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广元市第七届教育科研优秀成果二等奖
获广元市第七届教育科研优秀成果《广元市地震灾区教师信息技术能力现状调查与分析》二等奖。
川北幼儿师范高等专科学校 2015-01-14
中国科学技术大学在二维材料固态自旋色心研究中取得新进展
我校郭光灿院士团队在二维范德瓦尔斯材料固态自旋色心领域取得重要进展。该团队李传锋、唐建顺研究组与匈牙利魏格纳物理研究中心AdamGali教授等人合作,实验研究并理论解释了六方氮化硼(hexagonalboronnitride,hBN)中带负电硼空位(VB-)色心受磁场调制的自旋相干动力学行为,揭示了hBN中VB-色心电子自旋与核自旋之间的相干耦合和弛豫机制,对发展基于二维范德瓦尔斯材料的相干自旋系统及低维量子器件具有重要意义。
中国科学技术大学 2022-10-17
一种提高二氧化钛光激发气敏性能的方法及装置
本发明公开了一种提高二氧化钛光激发气敏性能的方法及装置, 该方法是在光气敏传感器工作过程中,通过对材料薄膜进行加热调控 (50℃-70℃),使气敏材料表面物理吸附水减少,从而对环境湿度不 敏感;其次,表面保留的化学吸附水在紫外光照下产生的自由羟基, 以及由低温加热下产生少量热激发诱导的光、热联合激发的协同效应, 可大幅度提高其响应恢复速度。装置包括材料基片、光激发源、光激 发控制模块、温度控制模块、信号调理模块、计算
华中科技大学 2021-04-14
利用三嵌段聚合物合成具有光学性能的大孔二氧化硅材料
该方法首次利用自组装的技术合成出大孔具有光学性能的二氧化硅材料,突破了用表面活性剂为模板很难合成出大孔径材料的瓶颈,并且由于材料本身规则的孔结构结合二氧化硅本身的折射率产生肉眼可见的颜色,该合成方法技术成熟,重复性好,具有可操作性,该材料在光学器皿元件上有潜在的应用价值。
上海理工大学 2021-01-12
1,1-二吡唑甲烷双核锰聚合物及其原位脱羧合成方法及应用
本发明公开了一种1,1?二吡唑甲烷双核锰聚合物,还提供了该化合物的制备方法及催化应用。本发明具有工艺简单、成本低廉、化学组分易于控制、重复性好并且产量高,催化效果优良等优点。
东南大学 2021-04-14
可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法,包括如下步骤:在蓝宝石衬底上生长n?ZnO纳米线;采用磁控溅射法在p?GaN上溅射一层AlN薄膜;采用溅射法或者电子束蒸镀分别在n?ZnO和p型GaN一端制备具有欧姆接触的金属电极;将AlN薄膜/p?GaN紧扣在n?ZnO纳米棒阵列上面形成异质结,构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ZnO纳米棒阵列,提高ZnO结晶度,提高电学性能,有效消除晶体质量差的问题;引入AlN隔离层,有效较少了结区的剩余电子,增加ZnO区载流子复合效率,实现纯ZnO紫外发光;n?ZnO纳米棒阵列/AlN/p?GaN异质结发光二极管,发光位置在385nm左右,半峰宽为14.5nm。
东南大学 2021-04-11
分体彩屏水控机,二维码水控机,4G水控机
产品详细介绍产品介绍:1、脉冲流量计、电磁阀、刷卡收费控制器分体式设计,可灵活安装;2、安装方便简单,适合浴室、澡堂、公寓等高湿度及各种恶劣环境使用;3、可以设定一张卡的用水量,超过额度拒绝用水;4、在冷水和热水环境下均可使用;5、1.77寸彩屏显示,可直观显示用户姓名、卡号、余额、消费情况等信息;6、脱机工作可通过管理卡进行费率、参数等设置;7、自动识别持卡人的合法性,根据卡内账户信息决定是否允许消费;8、可控制电磁阀及电动阀;9、控水器为12v电压,保证使用者安全;10、IC卡可以扩展为一卡通,兼容考勤、门禁、消费、停车场等系统;11、可扩展补补贴功能,可对用户进行补贴。产品参数:外形尺寸:110mm*145mm*45mm卡片类型:M1卡计费方式:计时、计量、计次屏幕显示:1.77寸彩屏显示系统发卡数量:可达100万  工作频率:13.56MHz卡操作距离:0-50mm卡读写速度:<0.3s机器颜色:白色通讯方式:脱机、RS485、TCP/IP、无线433、WIFI、4G供电电压:DC12V 1A记录存储容量:最大可存储6万条断电数据保存时间:>10年存储挂失卡数目:>100万张                工作环境: -10℃ ~ +100℃
广州野马电子科技有限公司 2021-08-23
一种在水性溶液中制备剥离型层状材料/碳纳米管复合物的方法
本发明公开了一种在水性溶液中制备剥离型LDH/CNT复合材料的方法,先通过尿素法或氨水法在碳纳米管的水分散液中合成层状双金属氢氧化物,制得未剥离LDH/CNT复合物,接着通过酸-盐混合溶液处理将LDH/CNT复合物中LDH层间的碳酸根离子置换成与层板结合力较弱的阴离子,然后再次通过离子交换将有机离子引入层间,从而制得剥离型LDH/CNT复合物;制得的复合物既呈现LDH的单层或几层剥离,又保留了CNT良好的分散性。本发明简单易行、耗时短、无需有毒溶剂,而且无需在高温下进行,成本低。
浙江大学 2021-04-11
一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法
本发明涉及一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池结构包括:衬底;P型氧化亚铜纳米线阵列,该P型氧化亚铜纳米线阵列生长在衬底上;绝缘层,该绝缘层沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列表面;N型层,该N型层填充在绝缘层外并且形成一层薄膜;N型欧姆电极,该N型欧姆电极制作在N型层上;P型欧姆电极,该P型欧姆电极制作在P型氧化亚铜纳米线阵列层上。本发明中纳米线阵列结构可提高电池的结面积,减小载流子的扩散距离,PIN结构可有效增大耗尽层宽度,大大提高载流子的分离和收集效率,从而提高太阳能电池的能量转换效率。本发明采用的原料丰富、廉价、无污染,采用的制备方法有电化学沉积法、磁控溅射法及电子束蒸发法,都可以大规模应用于工业生产中,有广阔的发展前景。
浙江大学 2021-04-11
功能纳米与软物质研究院Mario Lanza教授课题组在Nature Electronics上发表论文
随着忆阻器在非易失性存储器、模拟人类大脑的深度学习等重要领域的研究逐步深入,忆阻器的研究得到越来越多的重视。在固态电子器件和电路中应用二维材料,将有助于扩展摩尔定律,并能获得优于CMOS的先进产品。基于二维材料的忆阻器能够应用于信息存储和神经态计算,具有高热稳定性,阈值型和双极型阻变共存,增强、抑制和弛豫的高度可控性,以及出色的机械稳定性和透明度等优点。 近日,功能纳米与软物质研究院Mario Lanza教授在Nature子刊《Nature Electronics》上发表了题为“Wafer-scale integration of two-dimensional materials in high-density memristive crossbar arrays for artificial neural networks”的封面文章。作者提出二维材料六方氮化硼(h-BN)可以作为高密度忆阻阵列的阻变材料,构建可用于图像识别的人工神经网络的器件。其获得h-BN基忆阻阵列器件成品率高达98%,且表现出超低的周期间差异性(低至1.53%)和出色的器件间差异性(低至5.74%)。图像分类器的仿真结果表明,所测得的器件I-V曲线的均一性足以匹配理想软件实现所需的精度。
苏州大学 2021-02-01
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