成果简介：项目获国家 973、863 计划支持，获得国家科技进步二等奖1 项、 省部级科技一等奖 3 项，发明专利 20 余项。 技术领域：新型材料 应用范围：能源环保，新材料 所在阶段：小规模生产，试生产阶段 成果转让方式：技术转让、技术入股与合作、技术服务 市场状况及效益分析：本项目研究开发的具有自主知识产权的高功率镍氢动力电池(>1250W/kg)和锂离子动力电池(>1800W/kg)已应用于东风、奇瑞、长安、

研究了二维铁磁材料VI 3

该方法涉及道路半刚性基层材料改善技术领域，先将聚丙烯纤维预分散在石灰和粉煤灰中，然后再与集料和水搅拌混合，形成聚丙烯纤维二灰碎石基层材料，优于现有二灰碎石基层材料，特别是其抗开裂性能，其抗弯拉、间接抗拉、温度收缩、干燥收缩、水稳定性等性能相比较二灰碎石材料都有较大幅度的提高。

二维层状过渡金属二硫属化物(TMDs)因其独特的电子、机械和化学性质而备受科研人员的关注。在第二项发表的研究中，研究团队制备出一系列二维TMDs材料（MoS 2

本发明公开了一种无空穴传输材料钙钛矿薄膜异质结电池的制备方法。该方法在传统的 PbI2 前驱体 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶剂中的溶解性，以免在旋涂时形成不均匀的晶核，影响钙钛矿 生长的均匀性。在空气中 100℃烧结 5 分钟后，往钙钛矿层上刮涂上一种含有 CH3NH3I 的碳浆，在空气 中 100℃烘干，再次刮涂上一层不含 CH3NH3I 的碳浆以降低器件电阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均匀滴在碳电极上

本发明提供一种制备氢氧化镍材料的方法，包括以下步骤：按照摩尔比1-2∶1-6∶0.01-0.125配制硫酸镍、尿素和松香基表面活性剂的反应混合物，将该反应混合物加入到溶剂中，所述反应混合物与溶剂的比例为1∶15-40，搅拌均匀得到反应液，其中所述溶剂选自去离子水和乙醇中的一种；将所述反应液放入高压反应釜中，控制反应温度为180-220℃，反应时间4-18小时，反应后，经过冷却、洗涤、干燥，得到形貌为凹片状的氢氧化镍材料。

项目成果/简介:本发明提供一种制备氢氧化镍材料的方法，包括以下步骤：按照摩尔比1-2∶1-6∶0.01-0.125配制硫酸镍、尿素和松香基表面活性剂的反应混合物，将该反应混合物加入到溶剂中，所述反应混合物与溶剂的比例为1∶15-40，搅拌均匀得到反应液，其中所述溶剂选自去离子水和乙醇中的一种；将所述反应液放入高压反应釜中，控制反应温度为180-220℃，反应时间4-18小时，反应后，经过冷却、洗涤、干燥，得到形貌为凹片状的氢氧化镍材料。

本发明的优点：通过简单的化学合成工艺将不稳定的氧化亚铜纳米颗粒包裹到MOFs晶体里面，得到一例Cu2O@ZIF‑8复合材料，相对于氧化亚铜纳米颗粒，该材料的抗氧化性能明显提高，可用于催化等领域。该制备工艺简单可控，条件温和，环境友好，能源消耗极少，成本低，适应工业生产。

单层半导体性过渡族金属硫属化合物（MX2: MoS2, WS2 等）是继石墨烯之后备受关注的二维层状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相互作用、高效的催化特性等，在光电子学器件、传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前景。单层MX2 材料的批量制备和高品质转移是关键的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战，例如，难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易引入污染物等。北京大学张艳锋课题组是国内较早开展相关研究的课题组之一，在单层MX2材料的可控制备、精密表征和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展：基于范德华外延的机理，他们在晶格匹配的云母基底上首次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)，他引198次)； 在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次)；发展了一种新型的金属性箔材(Au箔)基底，实现了畴区尺寸可调单层MoS2的制备，借助STM/STS表征技术建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢之间的构效关系 (ACS Nano 8, 10196 (2014)，他引124次)。上述成果也受邀撰写综述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015)，他引92次)。最近他们在大尺寸均匀MoS2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选用廉价易得的普通玻璃作为基底，创新性地采用Mo箔作为金属源(与S粉共同作为前驱体)，采用“face-to-face”的金属前驱体供给方式，实现了前驱体在样品上下游的均匀供应，使得样品尺寸可以得到最大限度的放大(仅受限于炉体尺寸)，获得了对角线长度可达6英寸的均匀单层MoS2; 结合DFT理论计算和系统的实验结果发现，玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的促进作用, Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘，起到显著降低MoS2拼接生长能垒的作用，从而促进其快速生长。 获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8 min，单晶畴区边缘尺寸可达0.5 mm。此外，他们利用玻璃基底的亲水特性，发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快速转移，且具有操作简单，转移样品质量高等明显优势。该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、晶圆尺寸均匀、大畴区单层MoS2的新方法/新途径，并深入分析了其生长机制，为相关二维材料的批量制备和高效转移提供了重要的实验依据，对于推动该类材料的实际应用具有非常重要的意义。