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高纯氧化锆坩埚
产品详细介绍
氧化锆坩埚纯度达到99.9,密度为6.00,最高使用温度为2200度,主要运用在熔炼贵金属,抗热稳定性能良好。 主要用途 熔化贵稀金属。氧化锆坩埚,高温稳定性好, 是理想的实验高温耐火制品。
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二氧化锆的熔点比锆高，达2700℃，是自然界中耐火性能最好的材料之一。它的导热性能差，但导电能力很强，沆蚀能力也很强，即使加热到1900多摄氏度也不会跟熔融的铝、铁、镍、铂等金属、硅酸盐和酸性炉渣发生作用。因而可以用它来制造熔炼贵金属的坩埚、耐火管、耐热玻璃和耐热搪瓷等。在搪瓷和玻璃中加入二氧化锆可以使它们增强抵抗酸、碱腐蚀的能力。用二氧化锆衬砌的高温炉，受热后体积不会增大很多，温度变化对它影响很小，炉体不致因热胀冷缩而产生裂缝，可以大大延长炉子的寿命。用二氧化锆作耐火材料，加进5％的氧化钙作稳定剂，它的耐热温度比氧化铝高500度，绝热能力比添加以前提高三倍。把白色的二氧化锆掺进陶瓷，能使陶瓷更洁白光亮、更耐热，强度也有所增加，用这种陶瓷制造高温绝缘瓷瓶，绝缘能力很强，膨胀系数很小。
备：可根据用户需求定制各种非标异型氧化锆坩埚！
北京中科奥博科技有限公司
2021-08-23
高纯氧化镁坩埚
产品详细介绍高纯氧化镁坩埚
北京中科奥博科技有限公司
2021-08-23
声音的奥秘（二）
580mm×300mm×480mm，配有8根长短不同的铝棒和铝片，锤子敲击，能发出不同的声音。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
力与机械（二）
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
二连球
产品详细介绍
浙江义乌市教学仪器厂
2021-08-23
水磨石二
产品详细介绍水磨石
保定市万达环境技术工程有限公司
2021-08-23
二氟磷酸锂
产品用途
本品主要应用于锂离子二次电池的电解液中，在电极界面形成膜而改进高低温循环性能、降低电池自放电，同时能够有效降低六氟磷酸锂使用量。
包装与贮存
本品使用密闭容器储存，置于阴凉、干燥以及具有良好通风环境的仓库内，禁止日光直接照射。
荣成青木高新材料股份有限公司
2021-09-09
碳化硅提纯工艺信息化管理子系统的设计和研制
碳化硅微粉的提纯工艺要求实时在线监测提纯罐中微粉溶液的温度、液位、搅拌机时间等参量；如果分别选购市场上已有的数字化测温仪、液位计和搅拌机运动监测（如转速）仪表分别监测相关参量，还需另外选购工业控制计算机（车间环境温度夏季高达50℃以上，普通PC机无法胜任），以便把测温仪、液位计和（搅拌机）运动监测的信号实时采集和存储。此方案不仅成本高，而且占用车间生产、物流空间较多，将对车间正常生产带来严重影响；为此（受连云港乐园磨料磨具有限公司委托）我们以增强型嵌入式微控制器AT89S52为核心，自行设计研制了集提纯罐溶液温度、液位、搅拌机监测与提纯工艺管理于一体的智能化多参量监测仪。该仪器支持时下流行的在系统编程（In-SystemProgramming）下载技术，便于今后的程序升级；采用液晶显示器和键盘作为人机接口；采用Flash存储器AT29C010A作数据备份之用；采用一主多从的方式通过RS-485总线协议实现分布式结点与上位机的通信，具有良好的抗干扰能力。
东南大学
2021-04-10
大容量碳化硅电力电子产品研发及产业化
已有样品/n在微电子所的技术支持和协助下，株洲中车时代电气股份有限公司国内首条6英寸碳化硅（SiC）芯片生产线顺利完成技术调试，厂务、动力、工艺、测试条件均已完备，可实现4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研发与制造。与其他半导体材料相比，SiC 具有宽禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿场强，以及高热导率等优异物理特点，是新一代半导体电力电子器件领域的重要发展趋势。
中国科学院大学
2021-01-12
一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法
本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法， 包括以下步骤：以碳化硅作为 N<sup>+</sup>衬底，在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P<sup>+</sup> 区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开 关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两
华中科技大学
2021-04-14