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一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
苯酚氧化羰基化法合成碳酸二苯酯
一、项目简介碳酸二苯酯（DPC）是一种毒性小、无污染的重要工程塑料中间体，可用于合成许多重要的有机化合物及高分子材料，如聚碳酸酯、对羟基苯甲酸甲酯、单异氰酸酯、二异氰酸酯等；还可作为聚酰胺和聚酯的增塑剂、溶剂和热载体等。近年来，随着对环境友好的以DPC和双酚A为原料合成高品质聚碳酸酯（PC）新工艺的开发，使DPC成为引人注目的化合物，世界范围内对DPC的需求也日益增大。采用苯酚氧化羰基化法合成碳酸二苯酯的主要原料为苯酚、CO和O2，较之目前工业上采用的光气法，不仅可降低成本，而且在生产过程中原料及中间体无剧毒，不腐蚀设备，对环境保护具有重要意义。目前，针对苯酚氧化羰基化法合成DPC过程开发出了一种新型高效负载型催化剂PdCl2-Cu(OAc)2/HZSM-5，DPC收率达到40%。二、市场前景 随着PC清洁生产技术在国际上推广应用，以及我国引进技术自行开发的大型PC装置的建成投产，DPC的市场需求量将迅速增加，使得清洁生产DPC的技术成为国内外化学化工界关注和研究开发的热点之一。目前生产DPC的工业方法是以光气和苯酚为原料，但是光气的剧毒和强腐蚀性以及相当数量的无机盐的生成，使该法对生产安全、环境保护都十分不利，而且此法的生产规模小，成本较高，产品质量难以满足电子信息等朝阳行业的要求，面临着被淘汰的局面。苯酚氧化羰化法合成DPC为简单的一步反应，此方法与其它方法相比，具有无污染、无有毒盐生成的优点。它不仅克服了光气法存在的缺点，而且与酯交换法相比，原料为初级化工产品，可降低消耗成本。该方法工艺简单、流程短，具有广阔的市场前景。三、合作方式寻求中试合作。
河北工业大学
2021-04-13
FEP薄膜
产品详细介绍
南京瑞尼克科技开发有限公司
2021-08-23
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法
本发明提供了一种三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法，其方法包括：将白钨酸溶于过氧化氢水溶液，配制成过氧化钨酸溶液；将过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上；将钨盐溶于醇中，形成前躯体溶液，将导电基底固定于反应釜中，将前躯体溶液加入反应釜中，在150～250℃反应8～16h，取出后再在300～450℃热处理1～3h，得到三氧化钨纳米线阵列；将苯胺与稀硫酸混合，形成用于制备聚苯胺的电解液，电聚合聚苯胺即得。该制备工艺控制方便，制造成本较低，易于实现工业化。该薄膜具有光谱调节范围大、变色种类丰富、着色效率高、响应速度快、循环寿命长等优点。
浙江大学
2021-04-13
纳米氮化钒粉体的制备方法
一种纳米氮化钒粉体的制备方法，工艺步骤依次为：(1)前驱体的制备，以V2O5和草酸为原料，V2O5与草酸的重量比为1∶1～1∶3，将所述配比的V2O5和草酸放入反应容器并加水，然后在常压、40℃～70℃进行搅拌，直到V2O5和草酸的还原反应完成为止，还原反应完成后，将所获溶液蒸干即得到前驱体草酸氧钒；(2)前驱体的氨解，将所获前驱体草酸氧钒放入加热炉，在流动氨气氛围中加热至600℃～750℃进行氨解，保温10分钟～3小时后关闭加热炉电源，保持炉内氨氛围，待分解产物冷却至100℃以下取出，即获得纳米氮化钒粉体。
四川大学
2021-04-11
低辐射薄膜
已有样品/n该项目提供了一种新型低辐射薄膜，分别采用金属薄银层来抑制长波长红外波和短波长紫外波的透射，采用周期性结构来增强可见光波段的透射；对可见光的透射率达到70~96%，对紫外波段的透射率降低到15%、对780nm~1200nm 红外波段的透射率降低到10%以下、对1200nm~3000nm 红外波段的透射率降低到25%以下，层数显著降低，很大程度上缩减了成本，简化了工艺流程。该项目提供的薄膜具有防紫外线、透明和
华中科技大学
2021-01-12
薄膜萃取系统
产品特点：
· 整机功能集成化，外观简洁、大方
· 电气化控制简洁、实用
· 内部结构采用多分区、模块化设计，满足不同工艺下使用要求
· 设备可以整体移动、固定，对于需要在不同环境使用具有较高适用性。
· 操作、维护方便，性能安全可靠
· 可以通过不同的萃取时间、方案，完全模拟出萃取线的过程及其结果
产品应用：
· 开发新的薄膜配方和材料
· 测试新的薄膜表面/添加剂
· 验证薄膜生产工艺条件
· 测试不同萃取方案对于材料的影响
· 萃取后薄膜样品性能测试
· 小批量薄膜生产
技术参数：
· 萃取样品尺寸规格——850mm×850mm
· 样品薄膜厚度——20 - 5000 μm
· 内部分区——3区
· 萃取介质进出——双泵单独控制
· 辅助萃取（可选）——强力超声波发生器
· 设备尺寸—— 1m×1m×1.3m （长×宽×高）
青岛中科华联新材料股份有限公司
2021-09-03
薄膜拉伸机
产品特点：
· 符合人体工程学设计
· 简单、直观的电气化控制
· 通过循环空气或红外加热，薄膜达到精确、可靠的温度
· 通过精准的温度平衡实现完美的工艺控制
· 调试维修方便简单，使用性能可靠
· 可进行纵向、横向或在任何位置的双向同步或异步拉伸
· 可通过不同拉伸速度拉伸薄膜，完美模拟薄膜拉伸流水线工艺
产品应用：
· 开发新的薄膜配方和材料
· 测试新的薄膜表面/添加剂
· 验证薄膜生产工艺条件
· 测试不同萃取方案对于材料的影响
· 萃取后薄膜样品性能测试
· 小批量薄膜生产
技术参数：
· 设备配置——5铗子配置
· 推荐的初始样品膜尺寸——80mm×80mm
· 拉伸比率——10：10
· 最大拉伸尺寸——780mm×780mm（包含铗头区域）
· 拉伸样品膜厚度——20 - 5000 μm
· 拉伸速度——500mm/S
· 最大夹紧力——1000N
· 每一轴拉伸力——2000N
· 设备尺寸——4m×2m×2m（长×宽×高）
· 拉伸样品膜加热系统可到300°C
青岛中科华联新材料股份有限公司
2021-09-03
一种耐高温纳米硅薄膜二极管及其制备技术
该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝，对通入生长腔体中的气体进行快速分解，通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数，可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。 该成果主要面向微电子器件制造行业，如集成电路、大功率器件、特种环境探测器和传感器、光伏产业、发光器件等相关领域。 该成果
南京航空航天大学
2021-04-14