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场效应晶体管的制备方法及利用其制备的场效应晶体管
本发明公开了一种利用电流体直写工艺制备场效应晶体管的方 法，包括:(1)在基板上制备有机半导体薄膜;(2)利用电流体直写工艺， 在具有半导体薄膜的基板上制备平行的直线纤维;(3)通过电流体直写 制备与之垂直的平行介电纤维;(4)在基板上真空沉积金属;(5)在介电 纤维两端涂覆导电银浆，引出栅电极。本发明还公开了相应的产品。 本发明的方法利用介电微纳纤维得到晶体管沟道，沟道长度尺寸与纤 维直径尺寸相当，能够达到亚微米甚至纳米级，同时该纤维也是晶体 管的绝缘层。另外通过一次金属真空沉积，可同时形成场效应
华中科技大学
2021-04-14
可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ｎ?ＺｎＯ纳米线；采用磁控溅射法在ｐ?ＧａＮ上溅射一层ＡｌＮ薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制备具有欧姆接触的金属电极；将ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ紧扣在ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ＺｎＯ纳米棒阵列，提高ＺｎＯ结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入ＡｌＮ隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ＺｎＯ区载流子复合效率，实现纯ＺｎＯ紫外发光；ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ异质结发光二极管，发光位置在３８５ｎｍ左右，半峰宽为１４．５ｎｍ。
东南大学
2021-04-11
超声、微波辅助水热合成氧化锌基的纳米复合颗粒用于气敏传感器的应用
使用超声、微波辅助水热合成的方法制备出不同相貌的ZnO、Cr ZnO、CoO ZnO等纳米复合颗粒，通过复合和掺杂改性，分别构建p-n结和形成催化活性位点，提高气敏性能。
上海理工大学
2021-01-12
高钒高耐磨合金及复合技术的工程化应用
本项目立足于我国丰富的钒资源，研制出了以高硬度、团球状且弥散分布的 I 型碳化钒为耐磨相的高钒高耐磨合金；通过控制基体组织，保证了其磨损稳定性；通过解决复合界面控制问题，开发了低成 本的高钒合金 / 低合金钢双金属复合技术，推动了耐磨材料和重型装备行业的技术进步。项目共发表论文 18 篇，授权专利 5 项，制订标准 3 项。
北京工业大学
2021-04-13
高钒高耐磨合金及复合技术的工程化应用
北京工业大学
2021-04-14
高钒高耐磨合金及复合技术的工程化应用
成果简介本项目立足于我国丰富的钒资源，研制出了以高硬度、团球状且弥散分布的I型碳化钒为耐磨相的高钒高耐磨合金；通过控制基体组织，保证了其磨损稳定性；通过解决复合界面控制问题，开发了低成本的高钒合金/低合金钢双金属复合技术，推动了耐磨材料和重型装备行业的技术进步。项目共发表论文18篇，授权专利5项，制订标准3项。应用简介所处研发阶段：已处于工业生产和推广应用阶段适合应用领域：冶金
北京工业大学
2021-04-14
二丙二醇生产技术
二丙二醇也称一缩二丙二醇。本技术以丙二醇、环氧丙烷为主要原料，采用低压液相法催化合成二丙二醇。同现有工艺相比，本技术具有设备投资小，催化剂活性高，操作能耗低，产品收率高等优点，具有较强的竞争优势。
对于年产3000吨二丙二醇，设备投资约400万元。主要设备包括：反应釜、贮罐、产品精馏塔等。
华东理工大学
2021-04-13
二丙二醇生产技术
二丙二醇也称一缩二丙二醇，本技术以丙二醇、环氧丙烷为主要原料，采用低压液相法催化合成二丙二醇。同现有工艺相比，本技术具有设备投资小，催化剂活性高，操作能耗低，产品收率高等优点，具有较强的竞争优势。
对于年产3000吨二丙二醇，设备投资约240万。主要设备包括：反应釜、贮罐、产品精馏塔等。
华东理工大学
2021-04-13
在大面积单层二硒化铌晶体中观测到伊辛超导和量子格里菲思奇异性的共存
伊辛超导是指超导库珀对的自旋被有效的塞曼磁场固定住，由此表现出极强的的面内临界磁场（远超其泡利顺磁极限）。通过分子束外延法在双层石墨烯终止的6H-SiC(0001)衬底上成功制备出大面积（毫米以上）原子级平整的高质量单层过渡族金属硫化物NbSe2薄膜（仅0.6 nm厚），在此基础上对其覆盖非晶态Se保护层，进而对非原位的电输运物性展开了系统研究。研究发现：单层NbSe2薄膜表现出超过6 K的起始超导临界转变温度和高达2.40 K的零电阻温度，超过了早期机械剥离获得的单层NbSe2以及分子束外延生长的单层NbSe2的超导转变温度。同时，强磁场和极低温下的输运测量结果直接证实了平行特征临界场Bc//(T = 0)是顺磁极限场的5倍以上，符合Zeeman保护的伊辛超导机制（前期NbSe2薄片中的伊辛超导证据需要实验数据的理论拟合在更低温更高磁场下的外推）。此外，极低温垂直磁场下的电输运测量表明，单层NbSe2薄膜在接近绝对零度时的量子临界点表现出量子格里菲斯奇异性。
北京大学
2021-04-11
氧化物抑制层辅助二维MoX2 (X=S, Se, Te)单层的可控生长
高质量钼系硫族化合物单层材料的CVD生长一直受限于难以控制的化学动力学条件，其中最为重要的是对于Mo蒸汽释放的合理调控。近日，课题组在传统的MoO 3
南方科技大学
2021-04-14