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快速智能定硫仪
产品详细介绍功能特点： 1、设定炉温以及修正硫含量可通过键盘输入，无需打开机器。 2、自动判断滴定起点，缩短了实验时间。 3、自动调整炉流大小，和传统控制器相比能延长硅碳管的使用寿命。 4、送样机构采用电子开关，可靠性高，不会产生过电解现象。 5、自动控制电解速度，无需电解开关。 技术参数 1、测硫范围：0-40% 2、升温时间：≤25分钟 3、分析时间：约3-5分钟 4、分辨率：0.001% 5、电源:AC220V±10% 50
鹤壁市华通分析仪器有限公司
2021-08-23
含硫检测仪
含硫检测仪
山东鸣川汽车集团有限公司
2022-03-01
鹤壁天润 TRDL-800型微机多样定硫仪
产品介绍:
依据GB/T214-2007《煤中全硫测定方法》中库伦滴定法设计，能严格按照有关规定，自动完成全硫含量的测定。因此，该产品广泛应用于煤炭检测、土壤、砖厂、石料加热、电力、焦化、化工、科研、食品等各个行业中。
性能特点：
■自动化程度高，蓝牙通讯，操作方便：具有连续自动送样、丢样装置，可一次性放入24个试样，并可随时连续加样，大大减少化验员工作量。
■采用一体化结构，将自动送样、丢样装置、裂解炉、电解池、搅拌器、送样机构、空气净化系统等部件装配在整个箱体内使仪器结构紧凑，造型美观。
■采用库仑滴定法进行测定，测定时间可根据不同试样自动判断，结果准确，速度快。优于艾士卡重量分析法和高温燃烧中和法。
■采用特制平底刚玉瓷舟，减少卡样的可能。由程序控制实现程度控制自动升温、控温、送样、退样、电解、计算、结果自动存盘、打印，真正实现无人值守。
■标准串口，可接入电子天平。
■采用线性的电解液分子浓度采集电路，有效解决过电解问题。
■采用无触点式开关，具有断偶保护、硬件超温保护和电解液防回流措施;
■采用多点动态系数校正法，确保高、中、低硫含量的煤测试结果准确度更高;可接入实验室管理系统，实现天平数据不落地、测试结果备份和上传。
技术参数：
■测试温度：1150℃
■测量范围：0.01%-40%
■测试方法:库仑滴定法
■单样分析时间:3min左右
■工作炉温:1150℃(煤、焦炭)、900℃(油)
■试样质量:50±5mg(煤、焦炭)、100±10mg(石油产品)
■送样方式:自动送样、弃样
■准确度:符合GB/T214-2007《煤中全硫的测定方法》
■工作电源:AC220V±22V/50Hz
■样品数量：1-24个/次（试验过程可添加/替换试样）
■控温精度：±2℃
■功率:3.5kW
■测硫分辨率：0.001％
■外形尺寸：780×510×405（mm）
鹤壁市天润电子科技有限公司
2026-03-17
催化合成甲基乙烯基二氯硅烷 以制备乙烯基环体
技术原理 ：利用乙炔和二氯氢硅合成甲基乙烯基二氯硅烷单体，再将 单体水解、中和、裂解制得乙烯基环体。后者是生产乙烯基硅橡胶、硅油 和硅树脂的重要原料。 技术特点 ：解决了硅氢加成反应中催化剂的稳定性及抑制二次加成反 应发生，提高催化剂的选择性（达 96%以上），使该项目首次成功地实现 了产业化。 投资规模 ：实现 100 吨/年乙烯基环体，需要有 500M2 以上的生产厂 房
南昌大学
2021-04-14
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目属于电子信息功能材料技术领域。 特色及先进性：为了实现同一种单晶薄膜即可应用于磁光器件，又可应用于微波器件中，本项目提出了铋镥铁石榴石（BiLuIG）薄膜的设计体系，为了使其同时具有良好的磁光和微波特性，本项目很好的根据晶格匹配原则设计了材料配方，并选用无铅液相外延技术，大大提高了薄膜的性能。本项目提出了在钆镓石榴石（GGG）衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路，解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石（SGGG）晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足，突破纯GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶体这一难点科学问题。研究内容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方设计研究：基于四能级跃迁模型，并结合离子替代规律和多离子掺杂技术，寻找最佳配方；（2）液相外延单晶薄膜材料的工艺技术研究：包括薄膜均匀性、缺陷控制、无铅配方、生长速率和薄膜镜面条件控制等；（3）材料在器件中的验证研究，设计制备平面波导型磁光开关对材料磁光性能的验证。 技术指标：（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。 促进科技进步作用意义：本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。该项目研制的材料已提供给中电集团41所、美国Delaware大学、天津大学、中国工程物理研究院、深圳市通能达电子科技有限公司（中电九所下属）、陕西金山电器有限公司（4390厂）等单位使用，并为中电集团9所、33所等单位提供批量样品，用于制备磁光和微波器件，受到好评。
电子科技大学
2021-04-10
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目提出了在钆镓石榴石（GGG）衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路，解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石（SGGG）晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足，突破纯GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶体这一难点科学问题。
电子科技大学
2021-04-10
一种溴铅铯单晶制备方法
本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真 空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温， 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶 生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶 快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发 明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用 了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质 量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅 铯单晶开裂的问题。
华中科技大学
2021-04-11
关于超薄单晶铅膜界面超导的研究
通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面，用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明，该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中，这一数值远超过体系的泡利极限，是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明，条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中，从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时，新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明，可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺，也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中，通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导，也为拓扑超导的探索提供了新的平台，并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合，有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相（SIC）界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。
北京大学
2021-04-11
氮掺杂石墨烯大单晶制备的研究
本研究利用氧气对非骨架掺杂选择性刻蚀的效应，首次在Cu衬底上实现了石墨烯的完美骨架掺杂生长，氮掺杂后的石墨烯迁移率高达13000 cm2/Vs，比其他工艺制备的掺杂石墨烯要高出数个量级。同时，石墨烯的面电阻也降低到130 oh/sq，掺杂的稳定性显著提高。
北京大学
2021-04-11
单晶硅切割废砂浆制备白炭黑
在集成电路、太阳能电池等制造产业中，单晶硅在线切割过程中会产生大量的废砂浆。废砂浆经预处理，除去聚乙二醇和大颗粒碳化硅，剩余部分称为环保废砂浆，其主要成分为二氧化硅、硅、小颗粒碳化硅及少量金属杂质。然而，环保废砂浆易自燃，人们对其回收利用研究的很少，一般封存填埋处理，不但造成资源浪费，而且给环境带来巨大的危害。本项目利用环保废砂浆制备附加值高、应用广泛的白炭黑并分离回收碳化硅的资源化工艺，具有较为重要的环境保护和循环经济意义。制得二氧化硅含量可达到98%以上，各项指标达到白炭黑产品的国家标准。
天津大学
2021-04-14