高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
超声引发溶液聚合制备纳米铁聚合物复合材 料
本发明涉及超声引发溶液聚合制备纳米铁聚合物复合材料的方法。将三氯化铁、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、甲苯和偶氮二异丁腈混合均匀,在氮气保护条件下超声辐射,得到反应后溶液;向反应后溶液中加入无水甲醇进行沉淀,过滤得到沉淀物,将沉淀物洗涤、真空烘干并研磨得纳米铁聚合物复合材料,聚合物复合材料为灰黑色固体粉末。本发明在使用氮气保护、不加入还原剂的条件下,超声辐射,铁离子被还原成纳米铁颗粒,同时 MMA、St原位聚合,一步直接合成了纳米铁聚合物复合材料,这是一种相对绿色、节能又环保的方法。
安徽理工大学 2021-04-13
具有多层纳米结构的柔性铜基材料及其制备方法、应用
本发明提供一种具有多层纳米结构的柔性铜基材料,该材料包括柔性基体,所述柔性基体具有多层结构层,所述多层结构层包括:铜基金属层构成的第一结构层;位于铜基金属层两侧的第二结构层,所述第二结构层为铜多孔层;以及位于铜多孔层上的第三结构层,所述第三结构层为氧化物层。本发明通过控制基体材料,结合脱合金溶液和时间的控制,调控材料的结构,获得不同的纳米结构层,并保留部分原始基体层,从而在具备优异的柔韧性同时,多层纳米结构层提供优异的催化性能。
南京工业大学 2021-01-12
具有荧光特性的水溶性单分散聚合物纳米球
本技术从两亲共聚物出发,通过一步加热法,得到粒径高度均一的纳米球,直径可在20-80nm范围内任意调节。该纳米球可在水中长期稳定分散,根据需要可通过调控酸碱度予以沉淀回收。另外,在聚合物纳米球制备过程中,可直接包载疏水性荧光或药物分子,从而具备其他功能特性,而纳米球的尺寸规整性保持不变。该方法只涉及到加热,甚至无需搅拌,极易规模化制备。
南京工业大学 2021-01-12
具有梯度浸润性孔道结构的纳米纤维膜及其制备方法
本发明属于空气净化领域,具体公开了一种具有梯度浸润性孔道结构的纳米纤维膜及其制备方法,向聚丙烯腈(PAN)纺丝溶液中掺杂疏水性二氧化钛(F‑TiO<subgt;2</subgt;)纳米颗粒,采用静电纺丝技术制备了疏水性复合纳米纤维膜,F‑TiO<subgt;2</subgt;纳米颗粒可在紫外光下发生响应产生活性自由基催化分解表面接枝的全氟链段,实现浸润性沿膜厚方向上的逐渐变化,构筑具有梯度浸润性孔道结构的纳米纤维膜。
南京工业大学 2021-01-12
采用多射流高压静电纺丝工艺,制备高质量 Janus 纳米纤维
多射流电纺与 Janus 结构产品:
上海理工大学 2021-01-12
浅色导电纳米晶须及白色复合导电纤维的制备技术
成功开发具有自主知识产权的新型浅色导电晶须,用晶须替代纳米颗粒作为基体制备导电填料加入纤维基体中,具有比导电超细颗粒更好的分散性,而且由于晶须是棒状结构,分散在纤维中可以通过搭接的方式首尾相接,更利于纤维导电。浅色导电晶须的开发研究对白色导电纤维的制备提供了理论和实践基础,葛明桥教授团队开发的白色导电纤维经检测达到 109Ώ(熔融纺丝)和 106Ώ(湿法纺丝)达到导电纤维要求,是国内导电纤维领域的一项重大突破,可提高白色导电纤维自产率,应用前景广阔。 关键技术 (1)将高速搅拌与化学共沉积法结合,制备出的浅色导电二氧化钛纳米晶须的电阻率达到了 103 Ώ•cm。 (2)将纳米晶须添加入纺丝液中,通过湿法纺丝方法制备出复合导电纤维,该种纤维的电阻达到了 106Ώ。 (3)与企业合作制备导电母粒,进而通过熔融纺丝方法制备出各种复合结构的导电纤维,该种纤维的电阻达到了 109Ώ。 知识产权及项目获奖情况 发表学术论文 9 篇;申请专利 6 项 项目成熟度 建立了 50L 的纳米晶须合成反应釜,实现产业化生产 投资期望及应用情况 目前已与部分企业合作,成功制备该导电材料并应用于化纤、纤维素等。
江南大学 2021-04-13
金属氧化物半导体基等离激元学研究取得突破性进展
在传统贵金属(金、银等)之外发掘出具有高性能等离激元效应的非金属新材料,是当前等离激元学基础研究及应用研发的一个热点与难点。金属氧化物半导体材料具有丰富可调的光、电、热、磁等性质,对其采取氢化处理可有效修饰其电子结构,从而获得丰富可调的等离激元效应;此处的一个关键性挑战在于如何显著提高金属氧化物半导体材料内禀的低自由载流子浓度。基于该研究团队新近发展的、理论模拟计算指导下的电子-质子协同掺氢策略,在本工作中研究人员采用简便易行的金属-酸溶液原位联合处理方法实现了金属氧化物MoO3半导体材料在温和条件下的可控加氢(即实现了“本征半导体→准金属”的可控相变),从而突破性地大幅提升了该材料中的自由载流子浓度。研究表明,氢化后的MoO3材料中自由电子浓度与贵金属相当(譬如H1.68MoO3:~1021cm-3;Au/Ag:~1022cm-3),这使得该材料的等离激元共振响应从近红外区移至可见光区,且兼具强增益及可调性。结合第一性原理模拟计算和以超快光谱为主的多种物性表征,研究人员进一步揭示出该协同掺氢所导致的准金属能带结构及相应的等离激元动力学性质。作为效果验证,研究人员在一系列表面增强拉曼光谱(SERS)实验中证实该材料表面等离激元局域强场可使吸附的罗丹明6G染料分子的SERS增强因子高达1.1×107(相较于一般半导体的104⁓5和贵金属的107⁓8),检测灵敏限低至纳摩量级(1×10-9mol L-1)。 这项工作创新性地发展出一种调控非金属半导体材料系统中自由载流子浓度的一般性策略,不仅低成本地实现了具有强且可调的等离激元效应的准金属相材料,而且显著地拓宽了半导体材料物化性质的可变范围,为新型金属氧化物功能材料的设计提供了崭新的思路和指导。
中国科学技术大学 2021-02-01
金属氧化物半导体基等离激元学研究取得突破性进展
项目成果/简介:在传统贵金属(金、银等)之外发掘出具有高性能等离激元效应的非金属新材料,是当前等离激元学基础研究及应用研发的一个热点与难点。金属氧化物半导体材料具有丰富可调的光、电、热、磁等性质,对其采取氢化处理可有效修饰其电子结构,从而获得丰富可调的等离激元效应;此处的一个关键性挑战在于如何显著提高金属氧化物半导体材料内禀的低自由载流子浓度。基于该研究团队新近发展的、理论模拟计算指导下的电子-质子协同掺氢策略,在本工作中研究人员采用简便易行的金属-酸溶液原位联合处理方法实现了金属氧化物MoO3半导体材料在温和条件下的可控加氢(即实现了“本征半导体→准金属”的可控相变),从而突破性地大幅提升了该材料中的自由载流子浓度。研究表明,氢化后的MoO3材料中自由电子浓度与贵金属相当(譬如H1.68MoO3:~1021cm-3;Au/Ag:~1022cm-3),这使得该材料的等离激元共振响应从近红外区移至可见光区,且兼具强增益及可调性。结合第一性原理模拟计算和以超快光谱为主的多种物性表征,研究人员进一步揭示出该协同掺氢所导致的准金属能带结构及相应的等离激元动力学性质。作为效果验证,研究人员在一系列表面增强拉曼光谱(SERS)实验中证实该材料表面等离激元局域强场可使吸附的罗丹明6G染料分子的SERS增强因子高达1.1×107(相较于一般半导体的104⁓5和贵金属的107⁓8),检测灵敏限低至纳摩量级(1×10-9mol L-1)。 这项工作创新性地发展出一种调控非金属半导体材料系统中自由载流子浓度的一般性策略,不仅低成本地实现了具有强且可调的等离激元效应的准金属相材料,而且显著地拓宽了半导体材料物化性质的可变范围,为新型金属氧化物功能材料的设计提供了崭新的思路和指导。
中国科学技术大学 2021-04-11
掺铝氧化锌薄膜的退火真空度和氩离子溅射清洗工艺控制
掺铝氧化锌薄膜( AZO )成本低廉、无毒环保,溶胶凝胶法制备 AZO 薄膜具有工艺简单、成膜均匀性好、易于精确掺杂等优点,而后续处理工艺则是提高溶胶凝胶法制备的透明导电薄膜性能的关键。为此我们研究 105  到  10-4 Pa 大真空度范围退火条件下的电阻率变化规律,发现:电阻率的降低集中在相对狭窄的真空度范围,其中在 100 Pa  到 10 Pa  之间,电阻率陡降了 2 个数量级。电阻率在 10 Pa  退火时达到最小值,继续提高真空度(减低气压),电阻率不再继续降低。这一研究结果不仅澄清了以往对溶胶 - 凝胶法制备透明薄膜后续工艺处理的模糊认识,而且对实际生产工艺具有重要的指导意义,例如以此为根据,选择合适的真空度退火,达到既满足产品的性能指标,又能节能减排的最佳效果。 XRD 与 XPS  的分析表明中真空下氧空位、锌填隙、以及 Al3+  对 Zn2+  离子的取代是中真空度下电阻率陡降的主要原因。此外,利用  Ar+ 离子对退火后的样品进行反溅射清洗,能进一步提高电导率。更重要的是能在薄膜表面形成具有一定的凹凸起伏的绒面结构,能将入射太阳光分散到各个角度。用作太阳能电池电极时,能有效增强太阳能电池内的光吸收材料对入射太阳光的捕获,提高光能利用率。
辽宁大学 2021-04-11
三阶式生物接触氧化富营养化原水藻类及藻毒素去除技术
该技术运用反应器原理,将具有完全混合流特征的单阶反应器串联组成具有推流特征的阶式反应器,大幅度提高了氨氮、可生物降解有机物、藻毒素的去除效率和生物除藻效果,并可减少后续工艺中混凝剂与消毒剂的用量,提高了饮用水的安全性。
东南大学 2021-04-10
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 150 151 152
  • ...
  • 221 222 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1