cm 2 V -1 s -1 ，关电流仅为10 −10 -10 −11 A，因而电流开关比高达10 7 -10 8 。该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，同时在晶体管关电流和开关比性能上显著优于常见给体-受体共聚物材料，表明全受体结构是实现单极性n-型聚合物材料的有效途径,为新型受体单元和单极性n-型材料的设计提供重要参考依据。
南方科技大学
2021-04-13