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集成式智能净化管控柜SAN-ZJ6120051
乐普乐吉集成式智能净气安全柜可对实验室使用的管控类试剂和化学品安全储存，辅以智能净化器以去除有毒气体，中和废弃排放。柜体配备自承重电子天平，天平承重范围 5Kg，精度可达至 0.01g，满足实验室化学品精确称重需求。柜体搭载危化品全生命周期管理系统，对存储场所、实验场所等的试剂和化学品实现智能管控，并通过服务器将化学品数据同步至管理人员主机或移动端，可随时查看化学品情况。
系统包含危化品流程管控系统、通风系统、净气系统、安全准入系统等，以全方位维度保证危化品的安全。危化品流程管控系统主要包含了危化品的盘点、采购、存储、领用-转运、使用、回库、废弃八大环节，对危化品达到闭环管理模式。
乐普乐吉安全科技（上海）有限公司
2022-07-26
智能管控化学品组BH302-P
产品名称：智能管控化学品组合柜 外部尺寸：H2070*W1410*D570mm 层板尺寸：H50*W300*D330mm 层板：6块PP层板 结构：3格2列+主控柜 锁具：6套双GA机械锁 风机：2套离心风机 显示屏：15寸液晶触摸屏 主控柜：1台 出入库系统：1套 过滤器：B型过滤器4个 电源线：1根 电源：AC220V/50Hz 功率：98W 静电夹：1套 颜色：黄色/蓝色/白色/红色（环氧树脂喷） 储存量：108瓶500ml试剂瓶
无锡赛弗安全装备有限公司
2021-12-08
电子管综合实验仪 COC-DZG-2
实验内容
1、了解热电子发射的基本规律；
2、用理查孙直线法测定金属钨电子的逸出功；
3、通过测定氩原子等元素的第一激发电位（即中肯电位），证明原子能级的存在。
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
弗兰克 - 赫兹（汞管）实验仪 FH-Hg-6
实验内容
1、理解诺贝尔物理实验弗兰克 - 赫兹（汞管）实验仪的设计思想和方法；
2、研究灯丝电压、加热炉温度、反向拒斥电压等参数对实验现象的影响；
3、测量汞原子第一激发电位 63P1，了解原子能级的存在；
4、测量汞原子高能级激发态 63P2、61P1，加深对原子能级的理解；
5、测量汞原子电离电位。
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
塑料特制弯管提拉式学生课桌椅
640*430*760mm
江西省南城县发华实业有限公司
2023-02-17
用于草酸二甲酯加氢制取乙二醇的铜硅催化剂及制备方法
本发明公开了一种用于草酸二甲酯加氢制取乙二醇的铜硅催化剂及制备方法。所述催化剂是以正硅酸酯为硅源,在以醇作为共溶剂的条件下,通过一锅法制备得到的。具体为正硅酸酯在铜氨络合物的水醇混合溶液中水解、陈化,然后通过蒸发水分、醇和氨使铜氨溶液中的铜组分均匀沉淀,最后经过水洗、干燥、焙烧和还原而得到的。所述催化剂由铜和二氧化硅组成,其中铜与二氧化硅的物质的量之比为0.05～0.4∶1。该催化剂在草酸二甲酯加氢制乙二醇的反应中,在较宽的温度范围内,都显示了很高的反应活性和选择性,易于操作,有利于工业化应用。
浙江大学
2021-04-11
2,5-二羟甲基-3,6-二甲基吡嗪的合成与精制方法
【发 明 人】李伟；文红梅；王天麟；周莹；陈磊【摘要】本发明公开了一种2，5-二羟甲基-3，6-二甲基吡嗪(liguzinediol)的合成和精制方法，该方法以2，5-二甲基吡嗪为原料，通过自由基反应直接生成liguzinediol。此工艺仅一步反应，反应温和，操作简便，反应时间短，成本低，收率高，易分离纯化，适于工业化生产。
南京中医药大学
2021-04-13
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用
本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中，借助常见 的可与硫族单质(S，Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中 S 或 Se 的浓度，以达到控制过渡金属层硫化 或硒化程度的目的，利用化学气相沉积方法可控地生长 TMDs 单晶;将沉积时的温度控制为 750°C至 850°C，并且沉积时间控制为 5 至 15 分钟，完成 TMDs
武汉大学
2021-04-14